最重要的應(yīng)用和當前電子領(lǐng)域大趨勢越來越需要超越常規(guī)硅器件的高壓、高頻和高溫性能。

使用諸如碳化硅(SiC)等材料的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)正在興起，為重要的高增長終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC和電動汽車車載充電器以及太陽能、不間斷電源和服務(wù)器電源帶來顯著的好處和增強的可靠性。

安森美半導(dǎo)體包括二極管、驅(qū)動器和MOSFET的SiC陣容，以及正發(fā)展成一個整體生態(tài)系統(tǒng)的產(chǎn)品，因新推出的兩款MOSFET – 工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1而得以增強。

如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是更高的能效，意味著更低的功耗直接減少熱管理問題。這不僅減少物料單(BoM)成本，還有助于產(chǎn)品整體尺寸和重量的進一步減少。

這些特性特別適合功率需求巨大的應(yīng)用如云服務(wù)器中心，隨著中心擴展以解決數(shù)據(jù)和云存儲無止盡的需求，功率需求還在不斷增長。多個領(lǐng)域節(jié)省的少量功率和更高能效所節(jié)省的能源，相當于節(jié)省了幾十萬美元的成本，也避免了復(fù)雜的熱管理問題。

這種性能好處在汽車應(yīng)用中也很有價值，最小化功耗/最大化能效乃至減輕幾克都會影響燃油能效，或?qū)τ陔妱悠噭t能增加里程。

對于所有應(yīng)用，SiC寬禁帶半導(dǎo)體減少的電磁干擾(EMI)是受歡迎的，消除了設(shè)計過程中的一些未知因素和最終增強了系統(tǒng)可靠性。

對于著手用相對新的、也因此不熟悉的SiC半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)方案的設(shè)計工程師，資源如器件仿真工具、SPICE模型和應(yīng)用信息在通過設(shè)計流程引導(dǎo)他們和幫助他們完成優(yōu)化的設(shè)計以應(yīng)對高頻、高功率電路特有的挑戰(zhàn)至關(guān)重要。