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• 發(fā)布了文章 2025-10-17 16:24

  ZG6288A-G：解密高性能集成驅(qū)動芯片的技術(shù)內(nèi)核與應(yīng)用價值

  

  在功率電子與嵌入式控制領(lǐng)域，芯片型號的細(xì)微后綴往往承載著關(guān)鍵性能升級。ZG6288A-G作為一款標(biāo)注特殊后綴的集成化芯片，從命名體系推測，其大概率是ZG6288A基礎(chǔ)型號的衍生升級版本，在保持核心架構(gòu)優(yōu)勢的同時，針對工業(yè)可靠性、環(huán)境適應(yīng)性或功能集成度進(jìn)行了專項優(yōu)化。這款芯片憑借精準(zhǔn)的參數(shù)配置、強(qiáng)化的性能特性及廣泛的場景適配能力，正在電機(jī)驅(qū)動、智能控制等領(lǐng)域展

  MOS 場效應(yīng)管 電子元器件

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-17 10:46

  中科微電ZK30N100G

  

  產(chǎn)品型號：ZK30N100G V DSS：30 V GS (th)_：1.5 典型導(dǎo)通電阻：3.8

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-17 10:28

  中科微電ZK30N100T

  

  產(chǎn)品型號：ZK30N100T 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V、3.3V 封裝：SOP8

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• 上傳了資料 2025-10-17 10:24

  中科微電ZK30N100T

  MOS 場效應(yīng)管 電子元器件

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-17 10:10

  中科微電ZK2131

  

  產(chǎn)品型號：ZK2131 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V/3.3V 封裝：SOP8

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• 上傳了資料 2025-10-17 10:06

  中科微電ZG2131

  MOS 場效應(yīng)管 驅(qū)動芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-10-17 09:47

  中科微電ZG2131：300V驅(qū)動芯片國產(chǎn)化替代的實戰(zhàn)樣本

  

  中科微電ZG2131的崛起，標(biāo)志著國產(chǎn)驅(qū)動芯片從“可替代”向“優(yōu)替代”的跨越。它不僅打破了進(jìn)口芯片的市場壟斷，更重塑了行業(yè)對國產(chǎn)芯片的認(rèn)知——國產(chǎn)器件不再是“無奈之選”，而是“優(yōu)化之選”。

  MOS 電子元器件 驅(qū)動

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• 發(fā)布了文章 2025-10-16 15:14

  中科微電ZG6287A：高效能電子系統(tǒng)的“隱形調(diào)控中樞”

  

  盡管ZG6287A的完整參數(shù)尚未公開，但其承載的中科微電技術(shù)基因已勾勒出“高效、可靠、多場景適配”的產(chǎn)品畫像。在電子系統(tǒng)對電能調(diào)控要求日益嚴(yán)苛的今天，這類高集成度、高穩(wěn)定性的電源管理器件，將成為推動消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域升級的核心力量。隨著中科微電對產(chǎn)品技術(shù)的持續(xù)優(yōu)化，ZG6287A有望在更多細(xì)分場景中實現(xiàn)突破，為國產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新動能。

  MOS MOSFET 場效應(yīng)管 電子元器件

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• 發(fā)布了文章 2025-10-16 14:56

  中科微電Mos管ZK30N100T：30V低壓大電流領(lǐng)域的性能典范

  

  中科微電ZK30N100T以30V低壓、90A大電流的精準(zhǔn)參數(shù)組合，結(jié)合低損耗、高穩(wěn)定、易集成的核心優(yōu)勢，在消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了廣泛應(yīng)用，不僅為終端設(shè)備提供了高效可靠的功率控制解決方案，更在低壓大電流Mos管國產(chǎn)替代進(jìn)程中發(fā)揮了重要作用。

  MOS 場效應(yīng)管 電子元器件

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-15 17:55

  中科微電MOS管ZK30N100G 30V 90A

  

  產(chǎn)品型號：ZK30N100G BVdss：30V ID：90A Typ：3.4

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