新啟航半導(dǎo)體有限公司文章

• 碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機(jī)制研究2025-09-11 11:56

  

  一、引言 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝是實(shí)現(xiàn)碳化硅（SiC）襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，對提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要?？偤穸绕睿═TV）作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的核心指標(biāo)之一，其精確控制是 CMP 工藝的重要目標(biāo)。研究碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機(jī)制，有助于優(yōu)化工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn) TTV 厚度的精準(zhǔn)調(diào)控，推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。 二

  CMP 拋光 碳化硅 800瀏覽量

• 探針式與非接觸式碳化硅 TTV 厚度測量方法對比評測2025-09-10 10:26

  

  一、引言 碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，準(zhǔn)確測量 TTV 對保障器件性能至關(guān)重要。目前，探針式和非接觸式是碳化硅 TTV 厚度測量的兩種主要方法，深入對比評測二者特性，有助于選擇合適的測量方案，提升測量效率與準(zhǔn)確性。 二、測量原理 2.1 探針式測量原理 探針式測

  厚度測量 晶圓 碳化硅 1280瀏覽量

• 【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制方法2025-09-04 09:34

  

  摘要 本文圍繞碳化硅晶圓總厚度變化（TTV）厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制問題，深入分析二者的相互關(guān)系及對器件性能的影響，從工藝優(yōu)化、檢測反饋等維度提出協(xié)同控制方法，旨在為提升碳化硅襯底質(zhì)量、保障半導(dǎo)體器件性能提供技術(shù)方案。 引言 在碳化硅半導(dǎo)體制造中，TTV 厚度與表面粗糙度是衡量襯底質(zhì)量的重要指標(biāo)，直接影響器件的電學(xué)性能、熱性能及可靠性。TTV 厚度不

  器件 晶圓 碳化硅 908瀏覽量

• 碳化硅襯底 TTV 厚度測量技術(shù)的最新發(fā)展趨勢與未來展望2025-09-01 11:58

  

  摘要 本文聚焦碳化硅襯底晶圓總厚度變化（TTV）厚度測量技術(shù)，剖析其在精度提升、設(shè)備小型化及智能化測量等方面的最新發(fā)展趨勢，并對未來在新興應(yīng)用領(lǐng)域的拓展及推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的前景進(jìn)行展望，為行業(yè)技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用提供參考思路。 引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，碳化硅襯底憑借其優(yōu)異的物理特性，如高擊穿電場、高熱導(dǎo)率等，成為制造高性能功率器件和射頻器件的關(guān)鍵材料。而 TTV

  晶圓 測量 1043瀏覽量

• 【新啟航】便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備的性能與適用場景2025-08-29 14:43

  

  摘要 本文圍繞便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備，深入分析其測量精度、速度、便攜性等性能指標(biāo)，并結(jié)合半導(dǎo)體生產(chǎn)車間、科研實(shí)驗(yàn)室、現(xiàn)場檢測等場景，探討設(shè)備的適用性，旨在為行業(yè)選擇合適的測量設(shè)備提供參考依據(jù)。 引言 隨著碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對碳化硅襯底晶圓總厚度變化（TTV）的精確測量需求日益增長。傳統(tǒng)測量設(shè)備多為大型臺(tái)式儀器，存在使用場景受限、無法

  晶圓 測量設(shè)備 碳化硅 1115瀏覽量

• 【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量的特殊采樣策略2025-08-28 14:03

  

  摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量需求，分析常規(guī)采樣策略的局限性，從不均勻性特征分析、采樣點(diǎn)布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略，旨在提升測量效率與準(zhǔn)確性，為碳化硅襯底質(zhì)量評估提供更可靠的數(shù)據(jù)支持。 引言 在碳化硅半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）不均勻性是影響器件性能和良率的關(guān)鍵因素。精確測量 TTV 厚度不均勻性有助于及時(shí)發(fā)

  測量 碳化硅 692瀏覽量

• 碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量的特殊采樣策略2025-08-27 14:28

  

  摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量需求，分析常規(guī)采樣策略的局限性，從不均勻性特征分析、采樣點(diǎn)布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略，旨在提升測量效率與準(zhǔn)確性，為碳化硅襯底質(zhì)量評估提供更可靠的數(shù)據(jù)支持。 引言 在碳化硅半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）不均勻性是影響器件性能和良率的關(guān)鍵因素。精確測量 TTV 厚度不均勻性有助于及時(shí)發(fā)

  晶圓 測量 碳化硅 1176瀏覽量

• 碳化硅襯底 TTV 厚度測量中邊緣效應(yīng)的抑制方法研究2025-08-26 16:52

  

  摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的邊緣效應(yīng)問題，深入分析其產(chǎn)生原因，從樣品處理、測量技術(shù)改進(jìn)及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法，旨在提高 TTV 測量準(zhǔn)確性，為碳化硅半導(dǎo)體制造提供可靠的質(zhì)量檢測保障。 引言 在碳化硅襯底 TTV 厚度測量過程中，邊緣效應(yīng)是影響測量準(zhǔn)確性的重要因素。由于襯底邊緣的應(yīng)力分布不均、表面形貌差異以及測量時(shí)邊界條件的特殊性

  測量 碳化硅 1268瀏覽量

• 如何利用 AI 算法優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理2025-08-25 14:06

  

  摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié)，針對傳統(tǒng)方法的局限性，探討 AI 算法在數(shù)據(jù)降噪、誤差校正、特征提取等方面的應(yīng)用，為提升數(shù)據(jù)處理效率與測量準(zhǔn)確性提供新的技術(shù)思路。 引言 在碳化硅半導(dǎo)體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)。TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理的準(zhǔn)確性直接影響工藝優(yōu)化與產(chǎn)品良率。然而，測量數(shù)據(jù)常受環(huán)境噪聲、設(shè)備誤

  晶圓 測量 碳化硅 672瀏覽量

• 探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧2025-08-23 16:22

  

  本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)。 引言 在碳化硅半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，精確測量襯底的晶圓總厚度變化（TTV）是保障芯片性能與良率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀憑借其高精度的特點(diǎn)，在行業(yè)

  晶圓 測量儀 碳化硅 1447瀏覽量