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耕耘細(xì)分市場,士蘭微電子打破了國外公司對于 IGBT器件的長期壟斷

kus1_iawbs2016 ? 來源:YXQ ? 2019-05-06 15:55 ? 次閱讀
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近期,士蘭微電子推出了應(yīng)用于家用電磁爐的1350V RC-IGBT系列產(chǎn)品。

據(jù)悉,士蘭微電子的600V單管 IGBT產(chǎn)品已經(jīng)在電焊機(jī)和IPM領(lǐng)域大規(guī)模應(yīng)用,獲得了業(yè)內(nèi)一致好評,此次推出的系列產(chǎn)品有1200V與1350V兩檔電壓規(guī)格,覆蓋了從15A至30A的電流規(guī)格。

士蘭微電子的RC-IGBT產(chǎn)品是基于士蘭微電子獨立自主開發(fā)的第三代場截止(Field-Stop III)工藝平臺,實現(xiàn)在場截止型IGBT器件內(nèi)部集成了續(xù)流二極管結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)在,士蘭微電子在自有的8英寸芯片生產(chǎn)線上已經(jīng)全部實現(xiàn)了幾類關(guān)鍵工藝的研發(fā)與批量生產(chǎn),是目前國內(nèi)唯一一家全面掌握上述核心技術(shù)的大尺寸功率半導(dǎo)體器件廠家。

士蘭微電子此次推出的RC-IGBT系列產(chǎn)品可以實現(xiàn)最高1350V的額定擊穿電壓,同時針對家用電磁爐工作頻率提升的應(yīng)用需求,重新優(yōu)化了器件的飽和壓降Vce(sat)以及內(nèi)部集成二極管的正向壓降VF,從而實現(xiàn)器件在開關(guān)過程中具有低損耗的要求。值得注意的是,為了達(dá)到上述目標(biāo)要求,器件工程師重新優(yōu)化了IGBT的器件晶胞結(jié)構(gòu),調(diào)整器件發(fā)射區(qū)元胞間距尺寸,進(jìn)而提升了IGBT器件在導(dǎo)通時柵極下方PIN二極管區(qū)域的少數(shù)載流子的濃度,降低器件飽和壓降。

此外,對于特定耐壓指標(biāo)的IGBT器件,其芯片厚度也是特定的,需要減薄到200um以下。比如在100~200um的量級,當(dāng)硅片磨薄到如此地步后,后續(xù)的加工處理就比較困難了,特別是對于8寸以上的大硅片,極易破碎,難度非常大。而士蘭微電子的該款RC-IGBT產(chǎn)品采用了士蘭微子公司--士蘭集昕的8寸超薄晶圓加工工藝進(jìn)行開發(fā),芯片厚度<150um。在工藝開發(fā)過程中,為突破超薄晶圓的加工難題,士蘭微電子投資近2000萬美元引入了領(lǐng)先的Taiko減薄、光刻、高能注入、激光退火等全套先進(jìn)后段設(shè)備,解決了Taiko超薄晶圓背面光刻勻膠、光刻、顯影等工藝難點,最終實現(xiàn)1350V RC-IGBT產(chǎn)品的量產(chǎn)。這些士蘭微電子的創(chuàng)新性工藝研發(fā)保證了該產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢。

為應(yīng)對市場需求,突出差異化特點,士蘭微電子根據(jù)不同細(xì)分市場客戶制定不同的策略,為終端制造商提供一站式服務(wù),建立了長期的客戶資源優(yōu)勢。通過多渠道的市場推廣,士蘭微電子已經(jīng)摸清了國內(nèi)IGBT行業(yè)的市場情況,對每個細(xì)分市場的需求也有了較為清晰的認(rèn)識,可根據(jù)客戶的要求,針對性的對方案進(jìn)行定制和測試,以滿足客戶不同類型產(chǎn)品的應(yīng)用需求。

針對IGBT模塊多芯片組裝的特殊質(zhì)量要求,士蘭微電子投資建設(shè)了自己的功率模塊封裝生產(chǎn)線,較好地提升和穩(wěn)定了質(zhì)量,同時控制了成本,使得產(chǎn)品在價格、供貨以及技術(shù)支持方面也有著一定的優(yōu)勢。

如針對電磁爐細(xì)分市場,士蘭微電子的IGBT產(chǎn)品可以為客戶提供全套解決方案和技術(shù)支持,使客戶先于競爭對手推出安裝方便和質(zhì)量可靠的整機(jī)產(chǎn)品,并持續(xù)進(jìn)行質(zhì)量提升和成本優(yōu)化,擴(kuò)大市場占有率和競爭優(yōu)勢,積極與市場行業(yè)領(lǐng)航者合作,建立了信息共享和深度合作機(jī)制,實現(xiàn)了強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合。后期士蘭微電子將在商用電磁爐、電焊機(jī)、變頻器領(lǐng)域持續(xù)投入研發(fā),并瞄準(zhǔn)工業(yè)控制、汽車、電力等更高標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)市場逐步推進(jìn)。

通過耕耘細(xì)分市場,并與部分家電制造企業(yè)進(jìn)行了深入地交流合作,士蘭微電子打破了國外公司對于IGBT器件的長期壟斷,產(chǎn)品處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。經(jīng)過客戶的積極配合和反復(fù)驗證,士蘭微電子所開發(fā)的IGBT已在多個領(lǐng)域通過了客戶的嚴(yán)格測試并導(dǎo)入量產(chǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:【成員風(fēng)采】創(chuàng)新性技術(shù)工藝研發(fā)!士蘭微電子推出1350V RC-IGBT

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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