4月25日晚間，三安光電宣布與湖北省葛店經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂項目投資合同，投資總額120億元。項目選址位于葛店經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)，總用地面積約700畝。

公告稱，為推動公司III-V族化合物半導體項目的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)基地盡快在湖北省葛店經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)落戶，公司與湖北省葛店經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)管理委員會本著優(yōu)勢互補、互利互惠原則，經(jīng)友好協(xié)商，達成合作合同。

根據(jù)合同約定，三安光電將在湖北省葛店經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)管理委員會轄區(qū)內(nèi)投資興辦III-V族化合物半導體項目，主要生產(chǎn)經(jīng)營Mini/Micro LED外延與芯片產(chǎn)品及相關應用的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。并由公司在此轄內(nèi)注冊成立項目公司投資，投資總額120億元，具體以項目最終可研報告為準。

公告顯示，三安光電將爭取在各項手續(xù)完備后36個月內(nèi)完成項目建設并實現(xiàn)投產(chǎn)，48個月內(nèi)實現(xiàn)達產(chǎn)；爭取在各項手續(xù)齊備、相關配套設施完備的前提下，一期投資在24個月內(nèi)完成項目建設并投產(chǎn)。

三安光電表示，Mini/Micro LED是公司未來重點發(fā)展方向之一。本次投資項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于改善公司產(chǎn)品結構，提升公司核心競爭力，鞏固公司行業(yè)地位。

事實上，2018年9月，已有消息稱三安光電將在2019年第一季度建立首條Micro LED外延片和芯片生產(chǎn)線。消息顯示，三安已經(jīng)開發(fā)出了直徑為20微米的Micro LED產(chǎn)品；與此同時，三安還將生產(chǎn)4微米LED和10微米的LED倒裝芯片。

據(jù)悉，三安目前已申請27項Micro LED專利，并計劃在2019年年底前開始生產(chǎn)用于智能可穿戴設備、100英寸以上大尺寸面板和汽車尾燈等小尺寸面板的Micro LED產(chǎn)品。另值得注意的是，三安目前也已經(jīng)成為了三星電子大尺寸顯示器Mini LED的首選供應商。