對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)查顯示，第一季存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)持續(xù)受到外部總體經(jīng)濟(jì)因素的干擾，終端需求持續(xù)不振，客戶庫(kù)存去化速度緩慢，三大存儲(chǔ)產(chǎn)品DRAM、NAND Flash和NOR Flash不僅出貨量下滑，平均銷(xiāo)售單價(jià)也是較去年第四季大幅滑落20%。從去年第四季到今年第一季一路以來(lái)的疲軟態(tài)勢(shì)讓存儲(chǔ)廠商運(yùn)營(yíng)備感壓力，獲利能力嚴(yán)重縮水，紛紛各自宣布減產(chǎn)的計(jì)劃來(lái)降低供過(guò)于求的沖擊，據(jù)統(tǒng)計(jì)，第一季整體存儲(chǔ)行業(yè)的產(chǎn)值達(dá)到275.4億美元，較去年第四季同期減少27%外，同比更是重重的衰退了30%，創(chuàng)下近七年來(lái)衰退幅度最高的一個(gè)季度，全存儲(chǔ)行業(yè)持續(xù)面臨收縮格局。

第二季度從需求面上來(lái)看，智能型手機(jī)新機(jī)備貨效應(yīng)逐漸增溫、個(gè)人計(jì)算機(jī)CPU缺貨的情況逐月好轉(zhuǎn)，而備受矚目的服務(wù)器需求也在回溫，客戶手中庫(kù)存去化狀況持續(xù)。而目前對(duì)于下半年服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的標(biāo)案上也可看出下半年的服務(wù)器市場(chǎng)是呈現(xiàn)穩(wěn)步上升的格局；從供給面上來(lái)看，從去年第四季到今年第一季各家廠商減產(chǎn)的效應(yīng)也將陸續(xù)發(fā)酵，扣除掉原本半導(dǎo)體工藝制程微縮的進(jìn)度外，對(duì)于第二季和下半年的產(chǎn)出增加有明顯減緩的趨勢(shì)，因此我們預(yù)期DRAM價(jià)格的跌幅從第一季的30%收斂至第二季的20%，NAND Flash價(jià)格的跌幅也從第一季的20%減緩至第二季的15%以內(nèi)，NOR Flash的價(jià)格跌幅也從第一季的10-15%區(qū)間收斂至10%以內(nèi)，整體第二季存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)大環(huán)境有改善。

根據(jù)對(duì)供應(yīng)鏈業(yè)者的訪談，受到近期外部貿(mào)易紛爭(zhēng)的影響，原先對(duì)于下半年展望較為樂(lè)觀的廠商態(tài)度也轉(zhuǎn)趨保守，考慮到供應(yīng)鏈重新配置和國(guó)外市場(chǎng)的不確定性升高，下半年的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也無(wú)法過(guò)于樂(lè)觀看待，價(jià)格要止跌反彈的難度相當(dāng)高，能夠維持穩(wěn)健的緩跌格局就已經(jīng)是萬(wàn)幸，因此我們預(yù)估第三季與第四季單季DRAM價(jià)格跌幅將從第二季的20%再進(jìn)一步收斂至10%以內(nèi)，第三季與第四季單季NAND Flash價(jià)格跌幅也可望從第二季的15%減緩至5%以內(nèi)，至于NOR Flash可從10%的跌幅進(jìn)一步改善至5%以內(nèi)的跌幅，但后續(xù)產(chǎn)業(yè)的變化仍將視外部經(jīng)濟(jì)大環(huán)境而定。

從中國(guó)存儲(chǔ)業(yè)者的進(jìn)展來(lái)看，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在DRAM產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)上持續(xù)不懈的努力，第一代產(chǎn)品為19納米的DDR4顆粒，首發(fā)目標(biāo)瞄準(zhǔn)的是成長(zhǎng)潛力較大的服務(wù)器市場(chǎng)和內(nèi)需市場(chǎng)較大的手機(jī)市場(chǎng)，而目前12吋廠第一期工程的建設(shè)持續(xù)中，產(chǎn)能規(guī)劃為每個(gè)月12萬(wàn)5千片；另一方面長(zhǎng)江存儲(chǔ)則在NAND Flash的進(jìn)展穩(wěn)健前進(jìn)，去年推出能夠提高I/O速度的XTtacking的技術(shù)后，今年下半年預(yù)期將推出第二代的XTtacking，能夠提供比傳統(tǒng)3D-NAND Flash更高的存儲(chǔ)密度，而之前公司計(jì)劃在今年底前量產(chǎn)64層堆棧的3D-NAND的計(jì)劃目前維持不變，后續(xù)成長(zhǎng)可期。

DRAM行業(yè)

從第一季度各家DRAM業(yè)者的營(yíng)運(yùn)報(bào)告和訪談中，我們可以看到第一季DRAM出貨量較去年第四季下滑約10%，平均銷(xiāo)售單價(jià)是環(huán)比減少了25%的水平，三星、海力士和美光這三大巨頭的DRAM產(chǎn)品毛利維持在50%以上。而市場(chǎng)占有率廠商排名沒(méi)有變動(dòng)，三星市占率重新站穩(wěn)30%的關(guān)卡。就制程而言，三星1x納米工藝制程的比重已突破50%外，海力士與美光的1x納米比重從后面追趕的態(tài)勢(shì)在加快，后續(xù)1ynm納米工藝將從下半年開(kāi)始量產(chǎn)。此外在整個(gè)產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品組合上，手機(jī)內(nèi)存依舊為最大宗，占比達(dá)到了40%，而后續(xù)依次為服務(wù)器內(nèi)存的30%和個(gè)人計(jì)算機(jī)內(nèi)存的15%，至于利基型內(nèi)存產(chǎn)品則是大約有15%的份額。整體來(lái)看，DRAM產(chǎn)品毛利高出NAND Flash產(chǎn)品許多，因此這也是在整個(gè)大存儲(chǔ)環(huán)境不佳的情況下，近期DRAM價(jià)格跌幅明顯高出NAND Flash的眾多原因之一，同時(shí)我們也預(yù)期今年DRAM整體產(chǎn)業(yè)出貨量較去年僅成長(zhǎng)18%。

NAND Flash行業(yè)

跟DRAM相較，NAND Flash行業(yè)的狀況就更為凄慘。第一季各家NAND Flash供貨商的產(chǎn)品毛利潤(rùn)雖然還能夠維持20%以上的水平，但凈利潤(rùn)均為負(fù)數(shù)意味著已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入虧錢(qián)的階段，這也是為什么NAND Flash廠商當(dāng)中宣布減產(chǎn)的家數(shù)和規(guī)模都大于其他存儲(chǔ)產(chǎn)品公司的最主要因素。從需求面來(lái)看，價(jià)格的下滑成功刺激了平均搭載量的提升，目前筆記本電腦的SSD容量已拉升至256GB起跳，智能機(jī)ROM的容量也普遍提升至64GB甚至128GB以上，但供給面上因?yàn)楦骷?4層堆棧的3D-NAND Flash良率都已進(jìn)入成熟階段，產(chǎn)出增加的速度跟幅度增快不少，再后續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)下一個(gè)世代96層堆棧的產(chǎn)品的時(shí)程逼近下，現(xiàn)階段廠商也只有減產(chǎn)一途來(lái)稍緩減少市場(chǎng)供過(guò)于求的沖擊，預(yù)期減產(chǎn)的措施將從第二季后半段開(kāi)始發(fā)酵。因此我們也將今年NAND Flash整體行業(yè)的出貨量年成長(zhǎng)率從原先39%降至34%。

另外值得觀察的是，受到網(wǎng)通市場(chǎng)的疲軟和設(shè)備標(biāo)案的取消，在這兩個(gè)季度SLC利基型產(chǎn)品的市場(chǎng)面臨到明顯的沖擊，以至于讓已SLC產(chǎn)品為運(yùn)營(yíng)主軸的大中華區(qū)廠商吃足苦頭。

NOR Flash

第一季NOR Flash產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值較去年第四季衰退12%(同比衰退13%)，來(lái)到5.5億美元的規(guī)模，已經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度產(chǎn)值下滑。其中下滑最大的因素來(lái)自于手機(jī)、網(wǎng)通與一般消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求的疲軟與庫(kù)存水位偏高，而車(chē)載及工業(yè)控制比重較高的廠商則相對(duì)影響幅度較小，而第二季度NOR Flash市場(chǎng)供需有開(kāi)始好轉(zhuǎn)的跡象，除了NOR Flash廠商暫停擴(kuò)張產(chǎn)能外，需求端上新手機(jī)的備貨需求帶動(dòng)相關(guān)周邊芯片對(duì)于NOR Flash的需求增溫，也讓第二季度NOR Flash的價(jià)格跌幅減緩為10%以內(nèi)。