在本周早些時候與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強勁需求表示了信心，該公司還概述了擴大產(chǎn)能的計劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進的工藝技術(shù)。

美光表示，“我們相信，受人工智能、自動駕駛汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng)等廣泛的長期趨勢驅(qū)動，記憶和存儲的長期需求前景引人注目”美光公司首席執(zhí)行官桑杰·梅赫特拉（Sanjay Mehrotra）說?！懊拦夤疽褱蕚浜美眠@些趨勢，創(chuàng)新產(chǎn)品，快速響應的供應鏈，與全球客戶建立良好關(guān)系?！?/p>

由于供應超過需求，近幾個季度DRAM價格大幅下跌。為了降低成本并為內(nèi)存的新應用的出現(xiàn)做好準備，DRAM制造商正在積極地轉(zhuǎn)向更新的工藝技術(shù)。與此同時，雖然承認他們需要平衡DRAM的供需，但他們實際上已經(jīng)制定了積極的產(chǎn)能擴張計劃，因為他們需要更多的潔凈室用于即將到來的制造技術(shù)。

美光公司在制造工藝方面擁有積極的路線圖，現(xiàn)在又增加了4個10納米級節(jié)點（總共6個10納米級技術(shù)），該公司正在研究最終向極紫外光刻（EUVL）的過渡。美光還在擴大其生產(chǎn)能力，以便為下一代應用生產(chǎn)下一代存儲器，即為消費級準備32 GB內(nèi)存模塊，為服務器準備64 GB DIMM。

本月早些時候，我們報道了美光的16 Gb DDR4內(nèi)存芯片，該芯片采用該公司的第二代10納米級制造工藝（也稱為1Y nm）生產(chǎn)。這些DRAM芯片已經(jīng)在用于威剛和英睿達的32 GB DDR4內(nèi)存條中，這些產(chǎn)品也將不久后上市。

▲美光旗下英睿達的32GB單條內(nèi)存

早在4月份，為了應對DRAM和新工藝技術(shù)需求的增加，美光存儲***（前雷克斯光電半導體）新潔凈室破土動工。

美光儲存（***）早已在使用美光的第一代10納米級制造技術(shù)（也稱為1X nm）制造DRAM產(chǎn)品，并將在不久的將來直接進入第3代10納米級工藝（又名1Z nm） 。與此同時，去年美光在臺中附近開辟了一個新的測試和包裝設(shè)施，創(chuàng)造了世界上唯一的垂直集成DRAM生產(chǎn)設(shè)施之一。

此外，美光公司宣布計劃在日本廣島附近的公廠內(nèi)投入20億美元用于新的潔凈室。據(jù)報道，新的產(chǎn)能將用于制造美光13納米工藝技術(shù)的DRAM。

總的來說，美光將擁有多個10納米級節(jié)點。除了目前使用的第一代和第二代10納米級工藝技術(shù)外，美光還計劃推出至少四種10納米級制造工藝：1Z，1α，1β和1γ。

目前，美光公司正在生產(chǎn)第二代10納米級制造工藝（即1Y nm），包括該公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲器件。

該公司的下一代1Z nm目前已獲得客戶的認可（即，他們正在測試使用該工藝生產(chǎn)的各種芯片），預計將在近期宣布，該技術(shù)將用于生產(chǎn)16 Gb LPDDR5存儲器件以及DDR5存儲器件。

繼1Z nm節(jié)點之后，美光計劃開始使用其1αnm制造技術(shù)以獲得更高的產(chǎn)量，這意味著它正處于后期開發(fā)階段。之后是1βnm制造工藝，該工藝也是處于早期開發(fā)階段。

美光沒有說明在1γnm工藝之后是否會直接進入EUV。該公司正在評估ASML的Twinscan NXE步進掃描功能以及使用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)所需的其他設(shè)備，并正在評估這些工具何時可用于制造DRAM。