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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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動態(tài)

  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 20:35

    ELM1314-30F/001 Ku波段內(nèi)部匹配FET

    產(chǎn)品型號:ELM1314-30F/001 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM1314-30F/001 名稱:IMFET GaAs 砷化鎵IMFET
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 20:25

    FLM1011-12F/101 X、 Ku波段內(nèi)部匹配FET

    產(chǎn)品型號:FLM1011-12F/101 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM1011-12F/101 名稱: IMFET GaAs 砷化鎵IMFET
    137瀏覽量
  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 20:14

    F657-4450-8F C波段內(nèi)部匹配FET

    產(chǎn)品型號:F657-4450-8F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:F657-4450-8F 名稱:IMFET GaAs 砷化鎵IMFET
    176瀏覽量
  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:59

    SMC2933L6012R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器

    產(chǎn)品型號:SMC2933L6012R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SMC2933L6012R 名稱:GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
    136瀏覽量
  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:52

    SMC2933L1512R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器

    產(chǎn)品型號:SMC2933L1512R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SMC2933L1512R 名稱:GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
    101瀏覽量
  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:42

    SGCA100M1H DC-4GHz高功率GaN HEMT

    產(chǎn)品型號:SGCA100M1H 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SGCA100M1H 名稱:GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
    158瀏覽量
  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:32

    SG38K30S-D 高壓塑料模GaN HEMT

    產(chǎn)品型號:SG38K30S-D 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SG38K30S-D 名稱:GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
    131瀏覽量
  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:25

    SG38K30S-DT 高壓塑料模GaN HEMT

    產(chǎn)品型號:SG38K30S-DT 廠家: Sumitomo Electric Device Inno 型號:SG38K30S-DT 名稱:GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
    137瀏覽量
  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:19

    SG38K30S-DT1 高壓塑料模GaN HEMT

    產(chǎn)品型號:SG38K30S-DT1 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SG38K30S-DT1 名稱:GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
    211瀏覽量
  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:09

    F658-H130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT

    產(chǎn)品型號:F658-H130M1H 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:F658-H130M1H 名稱:GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
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企業(yè)信息

認證信息: 立年電子科技

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