金鑒實驗室文章

• 機械沖擊試驗參數(shù)選擇指南2025-04-15 15:48

  

  機械沖擊試驗是力學(xué)環(huán)境試驗中極為關(guān)鍵的檢測手段。它以瞬間性和破壞性為特點，主要用于評估電工電子元器件、設(shè)備及其他產(chǎn)品在實際使用和運輸過程中抵御非多次重復(fù)機械沖擊的能力。通過該試驗，可以判斷產(chǎn)品對沖擊環(huán)境的適應(yīng)性和結(jié)構(gòu)的完整性。沖擊方向的確定在進行機械沖擊試驗時，沖擊方向的確定是基礎(chǔ)且關(guān)鍵的一步。通常情況下，沖擊測試的方向涵蓋三個相互垂直的正反向，具體而言，即

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• PCB紅墨水試驗的作用2025-04-14 16:07

  

  在電子制造領(lǐng)域，PCB的質(zhì)量直接影響到電子設(shè)備的性能與可靠性。PCB紅墨水試驗的主要作用包括以下3個方面：檢測焊點完整性焊點的完整性是PCB質(zhì)量的關(guān)鍵指標之一。在PCB紅墨水試驗中，通過將PCB浸泡在紅墨水中，可以利用紅墨水的滲透性來檢測焊點內(nèi)部的情況。當焊點完整時，紅墨水無法滲透到焊點內(nèi)部，焊點表面會被紅墨水均勻覆蓋；然而，如果焊點存在裂縫、空洞等缺陷，紅

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• 聚焦離子束技術(shù)的原理和應(yīng)用2025-04-11 22:51

  

  聚焦離子束（FIB）技術(shù)在納米科技里很重要，它在材料科學(xué)、微納加工和微觀分析等方面用處很多。離子源：FIB的核心部件離子源是FIB系統(tǒng)的關(guān)鍵部分，液態(tài)金屬離子源（LMIS）用得最多，特別是鎵（Ga）離子源。鎵的熔點低，能形成穩(wěn)定的液態(tài)金屬源，而且鎵離子聚焦性能好，能聚焦成很細的束斑，用來精確加工和分析材料。在離子源里，金屬離子被電場加速和聚焦，形成高能、高精

  fib 掃描系統(tǒng) 離子束 829瀏覽量

• 什么是AEC-Q200認證2025-04-10 12:17

  

  AEC-Q200認證是由汽車電子協(xié)會（AutomotiveElectronicsCouncil，簡稱AEC）制定的一套標準，其目的在于確保汽車電子部件的可靠性和質(zhì)量。AEC是由克萊斯勒、福特和通用汽車等主要汽車制造商與美國主要部件制造商共同成立的組織，旨在為車載電子部件的可靠性和認定標準的規(guī)格化提供統(tǒng)一的標準。在2023年3月20日，AEC發(fā)布了最新的無源元

  AEC 汽車電子 認證 1520瀏覽量

• 恒溫試驗：產(chǎn)品性能的關(guān)鍵檢測方法2025-04-10 12:15

  

  恒溫試驗簡介恒溫試驗是通過在特定溫度條件下對各類材料、產(chǎn)品和設(shè)備進行測試，以評估其性能穩(wěn)定性和可靠性的一種實驗方法。恒溫試驗?zāi)M了產(chǎn)品在實際使用中可能遇到的溫度環(huán)境，是確保產(chǎn)品在不同環(huán)境下都能正常工作的關(guān)鍵手段，為產(chǎn)品的技術(shù)改進和性能提升提供了重要依據(jù)。核心參數(shù)與指標1.溫度范圍：試驗溫度通常介于-40℃至+150℃，但可根據(jù)具體需求調(diào)整。2.溫度均勻性：試

  PID 檢測 1072瀏覽量

• 聚焦離子束雙束系統(tǒng) FIB - SEM 的技術(shù)剖析與應(yīng)用拓展2025-04-10 11:53

  

  技術(shù)原理與核心優(yōu)勢聚焦離子束雙束系統(tǒng)（FIB-SEM）是一種集成多種先進技術(shù)的高端設(shè)備，其核心構(gòu)成包括聚焦離子束（FIB）模塊、掃描電子顯微鏡（SEM）模塊以及多軸樣品臺，這種獨特的結(jié)構(gòu)設(shè)計使得它能夠?qū)崿F(xiàn)加工與觀測的一體化操作，極大地提高了工作效率和分析精度。1.FIB模塊的關(guān)鍵作用FIB模塊采用液態(tài)金屬離子源（LMIS）產(chǎn)生鎵離子束（Ga?），這種鎵離子束

  fib SEM 離子束 1273瀏覽量

• RoHS、REACH 、無鹵的區(qū)別2025-04-08 17:58

  

  RoHS指令詳解RoHS（限制特定有害物質(zhì)）是歐盟為降低電子和電氣設(shè)備中有害物質(zhì)含量而實施的一項法規(guī)。該指令的主要目的是限制六種有害物質(zhì)的使用，以減少對環(huán)境和人類健康的影響。鉛（Pb）：不得超過0.1%（1000ppm），常見用途包括焊料、玻璃和PVC穩(wěn)定劑。汞（Hg）：不得超過0.1%（1000ppm），用于溫控器、傳感器等。鎘（Cd）：不得超過0.01%

  REACH RoHS 電氣設(shè)備 1909瀏覽量

• 熱膨脹系數(shù)測試2025-04-08 17:57

  

  熱膨脹系數(shù)測試是材料科學(xué)領(lǐng)域內(nèi)一項至關(guān)重要的實驗技術(shù)。熱膨脹系數(shù)測試的原理熱膨脹系數(shù)是衡量材料在溫度變化時尺寸（長度或體積）相對變化量的物理指標，具體定義為：當溫度升高1K時，材料尺寸相對于其原始尺寸的增量比例。熱膨脹系數(shù)的大小受多種因素影響，包括材料的化學(xué)構(gòu)成、鍵的牢固程度、結(jié)晶狀態(tài)、晶體取向、相轉(zhuǎn)變過程、內(nèi)部裂紋及缺陷等對于同一材料而言，熱膨脹系數(shù)并非恒

  測試 熱膨脹 2463瀏覽量

• 聚焦離子束技術(shù)之納米尺度2025-04-08 17:56

  

  聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡稱FIB）技術(shù)，宛如一把納米尺度的“萬能鑰匙”，在材料加工、分析及成像領(lǐng)域大放異彩。它憑借高度集中的離子束，精準操控離子束與樣品表面的相互作用，實現(xiàn)納米級別的精細操作，為眾多學(xué)科和工業(yè)領(lǐng)域帶來了前所未有的機遇。核心構(gòu)成FIB系統(tǒng)的核心在于離子束的生成與調(diào)控。生成用于撞擊樣品的離子束，其中最為普遍的離子源類型為液態(tài)金

  fib 離子束 納米 742瀏覽量

• 帶你一文了解芯片開封技術(shù)2025-04-07 16:01

  

  芯片開封的定義芯片開封，即Decap，是一種對完整封裝的集成電路（IC）芯片進行局部處理的工藝。其目的是去除芯片的封裝外殼，暴露出芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，同時確保芯片功能不受損。芯片開封是芯片故障分析實驗的重要準備環(huán)節(jié)，能夠保護芯片的Die、bondpads、bondwires及l(fā)ead等關(guān)鍵部分，為后續(xù)的失效分析測試提供便利，便于進行熱點定位、聚焦離子束（FIB）等

  激光 芯片 集成電路 1334瀏覽量