電子元器件在使用過程中，常常會出現(xiàn)失效和故障，從而影響設(shè)備的正常工作。文本分析了常見元器件的失效原因和常見故障。
2016-06-14 11:18:09
4754 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，具有更快的開關(guān)速度、更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2022-07-29 10:52:002073 
功率轉(zhuǎn)換器中使用的半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)是改進(jìn)的關(guān)鍵，而使用碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 的新型寬帶隙（WBG） 類型有望取得重大進(jìn)展。讓我們詳細(xì)研究一下這些優(yōu)勢。
2022-07-29 08:07:58617 
在于，一些法規(guī)規(guī)定了特定類型電子設(shè)備的最低功率因數(shù) （PF） 水平。 設(shè)計人員面對在不斷縮小的外形尺寸內(nèi)提高整體性能的持續(xù)壓力，為了符合這些法規(guī)，他們正在轉(zhuǎn)向利用數(shù)字控制技術(shù)和寬帶隙半導(dǎo)體（如碳化硅 （SiC） 和氮化鎵（GaN））進(jìn)行有源 PFC 設(shè)計。 本文
2023-10-03 14:44:002092 
設(shè)計出色功效的電子應(yīng)用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有祼片外形尺寸小、導(dǎo)熱和熱管理性能優(yōu)異、開關(guān)損耗
2023-10-12 16:18:563228 
的改進(jìn)。GaN晶體管可以顯著和即時地提高功率轉(zhuǎn)換效率，并且可以提供額外的優(yōu)勢，包括更小的尺寸和更高的可靠性。 因此，這些器件滲透到電源適配器和壁式充電器、電動汽車充電系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療電源以及電機(jī)驅(qū)動器等重要應(yīng)用的新設(shè)計中。隨著
2023-10-25 16:24:432453 
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計這一趨勢將持續(xù)下去，從而實現(xiàn)新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術(shù)，幫助推動器件
2023-11-16 13:28:339930 
寬帶功率放大器的結(jié)構(gòu)與原理寬帶功率放大器的設(shè)計仿真及優(yōu)化
2021-04-21 07:08:01
寬帶隙器件的技術(shù)優(yōu)勢實際應(yīng)用中的寬帶隙功率轉(zhuǎn)換
2021-02-22 08:14:57
提高VNA測量精度和可靠性的分析
2019-09-16 09:30:25
加工。傳統(tǒng)電化學(xué)加工采用直流電源存在加工精度低，加工質(zhì)量差的問題。而高頻超短脈寬脈沖電源應(yīng)用到電解加工中，極大地提高了電解加工的精度。因此，該實驗采用了西安安泰電子寬帶功率放大器ATA-122D搭建
2020-02-19 13:04:03
圖上顯示復(fù)數(shù)阻抗、SWR和延遲。這些分析儀也利用先進(jìn)的矢量誤差校正技術(shù)提高測量精度。對于測試更寬輸出功率級范圍的有源和無源器件，選件1E1增加了作為標(biāo)準(zhǔn)特性的60dB步進(jìn)衰減器，它可把***低功率級
2019-12-22 19:13:40
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻(xiàn)報道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進(jìn)行了性能測試和環(huán)境試驗， 證實了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應(yīng)能力較強(qiáng)等特點(diǎn)。
2019-08-12 06:59:10
滿足市場需求，使用硅的新器件年復(fù)一年地實現(xiàn)更大的功率密度和能效，已經(jīng)越來越成為一個巨大的挑戰(zhàn)。從本質(zhì)上講，芯片的演進(jìn)已經(jīng)接近其基礎(chǔ)物理極限。但是，為什么說寬帶隙半導(dǎo)體的表現(xiàn)已經(jīng)超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
說到功率轉(zhuǎn)換電子器件，每位設(shè)計師都希望用到損耗最小的完美半導(dǎo)體開關(guān)，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件通常被認(rèn)為是接近完美的器件。不過，想要達(dá)到“完美”，只靠低損耗是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。開關(guān)必須
2023-02-05 15:14:52
MS-2204：利用isoPower器件屏蔽電源，從 而提高精度
2019-05-28 17:18:34
低損耗、高隔離度及結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)，但是由于受到機(jī)械加工的影響，波導(dǎo)分支數(shù)有一定的限制，這樣會導(dǎo)致在毫米波段波導(dǎo)分支結(jié)構(gòu)的帶寬受到嚴(yán)格的限制。在功率合成技術(shù)中，采用寬頻帶特性的功率合成網(wǎng)絡(luò)，可以大幅度提高
2019-06-19 06:26:05
如何提高AD精度？
2015-09-27 12:35:59
如何提高轉(zhuǎn)換精度？
2022-01-27 07:56:27
` 高精度功率分析儀是如何煉成的？ 功率分析儀的基本功能是一臺多通道的高精度功率測量儀器，可以精確測量多相高電壓和大電流，計算有功功率P、無功功率Q、視在功率S、功率因數(shù)、相位、能量累計等參數(shù)
2018-03-14 11:24:32
隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。 在這篇包括兩個部分的博客系列中，我將討論這些新型寬帶隙材料是怎樣能讓新設(shè)計從中受益的。 采用
2018-08-30 14:43:17
`高精度功率分析儀 橫河 Yokogawa WT3000/E WT3000基本功率精度達(dá)到讀數(shù)的±0.02%，測量帶寬為DC和0.1Hz~1MHz，最多可配置4個輸入單元，可提供高精度的輸入/輸出
2021-06-03 16:56:51
求購Fluke 4000/5000高精度功率分析儀聯(lián)系人：雷先生電 話：*** 服務(wù)QQ：189963989溫馨提示：如果您找不到聯(lián)系方式，請在瀏覽器上搜索一下 "金順通電子儀器"
2021-11-03 14:24:27
求推薦高精度高寬帶的運(yùn)放，帶寬可以達(dá)到10M左右，精度也希望高一些~
2013-07-05 15:11:16
電子產(chǎn)品故障類別中，偶發(fā)故障由于故障現(xiàn)象的不可重復(fù)性，通常查找原因較為困難。本文針對一種電機(jī)控制器產(chǎn)品出現(xiàn)的通信偶發(fā)故障現(xiàn)象，通過認(rèn)真細(xì)致的分析輔以器件硬件檢查結(jié)果，最終確定故障原因是塑封集成電路
2021-02-03 06:21:10
`福祿克NORMA4000/5000高精度功率分析儀供應(yīng) 東莞市捷鑫儀器聯(lián)系人： 羅路平手機(jī)：***微信同號Q Q：599201556地址：廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)清塘北街16號經(jīng)營范圍：銷售：電子儀器
2019-10-30 18:21:15
伎倆?！ ∧壳皣鴥?nèi)及國際上變頻電量測量的功率分析儀尚無統(tǒng)一的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和檢定規(guī)程，某些進(jìn)口高精度功率分析儀商家利用了用戶對變頻電量測量普遍缺乏認(rèn)知和產(chǎn)品鑒別力的現(xiàn)實，在產(chǎn)品的宣傳方面的措詞明示或者暗示
2014-03-05 14:16:00
沒有設(shè)定雪崩功率，會在過電壓下瞬間失靈。不過制造商設(shè)置的額定值與絕對最大值之間還留有很大的余地。寬帶隙器件的短路能力評估仍在繼續(xù)，要達(dá)到故障前幾微秒內(nèi)的合理數(shù)值。我們已經(jīng)注意到，發(fā)生過電流事件時，器件
2023-02-05 15:16:14
`高精度功率分析儀 WT3000E 目前光伏逆變器等設(shè)備的整體工作效率已達(dá)到90%至96%。要進(jìn)一步提高效率，即使是幾個小數(shù)點(diǎn)，對制造商來說也是件極具挑戰(zhàn)且至關(guān)重要的事情。WT3000E作為全球
2018-08-30 09:38:38
在對傳統(tǒng)典型CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路分析基礎(chǔ)上提出了一種高精度，高電源抑制帶隙電壓基準(zhǔn)源。電路運(yùn)用帶隙溫度補(bǔ)償技術(shù),采用共源共柵電流鏡,兩級運(yùn)放輸出用于自身偏置電路
2010-08-03 10:51:34
0
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 13:49:386684 
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432709 什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487717 本文對KURT_Linux、RT-Linux提高時鐘精度的方法進(jìn)行分析，采用一種動態(tài)的多模式時鐘機(jī)制來提高Linux的時鐘精度，并通過分析測試證明該方案確實可行。
2011-05-20 09:39:487218 
為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。
2011-07-22 11:40:302352 
針對一般失效機(jī)理的分析可提高功率半導(dǎo)體器件的可靠性. 利用多種微分析手段, 分析和小結(jié)了功率器件芯片的封裝失效機(jī)理. 重點(diǎn)分析了靜電放電( electrostatic d ischarge, ESD)導(dǎo)致的功率器
2011-12-22 14:39:3271 用西門子數(shù)控系統(tǒng)雙電機(jī)驅(qū)動消隙功能提高機(jī)床傳動精度
2016-04-25 10:10:077 新型光子帶隙寬帶雙極化微帶天線設(shè)計
2017-01-18 20:39:137 電磁帶隙的超寬帶阻帶天線設(shè)計_何楊炯
2017-03-19 19:03:460 T型三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變流器以其輸出電壓畸變率低、轉(zhuǎn)換效率高以及功率器件電壓應(yīng)力小等諸多優(yōu)點(diǎn)，在配電網(wǎng)靜止無功補(bǔ)償領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。針對T型三電平配電網(wǎng)靜止同步補(bǔ)償器功率器件開路故障問題，在分析T
2017-12-19 15:49:420 2018年寬帶隙基準(zhǔn)源半導(dǎo)體市場與技術(shù)發(fā)展趨勢
2018-02-06 14:41:135 高精度功率分析儀根據(jù)特點(diǎn)有時也稱寬頻功率分析儀或變頻功率分析儀。高精度功率分析儀是用于各類變頻調(diào)速系統(tǒng)的電壓、電流、功率、諧波等電量測試、計量的新型測量設(shè)備，是變頻技術(shù)高速發(fā)展的必然產(chǎn)物，也是變頻技術(shù)持續(xù)健康發(fā)展的重要基礎(chǔ)儀器，更是變頻設(shè)備能效評測不可或缺的工具。
2018-11-08 10:06:1810176 正是由于帶隙，使得半導(dǎo)體具備開關(guān)電流的能力，以實現(xiàn)給定的電子功能;畢竟，晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開關(guān)。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優(yōu)于硅的半導(dǎo)體特性。 相較于硅器件，WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:0610332 
眾所周知，封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征，如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA)，同時同步降低電容以實現(xiàn)快速開關(guān)。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關(guān)性能。
2020-03-09 08:42:354646 寬帶隙（WBG）開關(guān)器件由于其高速度和高效率而得到應(yīng)用，這種器件可減小功率轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和損耗。
2020-04-14 09:17:56975 
尋找硅替代物的研究始于上個世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。應(yīng)用程序。在新世紀(jì)即將來臨
2021-04-01 14:10:192851 
電子元器件在使用過程中，常常會出現(xiàn)失效和故障，從而影響設(shè)備的正常工作。文章分析了常見元器件的失效原因和常見故障。
2022-02-09 12:31:2245 寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個不斷增長的市場，它可以提供效率和功率密度的改進(jìn)，這對能源和成本節(jié)約有很大的影響 。WBG 具有顯著優(yōu)勢，例如更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:513058 
眾所周知，與硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 等寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
2022-04-22 17:07:542830 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:063203 
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液中
2022-07-06 16:00:213281 
隨著半導(dǎo)體器件尺寸的縮小和變得更加復(fù)雜，缺陷定位和故障分析變得更加關(guān)鍵，也更具挑戰(zhàn)性。借助高密度互連、晶圓級堆疊、柔性電子器件和集成基板等結(jié)構(gòu)元素，導(dǎo)致故障的缺陷有更多的隱藏空間。更糟糕的是，這些故障可能發(fā)生在設(shè)備封裝階段，導(dǎo)致產(chǎn)量下降和上市時間增加。
2022-07-25 08:05:311031 
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問世以來，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力電子行業(yè)最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比
2022-07-27 15:11:442339 了解半導(dǎo)體價帶和導(dǎo)帶的形成機(jī)制對于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項工作提出了一種寬帶隙計算模型，突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難，然后將其與實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行了比較。
2022-07-29 11:18:021883 
使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 是最近推出的寬帶隙
2022-07-29 08:06:462460 
寬帶隙器件可以是橫向或縱向配置（見圖 2）。漏極和柵極之間的距離越大，器件可以承受的擊穿電壓就越高。但是，如果我們將這個距離增加這么多，設(shè)備會在晶圓上占用過多的空間，從而增加整體成本。解決方案是垂直
2022-07-29 08:06:501032 
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價帶的最高占據(jù)態(tài)移動到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。
2022-07-29 15:10:452407 考慮到SiC MOSFET在高壓應(yīng)用中 與IGBT相比的技術(shù)優(yōu)勢，人們顯然會為新設(shè)計選擇寬帶隙組件，尤其是在應(yīng)用中驅(qū)動高功率密度和低損耗的情況下。
2022-07-29 08:07:12967 
碳化硅 (SiC) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體，近年來已成功應(yīng)用于多種電源應(yīng)用，與基于硅技術(shù)的傳統(tǒng)組件相比，表現(xiàn)出卓越的品質(zhì)。基于 SiC 的功率分立器件具有相關(guān)特性，包括高開關(guān)頻率和工作溫度、低傳導(dǎo)損耗
2022-08-04 10:39:392036 
對硅替代品的探索始于上個世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時研究人員和大學(xué)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗，這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域替代現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力應(yīng)用程序。在新世紀(jì)之初，氮化鎵
2022-08-05 11:58:281284 
寬帶隙半導(dǎo)體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關(guān)頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV 和 HEV 包括幾個功率轉(zhuǎn)換階段，累積功率損耗
2022-08-08 10:21:491456 
數(shù)據(jù)中心和汽車系統(tǒng)中提供更高的功率水平。 隨著連接設(shè)備的數(shù)量每天都在增加，更高效的電源轉(zhuǎn)換可以在一定程度上降低為這些數(shù)十億設(shè)備供電的總體財務(wù)成本。由于涉及的數(shù)量龐大，最近提高整體效率以降低環(huán)境成本變得同樣重
2022-08-08 11:09:231126 
長期以來，硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開始，由于摩爾定律的失敗，復(fù)合材料被開發(fā)出來，特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體，因為它們利用了重要的特性，與傳統(tǒng)的硅對應(yīng)物（如電力電子）相比，它們可以實現(xiàn)具有卓越性能的器件。
2022-09-11 09:29:001064 
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對比。
2022-10-31 09:03:231598 ? ? ? 針對要求最嚴(yán)苛的功率開關(guān)應(yīng)用的功率分立元件和模塊的封裝趨勢，從而引入改進(jìn)的半導(dǎo)體器件。即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙類型，將顯著提高功率開關(guān)應(yīng)用的性能，尤其是汽車牽引逆變器
2022-11-16 10:57:401350 
用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體
2022-12-22 09:32:251652 德州儀器 (TI) 寬帶隙解決方案
2022-12-29 10:02:451684 
增加功率密度和縮小電源供應(yīng)并不是什么新鮮事。這一趨勢預(yù)計將繼續(xù)下去，從而催生新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。此博客向設(shè)計工程師介紹 STMicroelectronics (ST) 電源解決方案如何結(jié)合寬帶隙 (WBG) 技術(shù)來幫助推動設(shè)備小型化趨勢。
2022-12-29 10:02:481440 
寬帶隙增強(qiáng)功率轉(zhuǎn)換
2023-01-03 09:45:08875 和電壓需求關(guān)閉和打開諧振器。ADI iso功率器件允許通過外部引腳直接控制諧振電路，從而允許由公共PWM信號控制多個iso功率器件。當(dāng)ADC進(jìn)行高保真轉(zhuǎn)換時，此功能可用于排除諧振電路噪聲。?
2023-01-29 15:32:291653 
有一個明顯感受，那就是寬帶隙半導(dǎo)體器件正在得到越來越多應(yīng)用。得益于寬帶隙半導(dǎo)體材料的更高開關(guān)頻率、更高工作溫度和較低損耗，給系統(tǒng)帶來巨大效率提升和設(shè)計便利。Allegro具有集成式導(dǎo)體的ACS37002是一款額定隔離電壓為5kV、具備更高精度的400kHz帶寬電流傳感器，可
2023-02-01 21:30:011688 集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品，是一個不斷增長的市場，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。WBG具有更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續(xù)閱讀，了解更多關(guān)于基于WBG的半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用。
2023-02-02 16:36:162763 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導(dǎo)體的市場。
2023-02-05 14:25:151764 寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發(fā)射更多的光子，從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽能電池、激光器件、光電子器件等領(lǐng)域。
2023-02-16 15:07:082519 iso功率器件可用于接受消隱信號，并利用它們來控制開關(guān)噪聲對高精度測量的負(fù)面影響，從而提高測量精度。
2023-04-04 11:06:592066 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254 
寬帶隙半導(dǎo)體材料（如SiC）與更傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料（如Si）相比具有許多優(yōu)勢?？紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實：如果我們從寬帶隙開始，那么溫度升高對功能的影響要小得多。由于SiC具有寬帶隙，因此它可以在更高的溫度下繼續(xù)工作，通常高達(dá)400°C。
2023-05-24 11:13:483185 在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件作為開關(guān)，能讓開關(guān)性能更接近理想狀態(tài)。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態(tài)和動態(tài)損耗都更低。此外還有
2023-07-11 09:20:021235 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:241214 
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路
2023-09-21 17:09:321612 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個有待解決的重要問題。另外，早期應(yīng)用的故障率遠(yuǎn)高于預(yù)期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率，并提升可靠性和經(jīng)濟(jì)性，以滿足未來應(yīng)用需求。本文將介紹寬帶隙 （GaN） 技術(shù)，以及該技
2023-10-03 14:26:001305 
高功率放大器常見故障分析是針對高功率放大器在使用過程中常見的故障進(jìn)行分析和解決方法的總結(jié)。高功率放大器是一種將輸入信號放大到較大功率輸出的電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于音頻、無線通信、雷達(dá)等領(lǐng)域。由于其復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)和高功率輸出，常常會出現(xiàn)各種故障。下面將介紹一些常見的高功率放大器故障及其分析。
2023-10-05 16:00:002570 在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:362060 
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時柵極電阻選型注意事項
2023-11-23 16:56:321420 
新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 18:00:181076 
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路
2023-11-27 09:16:271082 
由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級應(yīng)用的后起之秀，例如汽車、光伏、快速充電、PFC等。
2023-12-08 14:33:471526 碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場強(qiáng)度。
2024-03-14 10:47:271109 
碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。
2024-03-26 10:56:061020 
賽勁SEJINIGB CRP SERIES滾輪/齒條/齒圈具有高精度、零背隙、高速度、低噪音，低發(fā)塵等特點(diǎn)。當(dāng)CRP SERIES滾輪和齒條（齒圈）嚙合時，可以實現(xiàn)零背隙，在傳動過程中幾乎沒有能量
2024-04-24 09:56:591948 
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:532875 
故障。本文將對功率分析儀的常見故障進(jìn)行歸納分類，并深入分析其產(chǎn)生的原因，旨在幫助用戶更好地了解設(shè)備故障機(jī)制，提高故障排查和維修的效率。
2024-05-11 16:10:522719 完成，但自動化可加快流程并有助于獲得準(zhǔn)確、一致的結(jié)果。 寬帶隙雙脈沖測試軟件集成到 5 系列 B MSO 中，可自動執(zhí)行儀器設(shè)置并執(zhí)行能量損耗和定時的標(biāo)準(zhǔn)測量。智能差分電壓和電流探頭通過與示波器通信進(jìn)一步簡化設(shè)置。 該系統(tǒng)提供以下功能： 獨(dú)特的邊緣細(xì)化算
2024-09-30 08:57:34951 
控制、轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。然而，由于其工作環(huán)境復(fù)雜且多變，功率MOSFET在使用過程中可能會遇到各種故障。本文將對功率MOSFET的常見故障進(jìn)行分析，并探討其故障機(jī)制和預(yù)防措施。
2024-10-08 18:29:592098 PTM是一款應(yīng)用于功率器件和電源芯片的設(shè)計分析套件，支持高精度提取Rdson、驗證器件的開關(guān)行為，以此提高IC產(chǎn)品的可靠性和壽命，已獲得頂級IDM和設(shè)計公司的認(rèn)可和采用。
2025-04-22 10:06:331008 
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780 
ZES ZIMMER的功率分析儀通過其獨(dú)特的DualPath雙路徑技術(shù)，可以同時分析窄帶和寬帶值，而不會出現(xiàn)混疊效應(yīng)的風(fēng)險。同時，與其他制造商相比，濾波器對精度的影響將保持在非常低的水平。濾波器的明確規(guī)格參數(shù)能夠有針對性地消除頻率對測量信號的影響，以確保最高的精度。
2025-06-20 15:25:12568 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論