利用高級仿真解決設(shè)計(jì)流程中管理DDR問題
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在實(shí)際網(wǎng)關(guān)設(shè)計(jì)中，如何利用電容的高紋波電流能力進(jìn)行熱管理優(yōu)化？
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發(fā)表于 11-26 07:59
利用蜂鳥E203搭建SoC【4】——DDR200T內(nèi)存擴(kuò)展
由于FPGA內(nèi)部存儲資源有限，很多時(shí)候不能滿足需求，因此可以利用DDR對系統(tǒng)進(jìn)行存儲擴(kuò)展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復(fù)雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對
發(fā)表于 10-29 07:16
DDR200T中DDR的使用與時(shí)序介紹
DDR使用
在我們的項(xiàng)目中，我們使用的是芯來科技的DDR200T開發(fā)板，我們通過調(diào)用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置，配置完成后例化該DDR3，然后
發(fā)表于 10-28 07:24
E203分享之DDR擴(kuò)展方案實(shí)施流程（中）
的S00_AXI_ACLK、M00_AXI_ACLK，分別接系統(tǒng)頂層時(shí)鐘hfextclk、mig產(chǎn)生的用戶時(shí)鐘ui_clk，以此來實(shí)現(xiàn)跨時(shí)鐘域。
（2）例化DDR3模型（仿真的時(shí)候需要用，vivado
發(fā)表于 10-24 07:25
E203分享之DDR擴(kuò)展方案實(shí)施流程（下）
vivado仿真：（仿200us以上，100us左右mig才完成初始化）
（1）測試代碼
define DDR_BASE 0xA0000000
unsigned int ddr
發(fā)表于 10-23 06:16
ADI Power Studio工作流程與工具概述
、直觀的工作流程，利用準(zhǔn)確的模型來仿真實(shí)際性能，并自動生成關(guān)鍵的物料清單和報(bào)告等內(nèi)容，幫助工程團(tuán)隊(duì)更早做出更優(yōu)決策。
基于DDR200T開發(fā)板的e203進(jìn)行DDR3擴(kuò)展
bridge實(shí)現(xiàn)設(shè)備的跨接，可以利用E203源碼中的ICB轉(zhuǎn)接AXI的例子來實(shí)現(xiàn)AXI外接端口的搭建。
對于外接DDR，本隊(duì)將外部DDR訪存的地址空間設(shè)定為0xA000_0000~
發(fā)表于 10-21 12:43
DDR200T中的DDR3的使用配置
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中
發(fā)表于 10-21 11:19
RK3128 Android 7.1 進(jìn)入深度休眠流程分析
硬件相關(guān)流程
PMIC配置：通過RK808或類似電源管理IC配置低功耗模式
DDR控制：將DDR設(shè)置為自刷新模式以保持?jǐn)?shù)據(jù)
時(shí)鐘管理：關(guān)閉所
發(fā)表于 07-22 10:45
DDR模塊的PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號反射、時(shí)序混亂
工商網(wǎng)監(jiān)
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