5月16日上午，濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項目開工活動在濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟南國際醫(yī)學中心，是濟南實施北跨發(fā)展和新舊動能轉(zhuǎn)換先行區(qū)的橋頭堡。小鎮(zhèn)總占地面積約4900畝，將分“科技創(chuàng)新孵化區(qū)”、“產(chǎn)業(yè)先進智造區(qū)”和“半導體生態(tài)科技城”三大功能區(qū)，打造寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)技術領先高地。

濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)被省市列入新舊動能轉(zhuǎn)換產(chǎn)業(yè)布局，山東省將“支持濟南發(fā)展以碳化硅為代表的寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)，建設寬禁帶半導體小鎮(zhèn)，打造全球領先的寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)高地?！奔{入《山東省新一代信息技術產(chǎn)業(yè)專項規(guī)劃（2018-2022年）》。濟南市政府出臺《濟南市支持寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展的若干政策措施 》，明確在濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)規(guī)劃建設寬禁帶半導體小鎮(zhèn)，著力打造具有國際影響力的寬禁帶半導體研發(fā)基地和產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。

濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)將建成國際先進的（超）寬禁帶半導體研發(fā)、檢測和服務公共平臺，培育、引進一批掌握核心技術、具有國際競爭力和影響力的品牌企業(yè)；帶動形成基于寬禁帶半導體的電力電子、微波電子、大功率半導體照明生產(chǎn)、應用系統(tǒng)為核心的千億級產(chǎn)業(yè)集群，推動新舊動能轉(zhuǎn)換。 ”槐蔭區(qū)工業(yè)園區(qū)相關負責人表示。

據(jù)了解， 小鎮(zhèn)起步區(qū)規(guī)劃用地面積202.1畝，規(guī)劃建筑面積37.5萬平方米，主要包括建設寬禁帶半導體研發(fā)總部，打造國際領先的研發(fā)平臺，正在籌建的山東大學濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)研究院設在研發(fā)樓；建設標準廠房，引進高質(zhì)量寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)項目并為孵化項目提供載體；同時配套專家公寓，服務于小鎮(zhèn)引進的高科技人才。建成后將承接京津冀和環(huán)渤海都市圈、半島藍色經(jīng)濟帶產(chǎn)業(yè)升級，成為濟南市乃至全省的科技創(chuàng)新策源地、新動能先行示范區(qū)、科技助力城市升級的典范。

下一步，小鎮(zhèn)將以打造半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈、建立寬禁帶半導體技術領先高地、構(gòu)建寬禁帶半導體創(chuàng)新應用集群為發(fā)展路徑，分近中遠三期推進：近期（到2022年）以初具雛形、特色顯現(xiàn)為目標，形成寬禁帶半導體技術引領高地；中期（到2025年）以規(guī)模集聚、生態(tài)塑造為目標，形成寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈；遠期（到2030年）以全國知名、應用拓展為目標，形成寬禁帶半導體應用領域集群，全面打造成為技術引領、生態(tài)完善、應用拓展的山東領先、全國知名寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)特色小鎮(zhèn)。