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要長(zhǎng)高

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電子行業(yè)資訊

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業(yè)界缺芯現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體領(lǐng)域走向產(chǎn)能過(guò)剩

業(yè)界消息顯示,工業(yè)MCU、FPGA、嵌入式處理器和其他關(guān)鍵芯片的供應(yīng)緊張,導(dǎo)致了設(shè)備交貨周期的拉長(zhǎng)。....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 14:34 ?3035次閱讀
業(yè)界缺芯現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體領(lǐng)域走向產(chǎn)能過(guò)剩

原料漲價(jià)風(fēng)波中,鋰電池生產(chǎn)企業(yè)扛下了所有

隨著新能源電動(dòng)車需求上升,鋰價(jià)格水漲船高,車載鋰電池的能量密度或已接近臨界點(diǎn),鋰電池電動(dòng)車的安全問(wèn)題....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 16:17 ?2250次閱讀

全球芯片短缺問(wèn)題蔓延至先進(jìn)處理器制造設(shè)備

ASML本身就存在產(chǎn)能上的問(wèn)題。目前市場(chǎng)對(duì)ASML系統(tǒng)的需求超過(guò)了自身的交付能力,反過(guò)來(lái),ASML也....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 16:11 ?2615次閱讀

2022年我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)的出口現(xiàn)狀

從出口產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來(lái)看,2017-2021年中國(guó)功率半導(dǎo)體制造行業(yè)出口產(chǎn)品共有5種。
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 16:04 ?4899次閱讀
2022年我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)的出口現(xiàn)狀

汽車電子控制系統(tǒng)傳感器方案

當(dāng)DPF堵塞時(shí)其前后端壓力差會(huì)非常明顯,DPF壓差傳感器的典型量程為100 kPa,通常為比例輸出的....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 15:53 ?4665次閱讀
汽車電子控制系統(tǒng)傳感器方案

關(guān)于激光雷達(dá)的六個(gè)常見(jiàn)誤區(qū)

關(guān)于激光雷達(dá)最常見(jiàn)的一個(gè)誤解是,它可以被相機(jī)或雷達(dá)傳感器替代,這種誤解源于人們對(duì)這些傳感器技術(shù)如何以....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 15:45 ?5634次閱讀
關(guān)于激光雷達(dá)的六個(gè)常見(jiàn)誤區(qū)

如何為激光雷達(dá)開(kāi)發(fā)MEMS技術(shù)

為了獲得高分辨率數(shù)據(jù),可靠地識(shí)別小目標(biāo),激光必須準(zhǔn)直地?fù)糁心繕?biāo),這是通過(guò)在激光器前面放置一個(gè)透鏡來(lái)實(shí)....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 15:41 ?4060次閱讀

LiDAR傳感器的1D、2D 或 3D變型

多層系統(tǒng)提供各種不同的結(jié)構(gòu)型式。MRS1000 的內(nèi)部發(fā)射與接收模塊構(gòu)成層面傾斜。因此,每個(gè)模塊均可....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 15:37 ?6324次閱讀
LiDAR傳感器的1D、2D 或 3D變型

大功率的充電器對(duì)手機(jī)會(huì)有影響嗎

大功率的充電器會(huì)把手機(jī)充壞嗎?答案是:不會(huì)。因?yàn)槌潆娖髟诮o手機(jī)充電的時(shí)候,它們倆會(huì)進(jìn)行一系列的通訊、....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 15:11 ?39685次閱讀
大功率的充電器對(duì)手機(jī)會(huì)有影響嗎

EV 充電器連接器的標(biāo)準(zhǔn)化狀態(tài)

EV 充電器連接器已實(shí)現(xiàn)區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)化,以支持當(dāng)前的充電技術(shù)。未來(lái),預(yù)計(jì)將繼續(xù)使用交流充電 1 級(jí)和 2....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 14:57 ?3109次閱讀
EV 充電器連接器的標(biāo)準(zhǔn)化狀態(tài)

高壓連接器的載流匹配 Derating 曲線的繪制測(cè)試

為實(shí)現(xiàn)此基本需求,連接器供應(yīng)商需要針對(duì)客戶傳遞的特定工況下車載用電器的功率需求,進(jìn)行涵蓋高壓連接器以....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 14:49 ?7016次閱讀
高壓連接器的載流匹配 Derating 曲線的繪制測(cè)試

談?wù)凴F變壓器和RF變壓器類型

假設(shè)放大器的S參數(shù)是相同的,變壓器性能理想。對(duì)于兩個(gè)幅值和極性都相同的電壓,經(jīng)過(guò)1:1的變壓器后,得....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 14:30 ?6330次閱讀
談?wù)凴F變壓器和RF變壓器類型

頻譜儀中不同頻率范圍的RF前端的設(shè)計(jì)

通過(guò)面前的鏈路的分析,對(duì)于輸入的信號(hào)頻率為3GHz~13.6GHz時(shí),LO頻率范圍為2595.6 M....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 14:17 ?6174次閱讀
頻譜儀中不同頻率范圍的RF前端的設(shè)計(jì)

淺談RF設(shè)計(jì)的波反射理解

回波損耗是指負(fù)載上的入射功率與反射回來(lái)的功率之比?;夭〒p耗始終是非負(fù)值,表示負(fù)載與朝向源極的負(fù)載上“....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 11:52 ?3211次閱讀
淺談RF設(shè)計(jì)的波反射理解

語(yǔ)音芯片常見(jiàn)的4種音頻輸出模式

相對(duì)外部電路簡(jiǎn)單可以直接連接三極管放大。因?yàn)槿龢O管是電流型器件,如果連接三級(jí)管放大只要一分流電阻和一....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 11:39 ?8833次閱讀

高通Q1營(yíng)收穩(wěn)居全球第一,英特爾地位受到威脅

 蘋果M系列芯片的推出,激活了Arm架構(gòu)桌面級(jí)處理器市場(chǎng),加上未來(lái)高通Nuvia的發(fā)力,英特爾桌面處....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 11:29 ?2241次閱讀

淺談AB類音頻功率放大器輸出中的DC電壓漂移

直接耦合輸出的主要好處是改善了低音響應(yīng)。由于該設(shè)計(jì)省去了隔直電容器,因此其低頻傳輸特性得到了顯著改善....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 17:01 ?20834次閱讀
淺談AB類音頻功率放大器輸出中的DC電壓漂移

SAP HANA如何使用非易失性內(nèi)存

由于HANA一體機(jī)的特點(diǎn),使用最新的NVM內(nèi)存需要的是整個(gè)軟硬件業(yè)界的共同努力。目前SAP HANA....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 16:49 ?3797次閱讀
SAP HANA如何使用非易失性內(nèi)存

堆棧溢出定義和處理方式

顧名思義,stack overflow 就是是棧溢出了。在進(jìn)行數(shù)值運(yùn)算時(shí),我們常常要和運(yùn)算結(jié)果的溢出....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 16:46 ?6096次閱讀

SAP HANA 和非易失性存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)分析

SAP HANA 也對(duì)介質(zhì)的特點(diǎn)做了仔細(xì)的考量,結(jié)合 Main 內(nèi)存的訪問(wèn)特點(diǎn)(例如 容量大、讀多寫....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 16:40 ?6671次閱讀
SAP HANA 和非易失性存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)分析

納秒級(jí)讀寫時(shí)間和擦除/寫入的高性能存儲(chǔ)器件

基于原子級(jí)銳利界面的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)超快浮柵存儲(chǔ)器具有和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(10 ns)相當(dāng)?shù)木幊趟?...
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 16:15 ?2785次閱讀
納秒級(jí)讀寫時(shí)間和擦除/寫入的高性能存儲(chǔ)器件

基于憶耦器實(shí)現(xiàn)非易失性邏輯門NOR

憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應(yīng)的記憶元件,源于第四種基本電路元件電耦器(transtor)。憶耦....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 16:08 ?6833次閱讀
基于憶耦器實(shí)現(xiàn)非易失性邏輯門NOR

相比PCRAM、eMVM,MRAM有何優(yōu)勢(shì)

 雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術(shù)具有相似的高級(jí)特征,但它....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 16:03 ?4218次閱讀

IO-Link協(xié)議及其接口的定義

IO-Link主管(IO-Link Master)的針腳定義有兩種:類型A(Port Class A....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 15:54 ?14856次閱讀
IO-Link協(xié)議及其接口的定義

IO-Link的IP65/67 的連接技術(shù)

種類型提供額外供電電壓,比較適合連接那些對(duì)電源(功率/容量)要求較高的設(shè)備。
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 15:47 ?4750次閱讀
IO-Link的IP65/67 的連接技術(shù)

IO-Link概述及優(yōu)勢(shì)分析

IO-Link主站建立IO-Link設(shè)備和自動(dòng)化系統(tǒng)之間的連接。作為I/O系統(tǒng)的一個(gè)組成部分,IO-....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 15:40 ?18621次閱讀
IO-Link概述及優(yōu)勢(shì)分析

高通以44%的份額領(lǐng)先智能手機(jī) AP/SoC 和基帶收入

聯(lián)發(fā)科的收入在 2022 年第一季度同比增長(zhǎng) 29%,在全球 AP/SoC 和基帶收入中的份額達(dá)到 ....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 11:30 ?2271次閱讀
高通以44%的份額領(lǐng)先智能手機(jī) AP/SoC 和基帶收入

聯(lián)發(fā)科在美手機(jī)銷量與高通差距縮小到2%

根據(jù) Counterpoint Research 的美國(guó)渠道份額追蹤器,高通公司在 2022 年 4....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 11:24 ?2252次閱讀
聯(lián)發(fā)科在美手機(jī)銷量與高通差距縮小到2%

IC設(shè)計(jì):2022年第一季營(yíng)收達(dá)394.3億美元

聯(lián)發(fā)科天璣系列處理器出貨放量,加上產(chǎn)品組合優(yōu)化有成,營(yíng)收達(dá)50.1億美元,年成長(zhǎng)32%。
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IC設(shè)計(jì):2022年第一季營(yíng)收達(dá)394.3億美元

PLC控制系統(tǒng)中的兩種故障報(bào)警控制

在多種故障報(bào)警控制程序中,關(guān)鍵是任何一種故障發(fā)生時(shí),按消除蜂鳴器按鈕后,不能影響其他故障發(fā)生時(shí)報(bào)警蜂....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-10 10:55 ?6989次閱讀
PLC控制系統(tǒng)中的兩種故障報(bào)警控制