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屬于 SiC器件的時代也許真的要到來了

kus1_iawbs2016 ? 來源:YXQ ? 2019-04-19 16:18 ? 次閱讀
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三月底,在祖國大陸的大部分地方還是乍暖還寒的時候,海南已經(jīng)稍顯悶熱了,但這并不能阻擋賽車愛好者齊聚三亞。因為2018-2019賽季ABB國際汽車聯(lián)電動方程式錦標(biāo)賽將會在這里隆重上演。但與傳統(tǒng)的F1比賽不一樣,這里的跑道少了汽車的轟鳴聲,因為參與這系列比賽的都是電動車。

據(jù)大賽官方資料介紹,ABB國際汽聯(lián)電動方程式錦標(biāo)賽是國際汽聯(lián)旗下首個也是唯一一個全電動單座賽車錦標(biāo)賽,它不僅是一項極具突破性的國際頂級競技體育項目,同時又肩負(fù)引領(lǐng)未來移動出行的發(fā)展方向,有效地提升民眾對電動汽車的關(guān)注與熱情的重任。

而回歸到比賽本身,這些車隊為了提升電動車的續(xù)航和電機的效率,嘗試了各種方式,但文圖瑞車隊的工程師們在半導(dǎo)體廠商-羅姆的支持下,找到了開啟電動車神奇盒子的鑰匙——碳化硅(SiC)。

該車隊的CTO在接受半導(dǎo)體行業(yè)觀察等媒體采訪的時候提到,他們在其賽車上采用了羅姆的SiC之后,就將逆變器的尺寸變小了。因為賽事對賽車和車手的總重量有限制,這個改變就讓他們有更多的空間去做其他設(shè)計,進(jìn)一步提升賽車的競爭力。

他進(jìn)一步指出,因為SiC器件本身的效率的提升,可以有更高的切換開關(guān)頻率,所以既能優(yōu)化逆變器本身的效率,也可以優(yōu)化電機的效率。,這樣就讓他們在比賽中更有優(yōu)勢。

再者,因為這些比賽在全球各地多地舉辦,當(dāng)中會涉及一些極高溫和低溫環(huán)境,但是使用了羅姆SiC器件的電動車同樣能夠在這些場景正常工作。

從他的介紹中,我們可以看到他對SiC技術(shù)的高度認(rèn)可,但這些改變背后,是包括羅姆半導(dǎo)體工程師在內(nèi)的眾多工程師努力的成果。

作為硅材料的接班人,寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅不但擁有擊穿電場強度高、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)勢,還具有載流子飽和、漂移速度高和熱導(dǎo)率高等特點,這就讓它用來制造各種耐高溫的高頻、高效大功率器件,并被應(yīng)用到包括逆變器和電動車等多種場景中。這種巨大的市場潛力就吸引了眾多廠商投身其中,羅姆半導(dǎo)體則是當(dāng)中一個走在比較前的廠商。

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察了解,羅姆早在2000年就開始了相關(guān)的研發(fā),公司也打造了涵蓋SiC器件、晶圓及鑄件生產(chǎn)制造各個環(huán)節(jié)的內(nèi)部垂直整合型生產(chǎn)體制,并在2010率先研發(fā)成功了SiC MOSFET。據(jù)透露,現(xiàn)在全球也已經(jīng)有超過20個汽車客戶使用了羅姆的SiC產(chǎn)品,他們也推出了包括SiC SBD、SiC MOSFET和全SiC模組在內(nèi),覆蓋650到1700V的多系列多款SiC產(chǎn)品,多年的研究投入更是讓他們成長為全球領(lǐng)先的SiC器件供應(yīng)商。SiC市場也在羅姆半導(dǎo)體等廠商的推動下,進(jìn)入了大爆發(fā)的前夜。

根據(jù)國際知名分析機構(gòu)Yole預(yù)測,在電動汽車等應(yīng)用的驅(qū)動下,SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模到2023年將增長至14億美元,在2017~2023年期間的復(fù)合年增長率(CAGR)更是達(dá)到29%。因為各大晶圓廠在設(shè)備投資上面的判斷相對保守,這就形成了難以獲取SiC晶圓,價格也始終居高不下的狀況。為了改變這個現(xiàn)狀,就必須突破現(xiàn)有的技術(shù)瓶頸,以短時間內(nèi)形成高品質(zhì)的薄膜。

為了迎接SiC時代的來臨,羅姆除了基于其引以為傲的一條龍生產(chǎn)體制,致力于晶圓的大口徑化以及使用最新設(shè)備帶來生產(chǎn)效率的提高,降低成本外。在先于全球?qū)肓⒋绲奶蓟璁a(chǎn)線之后,羅姆甚至計劃提前導(dǎo)入八英寸SiC產(chǎn)線,進(jìn)一步降低SiC的價格。同時,他們還計劃在2025年之前,在SiC領(lǐng)域投資600億日元,將其SiC的產(chǎn)量較之2017年提升16倍,以滿足多樣化的SiC需求。

在羅姆SiC的支持下,文圖瑞車隊車手愛德華多·莫塔拉在今年三月于香港舉辦的第五賽季的Formula E(國際汽聯(lián)電動方程式比賽)第五賽段中榮登冠軍寶座。除了羅姆外,其他歐美中各大廠商也都在努力,我們似乎已經(jīng)看到了一個SiC時代的到來。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:屬于SiC器件的時代也許真的要到來了

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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