由現(xiàn)行SOI（Silicon on Insulator）晶圓與代工制造情形，可大致了解SOI變化趨勢(shì)及重點(diǎn)地區(qū)，并借此探討目前的發(fā)展現(xiàn)況與未來(lái)規(guī)劃。

以SOI晶圓供應(yīng)商為例，著重于歐洲、日本與***地區(qū)等廠商，其投入大量資源并對(duì)該晶圓生成技術(shù)著墨已久。

另外，SOI代工廠商則以歐洲、韓國(guó)及中國(guó)大陸等地區(qū)為主，在SOI晶圓制造發(fā)展上已導(dǎo)入較多研發(fā)費(fèi)用及廠房設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)。

整體而言，后續(xù)SOI晶圓生成及代工制造，較看好RF-SOI相關(guān)制程技術(shù)的發(fā)展。

法國(guó)SOITEC為最大SOI晶圓供應(yīng)商，但目前FD-SOI晶圓需求仍不明顯

根據(jù)SOI晶圓供應(yīng)商區(qū)域及技術(shù)分布圖，現(xiàn)行SOI晶圓供應(yīng)商有法國(guó)SOITEC、日本信越（Shin-Etsu）、臺(tái)系環(huán)球晶、陸系上海新傲、芬蘭Okmetic、日本勝高（SUMCO）與新創(chuàng)廠商臺(tái)系華硅創(chuàng)新，其中SOI晶圓應(yīng)用以RF-SOI、Power-SOI及FD-SOI為主，并以6～12寸的SOI晶圓為生產(chǎn)尺寸。

SOI晶圓生成技術(shù)雖集中于歐洲、日本與***地區(qū)等，SOI生成技術(shù)龍頭卻由法國(guó)SOITEC拿下，囊括SOI晶圓生成總產(chǎn)量70%以上市占率，所以對(duì)于此生成技術(shù)的應(yīng)用及發(fā)展，法國(guó)SOITEC擁有極高話語(yǔ)權(quán)，目前已針對(duì)FD-SOI、RF-SOI及Power-SOI等晶圓生成技術(shù)為主要。

至于其他晶圓廠，現(xiàn)階段嘗試取代線寬較大之FinFET元件所開(kāi)發(fā)的FD-SOI晶圓技術(shù)則有日本信越、芬蘭Okmetic及臺(tái)系環(huán)球晶等廠商，且相繼投入晶圓生產(chǎn)開(kāi)發(fā)上；盡管已有許多廠商投入晶圓開(kāi)發(fā)，但若以市場(chǎng)需求觀察，則可發(fā)現(xiàn)元件發(fā)展現(xiàn)況似乎受阻，由于未有明顯的元件需求，F(xiàn)D-SOI晶圓供貨量可能趨緩。

另外，各廠在龍頭大廠法國(guó)SOITEC帶領(lǐng)下，提高對(duì)射頻前端元件的發(fā)展興趣，逐漸朝RF-SOI晶圓生成技術(shù)發(fā)展，后續(xù)將搭配5G通訊發(fā)展，使該生成技術(shù)逐漸受到重視。

格芯為最大SOI代工制造商，搭配5G通訊RF-SOI元件后續(xù)看好

再由SOI主要代工廠商區(qū)域及技術(shù)分布圖可知，SOI代工廠商發(fā)展主要以美國(guó)格芯、韓國(guó)Samsung、瑞士STM、***地區(qū)聯(lián)電、以色列TowerJazz、大陸地區(qū)華虹宏力與中芯國(guó)際等，以6～12寸SOI晶圓進(jìn)行加工，且制程技術(shù)將著重于FD-SOI與RF-SOI等代工上。

現(xiàn)行SOI代工廠商發(fā)展以歐洲、韓國(guó)及中國(guó)等地區(qū)最顯著；其中，SOI晶圓代工廠霸主為美國(guó)格芯，其制程工廠大多集中于德國(guó)及新加坡等地區(qū)，目前已有FD-SOI、RF-SOI晶圓等先進(jìn)制程技術(shù)，但由于格芯內(nèi)部營(yíng)運(yùn)問(wèn)題與FD-SOI元件需求量較不顯著，因此其成都廠預(yù)計(jì)將導(dǎo)入22nm之FD-SOI制程技術(shù)，并于2018年底傳出停工，后續(xù)發(fā)展還有待觀察。

另一方面，RF-SOI元件在射頻前端元件應(yīng)用上集中于Switch（開(kāi)關(guān)）、LNA（功率放大器）等元件，除了龍頭美國(guó)格芯已投入該領(lǐng)域研發(fā)外，現(xiàn)階段各廠大多有其相對(duì)應(yīng)的技術(shù)發(fā)展。整體來(lái)說(shuō)，2021～2022年5G通訊市場(chǎng)將蓬勃發(fā)展，由于5G頻寬大量增加，手機(jī)內(nèi)部需有更多的射頻前端元件支援，帶動(dòng)整體需求量，驅(qū)使RF-SOI元件產(chǎn)量逐步增長(zhǎng)、營(yíng)收上揚(yáng)。