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鴻之微

文章:356 被閱讀:88.1w 粉絲數(shù):53 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):2

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激光誘導(dǎo)退火(LIA)技術(shù)可快速碳化導(dǎo)電襯底上的MOF

氫氣是一種可再生、環(huán)境友好的能源,已成為加劇大氣污染的化石燃料的最有前途的替代品之一。電化學(xué)分水是一....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-16 14:07 ?2500次閱讀
激光誘導(dǎo)退火(LIA)技術(shù)可快速碳化導(dǎo)電襯底上的MOF

PASP鐵性材料性質(zhì)分析與模擬軟件正式商用

PASP的開發(fā)理念是在一個軟件包里盡可能包括更多更全的功能,能處理盡可能多的材料體系。為此,PASP....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-15 15:16 ?3544次閱讀
PASP鐵性材料性質(zhì)分析與模擬軟件正式商用

多尺度材料設(shè)計與仿真平臺Device Studio(結(jié)構(gòu)建模02)

Device Studio具有對2D分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行編輯的功能,用戶可對分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)、修改鍵寬、鍵長....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-14 17:27 ?1690次閱讀
多尺度材料設(shè)計與仿真平臺Device Studio(結(jié)構(gòu)建模02)

一系列芳香族小分子鋅離子電池電解液添加劑的應(yīng)用研究

金屬鋅作為鋅離子電池研究的圣杯陽極,具有理論比容量高(820 mAh g?1)和Zn/Zn2+ (-....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-14 17:21 ?3490次閱讀
一系列芳香族小分子鋅離子電池電解液添加劑的應(yīng)用研究

多尺度材料設(shè)計與仿真平臺Device Studio(圖形界面介紹04)

由圖3.6-1可知 計算任務(wù)監(jiān)控管理區(qū)域 含有5個模塊,其功能描述如下所示。當(dāng)任務(wù)處于排隊中、計算中....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-12 17:24 ?1450次閱讀
多尺度材料設(shè)計與仿真平臺Device Studio(圖形界面介紹04)

多尺度材料設(shè)計與仿真平臺Device Studio介紹

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? · · Device Studio (簡稱:DS....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-12 15:56 ?4598次閱讀
多尺度材料設(shè)計與仿真平臺Device Studio介紹

基于反型層電荷的模型

BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-08 09:01 ?2925次閱讀
基于反型層電荷的模型

清華北大等《Nature Commun》:迄今為止最抗結(jié)垢的材料!

然而,關(guān)于電荷和表面疏水性的影響的研究結(jié)果并不一致。例如,一些研究發(fā)現(xiàn)表面電荷通過靜電相互作用或與礦....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-07 16:22 ?1038次閱讀
清華北大等《Nature Commun》:迄今為止最抗結(jié)垢的材料!

多尺度材料設(shè)計與仿真平臺Device Studio(新手快速入門指南01)

新手快速入門指南以第一性原理量子輸運(yùn)計算軟件Nanodcal中 Si晶體結(jié)構(gòu)的自洽和能帶計算 為例進(jìn)....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-07 16:17 ?2949次閱讀
多尺度材料設(shè)計與仿真平臺Device Studio(新手快速入門指南01)

吡啶環(huán)分子器件電子輸運(yùn)特性研究

利用分子器件實現(xiàn)傳統(tǒng)電子元件的基本功能已被認(rèn)為是分子電子學(xué)的研究目標(biāo),因而該研究領(lǐng)域備受關(guān)注,并發(fā)現(xiàn)....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-05 16:16 ?2117次閱讀
吡啶環(huán)分子器件電子輸運(yùn)特性研究

AuToFF應(yīng)用案例——冰融化模擬及TIP4P/ICE水模型使用

在模擬過程中,模擬步長設(shè)為2fs,采用Verlet算法來計算運(yùn)動方程。模擬體系的三個方向均考慮周期性....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-03 10:51 ?8251次閱讀
AuToFF應(yīng)用案例——冰融化模擬及TIP4P/ICE水模型使用

氯吸附單層黑磷烯的自旋輸運(yùn)性質(zhì)研究

本項目通過密度泛函理論結(jié)合非平衡格林函數(shù)方法研究了Cl原子吸附黑磷的自旋輸運(yùn)性質(zhì),拓展了鹵素原子吸附....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-02 15:10 ?1348次閱讀
氯吸附單層黑磷烯的自旋輸運(yùn)性質(zhì)研究

基于鴻之微RESCU程序包的第一原理方法

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? · 0 1?引言 ? 富鋰錳基三元材料是一種很有....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-02 14:54 ?1270次閱讀
基于鴻之微RESCU程序包的第一原理方法

基于Cr2C的面內(nèi)雙勢壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻

然而,關(guān)于基于2D磁性材料的平面內(nèi)MTJ的報道很少。已報道的平面內(nèi)MTJ Mn2CF2/Ti2CO2....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-01 16:47 ?1879次閱讀
基于Cr2C的面內(nèi)雙勢壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻

不同BCC金屬和合金中的幾種不常見的孿晶動力學(xué)

體心立方(BCC)金屬具有不穩(wěn)定的本征堆垛層錯和對形變孿晶的高抵抗力,常引發(fā)復(fù)雜的孿晶動力學(xué),這在經(jīng)....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-31 09:38 ?4537次閱讀
不同BCC金屬和合金中的幾種不常見的孿晶動力學(xué)

BN-STO和BN-XTO的發(fā)光量子效率不同的本質(zhì)原因

0 1?引言?? 本項目研究對象為兩個多重共振型綠光有機(jī)電致發(fā)光小分子,利用MOMAP軟件計算了它們....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-26 10:55 ?1834次閱讀
BN-STO和BN-XTO的發(fā)光量子效率不同的本質(zhì)原因

DASP GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-26 10:49 ?1482次閱讀
DASP GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算

固定電勢在電化學(xué)反應(yīng)中的應(yīng)用

在電化學(xué)界面反應(yīng)過程中,由于電化學(xué)反應(yīng)界面通常與恒定電極電勢的外電極相連,為確保電子的化學(xué)勢與外電極....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-26 09:44 ?3215次閱讀
固定電勢在電化學(xué)反應(yīng)中的應(yīng)用

基于密度泛函理論和非平衡格林函數(shù)方法

本文使用鴻之微DS-PAW軟件并結(jié)合Nanodcal軟件研究鋸齒型石墨烯/氮化硼納米帶范德瓦爾斯異質(zhì)....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-25 10:02 ?1777次閱讀
基于密度泛函理論和非平衡格林函數(shù)方法

GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算(上)

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-25 09:17 ?2231次閱讀
GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算(上)

BSIM4模型與BSIM3模型的區(qū)別

?2022年,集成電路半導(dǎo)體行業(yè)最熱的頭條是“EDA被全面封鎖”。如何突破EDA封鎖,成為行業(yè)發(fā)展的....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-24 11:06 ?3981次閱讀
BSIM4模型與BSIM3模型的區(qū)別

探究BSIM4模型

在BSIM3的基礎(chǔ)上,UC Berkley的BSIM小組緊接著又推出了BSIM4模型。
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-24 11:01 ?6065次閱讀
探究BSIM4模型

DASP 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

針對任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-24 10:15 ?1283次閱讀
DASP 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

有機(jī)半導(dǎo)體材料的分子結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系

有機(jī)半導(dǎo)體材料可廣泛應(yīng)用于OLED、OPVC或OFET中,為開發(fā)具有優(yōu)異光電性能的新型有機(jī)半導(dǎo)體材料....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-23 14:17 ?3244次閱讀
有機(jī)半導(dǎo)體材料的分子結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系

雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-23 14:11 ?1264次閱讀
雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

催化劑分離和循環(huán)利用問題

? 烯烴是現(xiàn)代化工生產(chǎn)高附加值化學(xué)品的重要原料。生產(chǎn)烯烴最直接的方法就是通過烷烴直接脫氫生成烯烴。在....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-23 11:33 ?1711次閱讀
催化劑分離和循環(huán)利用問題

NTO表面和分子空位對其熱反應(yīng)動力學(xué)的影響

在我們的工作中,基于自洽電荷密度泛函緊束縛(SCC-DFTB)的分子動力學(xué)模擬,研究了NTO晶體的熱....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 15:45 ?3971次閱讀
NTO表面和分子空位對其熱反應(yīng)動力學(xué)的影響

ZnGeP2的本征缺陷計算之TSC模塊運(yùn)行流程

TSC模塊將使用與 Materials Project 數(shù)據(jù)庫提供的輸入?yún)?shù)(INCAR,KPOIN....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:35 ?1368次閱讀
ZnGeP2的本征缺陷計算之TSC模塊運(yùn)行流程

ZnGeP2的本征缺陷計算之DEC模塊運(yùn)行流程

確認(rèn)TSC模塊完成后,回到ZnGeP2目錄,使用命令 dasp 3 執(zhí)行DEC模塊。DEC模塊會在第....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:32 ?1326次閱讀
ZnGeP2的本征缺陷計算之DEC模塊運(yùn)行流程

ZnGeP2的本征缺陷計算之PREPARE模塊運(yùn)行流程

新建目錄ZnGeP2,在./ZnGeP2/目錄內(nèi)同時準(zhǔn)備好以上的POSCAR文件與 dasp.in ....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:29 ?1193次閱讀
ZnGeP2的本征缺陷計算之PREPARE模塊運(yùn)行流程