作為目前SSD和多數(shù)存儲(chǔ)設(shè)備的技術(shù)基礎(chǔ)，閃存顆粒的價(jià)格隨著技術(shù)的進(jìn)步必然是朝著更加低廉的方向前進(jìn)的。不久的過(guò)去，當(dāng)TLC閃存面世之后，曾經(jīng)引發(fā)過(guò)一場(chǎng)持續(xù)至今的爭(zhēng)論。而就在我們還沉浸在MLC還是TLC的選擇問(wèn)題時(shí)，更加“喪心病狂”的QLC閃存已經(jīng)來(lái)到了我們的面前。我們剛剛拿到了一款來(lái)自三星的860QVO 容量為1TB，這是三星首款QLC閃存顆粒的SSD產(chǎn)品。那么它的表現(xiàn)究竟如何呢？

什么是QLC？

NAND閃存的基礎(chǔ)單元被稱作Cell，如果每個(gè)Cell只存儲(chǔ)一個(gè)bit的數(shù)據(jù)也就是傳統(tǒng)的SLC（Single-Level Cell ）顆粒，如果存儲(chǔ)2bit數(shù)據(jù)則稱為MLC（Multi-Level Cell）顆粒，以此類推，TLC（Trinary-Level Cell）則為3bit，而QLC每個(gè)Cell中的數(shù)據(jù)達(dá)到了4bit。隨著bit數(shù)量的增加，帶來(lái)的好處是同樣規(guī)模的顆?？梢源鎯?chǔ)更多的數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)SSD容量上的大規(guī)模提升。而這樣帶來(lái)的副作用是更繁瑣的尋址帶來(lái)的快速老化和同容量下更低的性能。

三星首款QLC SSD ——860QVO

860QVO是三星首款QLC閃存的產(chǎn)品，考慮到QLC的特性，所以為了實(shí)現(xiàn)比較高的性能，三星選擇了大容量策略，容量1TB起步，最高達(dá)到4TB。

目前上市的僅有2.5英寸SATA3接口的版本，M.2接口和MSATA接口的版本暫未上市。

拆開(kāi)外殼我們可以看到這款容量高達(dá)1TB的SSD產(chǎn)品僅采用了一塊大小僅相當(dāng)于兩張多一點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)SD卡大小的PCB。而更夸張的是使用單芯片封裝實(shí)現(xiàn)了1TB的容量。

這顆64層堆疊的4bit MLC（QLC）NAND芯片的容量達(dá)到了1TB！官方質(zhì)保的壽命為360TBW或三年，也就是360次全盤寫(xiě)入，是相同容量860EVO 600TBW的一半。但如果算下來(lái)的話，每天的寫(xiě)入量需要達(dá)到328GB才可以在三年內(nèi)消耗完，這樣的壽命很顯然還是非常夠用的。

背部還預(yù)留了一個(gè)空焊的位置，估計(jì)2TB版本將共享同款PCB。

主控采用了三星的MJX主控，基于ARM架構(gòu)，與860evo使用的為同系列產(chǎn)品。

860QVO采用了一顆1GB的DDR4緩存。除此之外，三星還準(zhǔn)備了6GB的模擬SLC緩存和36GB-72GB的智能緩存來(lái)保證日常速度。

官方標(biāo)稱數(shù)據(jù)方面，1TB版的持續(xù)讀取性能為550MB/s，持續(xù)寫(xiě)入性能為520MB/s。4K隨機(jī)讀寫(xiě)（QD32）性能達(dá)到96K和86K IOPS。

基準(zhǔn)性能測(cè)試

可以看到，支持了S.M.A.R.T，NCQ以及TRIM功能，DevSleep也沒(méi)有缺席。

首先是娛樂(lè)性質(zhì)的ASSD Benchmark，可以看到持續(xù)寫(xiě)入和4K性能都和普通的SATA TLC產(chǎn)品沒(méi)什么兩樣。

可以看到，4K性能約91K和86K IOPS，與標(biāo)稱值比較接近。

而在CrystalDiskMark 中，性能表現(xiàn)也相當(dāng)一致，560 MB/s和528MB/s的跑分超過(guò)了官方數(shù)據(jù)。

TxBench的跑分同樣是560MB/s和528MB/s。4K性能也達(dá)到了標(biāo)稱值。

ATTO的測(cè)試成績(jī)同樣是560MB和528MB/s，表現(xiàn)非常一致。

三星的Magician工具還提供了RAPID模式的選項(xiàng)，將一部分內(nèi)存用作SSD緩存使用，從而實(shí)現(xiàn)大幅度的性能提升。

開(kāi)啟RAPID模式之后，持續(xù)讀寫(xiě)和4K性能都有著非?？鋸埖男阅芴嵘?。

大容量寫(xiě)入性能測(cè)試

以上就是我們?nèi)粘?duì)SSD的一些日常跑分，但這都是在SLC緩存和智能緩存的范圍內(nèi)進(jìn)行的測(cè)試，成績(jī)表現(xiàn)不錯(cuò)意味著可以保證日常使用的良好體驗(yàn)。但如果超出了這部分緩存之后，QLC的性能是否能夠滿足需求呢？我們來(lái)進(jìn)行一下相關(guān)的測(cè)試。

首先我們進(jìn)行全盤寫(xiě)入，可以看到在80GB左右出現(xiàn)了大幅度的寫(xiě)入性能衰減，這意味著已經(jīng)超出了模擬緩存的范圍，在寫(xiě)滿SLC緩存之后，三星860QVO的寫(xiě)入性能降低到了在75MB/s左右。

我們將一個(gè)含有154個(gè)文件共50.3GB的文件夾從高性能的NVME SSD拷貝到860QVO中，可以看到，在7GB左右出現(xiàn)了顯著的寫(xiě)入性能下降，從500MB左右的速度降低到了75.8MB/s，QLC顆粒的性能被真實(shí)的展現(xiàn)了出來(lái)。

總結(jié)

通過(guò)我們的測(cè)試來(lái)看，如果是日常的小文件讀寫(xiě)以及游戲、軟件所需要的零碎文件讀寫(xiě)工作，有智能緩存技術(shù)加持的860QVO可以滿足需要。且與普通的TLC SSD并不會(huì)有顯著的區(qū)別。但不可否認(rèn)的是，QLC顆粒本身的特質(zhì)決定了在超出SLC緩存區(qū)之后的寫(xiě)入性能僅與機(jī)械硬盤相當(dāng)，并不適合大型文件的連續(xù)寫(xiě)入。比較適合作為倉(cāng)庫(kù)盤存儲(chǔ)冷數(shù)據(jù)。