金鑒實(shí)驗(yàn)室文章

• 氬離子拋光：揭示材料微觀結(jié)構(gòu)2024-12-25 11:55

  

  氬離子拋光技術(shù)概述氬離子拋光技術(shù)是一種精密的材料表面處理方法，它通過精細(xì)調(diào)控氬離子束的深度和強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面的拋光，以消除表面損傷并展示材料的微觀結(jié)構(gòu)。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于多種分析儀器至關(guān)重要，包括掃描電子顯微鏡（SEM）、光學(xué)顯微鏡和掃描探針顯微鏡等，尤其是在進(jìn)行EDS、EBSD、CL、EBIC等高級(jí)分析時(shí)，高質(zhì)量的樣品表面是確保結(jié)果準(zhǔn)確性的關(guān)鍵。數(shù)調(diào)整氬離子

  SEM 顯微鏡 材料 1072瀏覽量

• Rohs 、REACH 、無鹵的區(qū)別2024-12-25 11:54

  

  RoHS指令詳解RoHS（限制特定有害物質(zhì)）是歐盟為降低電子和電氣設(shè)備中有害物質(zhì)含量而實(shí)施的一項(xiàng)法規(guī)。該指令的主要目的是限制六種有害物質(zhì)的使用，以減少對(duì)環(huán)境和人類健康的影響。具體限制物質(zhì)及其含量標(biāo)準(zhǔn)如下：鉛（Pb）：不得超過0.1%（1000ppm），常見用途包括焊料、玻璃和PVC穩(wěn)定劑。汞（Hg）：不得超過0.1%（1000ppm），用于溫控器、傳感器等。

  REACH RoHS 電氣設(shè)備 2834瀏覽量

• 紫外(UV)老化測(cè)試：7個(gè)關(guān)鍵問題解析2024-12-24 11:32

  

  紫外線對(duì)產(chǎn)品的影響在自然界中，陽(yáng)光中的紫外線是導(dǎo)致產(chǎn)品光降解和光老化的主要原因。這種無形的輻射不僅對(duì)人體健康構(gòu)成威脅，對(duì)產(chǎn)品的損害同樣不容忽視。產(chǎn)品或材料在加工、貯存及使用過程中，會(huì)受到光、熱、氧、機(jī)械應(yīng)力、臭氧、有害金屬離子、輻射等多種外界因素的影響，導(dǎo)致產(chǎn)品或材料內(nèi)部發(fā)生物理或化學(xué)變化，最終失去其原有的使用價(jià)值。太陽(yáng)光對(duì)產(chǎn)品的具體影響紫外線造成的損害類型

  太陽(yáng)光 紫外線 老化測(cè)試 1947瀏覽量

• 帶你一文了解什么是引線鍵合（WireBonding）技術(shù)？2024-12-24 11:32

  

  微電子封裝中的引線鍵合技術(shù)引線鍵合技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，它通過金屬線將半導(dǎo)體芯片與外部電路相連，實(shí)現(xiàn)電氣互連和信息傳遞。在理想條件下，金屬引線與基板之間的連接可以達(dá)到原子級(jí)別的鍵合，這種鍵合是通過電子共享或原子擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)的。引線鍵合與封裝技術(shù)在集成電路（IC）封裝中，引線鍵合是實(shí)現(xiàn)芯片與引線框架（基板）連接的關(guān)鍵技術(shù)。盡管倒裝焊和載帶自動(dòng)焊

  半導(dǎo)體芯片 引線鍵合 微電子封裝 3182瀏覽量

• 探索掃描電子顯微鏡下的能譜分析技術(shù)（EDX）2024-12-24 11:30

  

  掃描電子顯微鏡（SEM）以其在納米級(jí)別解析樣品的能力而聞名，它通過電子束與樣品的交互來收集信息。除了常見的背散射電子（BSE）和二次電子（SE）信號(hào)外，SEM還能檢測(cè)到其他多種信號(hào)，這些信號(hào)為研究者提供了樣品的深層信息。本文將深入探討SEM中的能譜（EDX）技術(shù)，揭示其工作原理。電子束與樣品的相互作用在SEM的運(yùn)作過程中，電子束與樣品表面的交互作用產(chǎn)生了一系

  SEM 顯微鏡 電子束 2330瀏覽量

• EBSD失效分析策略2024-12-24 11:29

  

  材料失效分析在材料科學(xué)和工程實(shí)踐中，失效分析扮演著至關(guān)重要的角色，它致力于探究產(chǎn)品或構(gòu)件在實(shí)際使用過程中出現(xiàn)的失效現(xiàn)象。這些現(xiàn)象可能表現(xiàn)為由多種因素引起的斷裂，例如疲勞、應(yīng)力腐蝕或環(huán)境誘導(dǎo)的脆性斷裂等。深入探究這些失效的原因，能夠幫助工程師和科學(xué)家有效控制風(fēng)險(xiǎn)，并預(yù)防未來的失效事件。金鑒實(shí)驗(yàn)室具備專業(yè)的測(cè)試設(shè)備，能夠?yàn)榭蛻籼峁┎牧鲜Х治?，以?yīng)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)帶

  失效分析 材料 測(cè)試設(shè)備 1237瀏覽量

• 離子污染度的測(cè)試方法2024-12-24 11:27

  

  離子污染對(duì)電子設(shè)備的影響電子技術(shù)迅猛發(fā)展的今天，電子設(shè)備的復(fù)雜性和集成度不斷攀升，電路板上的元件布局日益緊湊，線路間距縮小，這使得對(duì)電路板（PCB/PCBA）的清潔度要求變得更加嚴(yán)格。離子污染，作為影響電路板清潔度的關(guān)鍵因素，其控制和管理變得尤為關(guān)鍵。離子污染可能會(huì)引起離子遷移異常，進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)品失效，如腐蝕、短路等，據(jù)研究，因污染問題導(dǎo)致的電子產(chǎn)品失效率超過

  測(cè)試 電路板 1641瀏覽量

• FIB：芯片制造中的關(guān)鍵檢測(cè)工具2024-12-23 17:30

  

  聚焦離子束技術(shù)（FIB）在技術(shù)日新月異的當(dāng)代，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動(dòng)科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)的引擎。半導(dǎo)體器件在我們的日常生活中扮演著不可或缺的角色，無論是在通訊設(shè)備、交通工具還是醫(yī)療儀器中，它們都發(fā)揮著核心作用。隨著這些器件尺寸的日益微型化，對(duì)它們的精確診斷和修復(fù)技術(shù)提出了前所未有的挑戰(zhàn)。聚焦離子束技術(shù)（FIB）正是在這樣的需求下應(yīng)運(yùn)而生，成為解決這些難題的關(guān)鍵技

  fib 檢測(cè) 芯片制造 1926瀏覽量

• AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)下的分立半導(dǎo)體器件認(rèn)證2024-12-23 17:29

  

  AEC組織概述AEC（AutomotiveElectronicsCouncil）是由美國(guó)三大汽車制造商克萊斯勒、福特和通用汽車共同發(fā)起成立的組織，成立于1994年。該組織的目標(biāo)是建立一套全球性的汽車電子部件標(biāo)準(zhǔn)，其成員包括全球的汽車制造商、電子模塊生產(chǎn)商和元器件供應(yīng)商。AECQ101標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)述AECQ101標(biāo)準(zhǔn)是一套針對(duì)汽車用離散半導(dǎo)體元件的可靠性測(cè)試和認(rèn)證標(biāo)

  AEC 半導(dǎo)體 認(rèn)證 1412瀏覽量

• 微焊點(diǎn)金屬間化合物分析：EDS與EBSD技術(shù)應(yīng)用2024-12-23 17:28

  

  隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展，集成電路的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)經(jīng)歷了從簡(jiǎn)單的平面二維布局到復(fù)雜的三維堆疊結(jié)構(gòu)的重大轉(zhuǎn)變。這種轉(zhuǎn)變極大地增強(qiáng)了芯片的性能，并提高了其功能集成度。三維集成電路的實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵在于硅通孔技術(shù)（TSV），該技術(shù)允許不同層級(jí)的芯片實(shí)現(xiàn)垂直連接，從而創(chuàng)造出更為精密的芯片架構(gòu)。隨著焊點(diǎn)尺寸的持續(xù)減小，對(duì)焊料的選擇和焊接工藝提出了更高的要求，這為半導(dǎo)體行業(yè)帶來

  EDS 半導(dǎo)體 探測(cè)器 1539瀏覽量