動態(tài)
-
發(fā)布了文章 2025-08-05 17:50
-
發(fā)布了文章 2025-08-05 17:50
-
發(fā)布了文章 2025-08-05 17:49
-
發(fā)布了文章 2025-08-05 17:49
-
發(fā)布了文章 2025-08-05 17:49
-
發(fā)布了文章 2025-08-05 17:49
-
發(fā)布了文章 2025-08-05 17:49
-
發(fā)布了文章 2025-08-05 17:49
-
發(fā)布了文章 2025-08-05 17:48
白光掃描干涉法在先進半導(dǎo)體封裝混合鍵合表面測量中的應(yīng)用研究
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷縮小,三維(3D)封裝技術(shù)已成為延續(xù)摩爾定律的重要途徑。銅-介質(zhì)混合鍵合(HybridBonding)通過直接連接銅互連與介電層,實現(xiàn)了高密度、低功耗的異質(zhì)集成。然而,化學(xué)機械拋光(CMP)工藝引入的納米級表面形貌變化(如銅凹陷/凸起)會顯著影響鍵合質(zhì)量。傳統(tǒng)測量方法如原子力顯微鏡(AFM)雖然具有埃級分辨率,但其接觸式測量方式存在1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-08-05 17:48