單相全橋逆變電路 單相全橋逆變電路也稱“H 橋”電路，其電路拓樸結(jié)構如圖1所示，由兩個半橋 圖1單相....

通過以上方程，現(xiàn)在可以根據(jù)測量值來計算所需的死區(qū)時間。使用計算出的死區(qū)時間，需要進行最壞情況下的測量....

各種拓撲對IGBT驅(qū)動器的要求各不相同，比如： 兩電平拓撲通常要求短路保護和過壓保護即可。常用的短路....

IGBT絕緣特性 電子元器件（半導體模塊）中，隔離帶電部分和底板的材料，被稱作絕緣材料。在大功率半導....

計算IGBT模塊死區(qū)時間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中，IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了....

采用模擬電路方式測量IGBT模塊NTC溫度傳感器溫度：這個基本的方法是基于一個分壓器作為熱敏裝置。

IGBT模塊在三相電機驅(qū)動逆變器中的典型應用案例如下圖，主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動保護、P....

IGBT模塊采用吸收電路時，典型的關斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出，初始浪涌電壓△U1之后，隨....

在光伏逆變器等大功率應用場合，主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。....

IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主....

功率器件的正常運行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風冷、水冷和沸騰冷卻四種。

以IGBT模塊應用三相逆變電路為例。

IGBT模塊關斷截止時，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導通損耗和開....

5月28日，青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行，參加此次簽約儀式....

圖5-14所示是采用IGBT過流時UCE增大的原理構成的保護電路，該電路采用IGBT專用驅(qū)動器EXB....

IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類。

并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；

IGBT驅(qū)動器在并聯(lián)的場合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數(shù)）

圖1是半橋式逆變電路的原理圖，它是在全橋式逆變電路的基礎上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個IGB....

由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫....

電化隔離：電荷無法由一個電路移動到另一個電路，雙方信號通過其他方式交換信息。

IGBT的過流保護電路可分為兩類：一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過載保護；另一類是高倍數(shù)（可達8....

近日，市民營經(jīng)濟發(fā)展局公示了青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項目的名單，我司成功入選，同時感謝大家....

所謂集中過電流保護，就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流，當該電流值超過設定的閾值時，封鎖所有橋臂IG....

由于門極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關系，如果在門極驅(qū)動環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩，有可能因為....

IGBT模塊的運行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設備要求工作在室溫下，而另一些設備要求工作在很寬的溫....

IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF....

額定門極驅(qū)動電壓：門極驅(qū)動電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過此范圍的電壓時，門極-發(fā)射極間的氧化膜（SiO....

變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場強度隨輸入、輸出母線中通過電流的強弱而變化，同時IGBT模塊產(chǎn)生的空間交....

IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。