功率MOSFET管
自1976年開(kāi)發(fā)出功率MOSFET以來(lái)，由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:12
2193 安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄，其采用的夾焊技術(shù)更可實(shí)現(xiàn)達(dá)100 A的電流處理能力，極佳的散熱性確保安全性和更高可靠性，且成本與DPAK相當(dāng).
2016-08-08 16:58:412168 MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等
2022-08-23 09:27:542513 今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)，如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》，依然是我覺(jué)得比較好的。
2023-04-13 16:02:341632 MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等
2023-05-04 09:43:011688 
今天給大家分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)，如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》。
2023-06-01 09:27:292798 
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見(jiàn)。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對(duì)于MOSFET的進(jìn)一步推廣應(yīng)用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:249713 
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
現(xiàn)在能夠提供更高功率、監(jiān)控操作環(huán)境且能相應(yīng)地適應(yīng)所處環(huán)境。以前，需要高于10-15A電流的應(yīng)用通常依賴(lài)于具有外部MOSFET的控制器，以提供所需功率完成工作。轉(zhuǎn)換器盡管可讓設(shè)計(jì)的布局更簡(jiǎn)單，使用物料清單
2019-07-31 04:45:11
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
速度都是影響電源電路MOSFET性能的重要因素。因此，要想在高功率密度條件下獲得最佳的轉(zhuǎn)換效率，必須在設(shè)計(jì)MOSFET過(guò)程中，充分考慮封裝、電路板布局(包括互連線(xiàn))、阻抗和開(kāi)關(guān)速度。F3: 實(shí)際上，當(dāng)
2019-05-13 14:11:31
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
功率mosfet 在中國(guó)IC市場(chǎng)中有很大的市場(chǎng)，2010年預(yù)計(jì)整個(gè)MOSFET的市場(chǎng)收益大于160億。主要的應(yīng)用使數(shù)據(jù)處理如： 臺(tái)式電腦，筆記本，還有家電，汽車(chē)和工業(yè)控制。。功率MOSFET 按分裝
2011-03-07 14:30:04
`功率MOSFET入門(mén)`
2012-08-15 13:15:18
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
能力的快照。本網(wǎng)上廣播將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽，和闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝，取決于目標(biāo)應(yīng)用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業(yè)最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
書(shū)的目的是對(duì)功率MOSFET的復(fù)雜行為和有時(shí)困惑的地方提供一些啟示，也向工程師提供一些必要信息來(lái)解決常見(jiàn)問(wèn)題以及避免潛在問(wèn)題發(fā)生。
2019-03-01 15:37:55
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級(jí)的器件。
2021-04-23 07:04:52
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說(shuō)明功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?）等效電路：2）說(shuō)明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
功率MOSFET的高效熱管理
2019-02-03 21:16:30
，PCB布局，特別是貼片封裝功率MOSFET管，要在源極、漏極管腳充分敷設(shè)銅皮進(jìn)行散熱。功率MOSFET管數(shù)據(jù)表的熱阻測(cè)量通常有一定限制條件，如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進(jìn)行測(cè)量，實(shí)際應(yīng)用中，源
2025-11-19 06:35:56
功率MOSFET管的電流值有哪幾種？如何去選取這些電流值呢？這些電流值又是如何影響系統(tǒng)的呢？
2021-09-08 08:00:58
MOSFET和開(kāi)關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過(guò)厚的低
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
的干擾，另外，應(yīng)避免引線(xiàn)電感引起的柵極（MOSFET/IGBT）電路 振蕩。 布局基本原則：a. 控制電路部分盡量遠(yuǎn)離功率輸出部分和驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，尤其是其模擬部分。 b. 驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)輸入部分盡量遠(yuǎn)離
2013-01-29 10:39:56
電流變化速率dId/dt可以求解為： 從等式（2）和（3）可知，源極電感可以減慢開(kāi)關(guān)瞬態(tài)，加劇開(kāi)關(guān)過(guò)程中的有關(guān)能耗。在傳統(tǒng)的TO247 MOSFET配置中，電路源極電感是MOSFET封裝源電感Ls1
2018-10-08 15:19:33
一些常見(jiàn)的阻容封裝尺寸相關(guān)圖片，供大家參考
2015-08-26 20:41:13
。 ADP2386是一款同步降壓DC-DC穩(wěn)壓器，集成44 mohm高側(cè)功率MOSFET和11 mohm同步整流MOSFET，采用緊湊的4 mm×4 mm LFCSP封裝，提供高效率解決方案
2019-08-12 07:38:58
`Diodes公司繼續(xù)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品組合，采用新型N和P通道器件，擊穿電壓高達(dá)450V，并提供多種封裝選擇。 Diodes Inc. MOSFET產(chǎn)品系列非常適合各種應(yīng)用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
IPS5451是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高壓側(cè)功率MOSFET開(kāi)關(guān)，它為單列5腳封裝，工作電壓50V，電流35A，Rds(on) 25m歐姆。
2021-04-23 07:32:01
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
LLC諧振變換器中常見(jiàn)MOSFET失效模式有哪幾種?怎么解決？
2021-09-18 07:30:41
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專(zhuān)為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開(kāi)發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開(kāi)關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)
2018-10-23 16:22:24
功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
阻。此外，若給定了導(dǎo)通電阻，則需要一個(gè)更大的晶圓來(lái)實(shí)現(xiàn)，但是這會(huì)增加?xùn)艠O電荷，導(dǎo)致降低器件的開(kāi)關(guān)速度。 圖4圖4顯示的是，在最常見(jiàn)的低壓MOSFET中，封裝電阻占晶圓尺寸最大的器件的總電阻的比例。若要
2018-12-07 10:21:41
常見(jiàn)EDA文件格式的轉(zhuǎn)換，理解封裝庫(kù)設(shè)計(jì)。能用常規(guī)CAM工具對(duì)Gerber文件進(jìn)行檢查。另外還必須掌握至少一種阻抗計(jì)算工具，熟悉操作系統(tǒng)，能進(jìn)行常用EDA軟件的安裝與配置。能看懂主流CAD格式的機(jī)械圖
2018-11-27 14:57:26
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線(xiàn)通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線(xiàn)圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
說(shuō)明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
極管腳，我們將它稱(chēng)為輔助源極或者開(kāi)爾文管腳KS（Kelvin Source）。同時(shí)，這種封裝形式將驅(qū)動(dòng)回路和主功率回路解耦開(kāi)，有利于驅(qū)動(dòng)板的布局設(shè)計(jì)?！ ∠旅妫覀兿葟膶?shí)戰(zhàn)數(shù)據(jù)的角度來(lái)感受一下
2023-02-27 16:14:19
`<p><font face="Verdana">功率MOSFET管<br/>
2010-08-12 13:58:43
零件封裝是指實(shí)際零件焊接到電路板時(shí)所指示外觀和焊點(diǎn)位置。只要畫(huà)PCB就必須要涉及到元器件的封裝，掌握一些protel元件常見(jiàn)封裝是畫(huà)PCB板的基本功。不同元件可共用同一零件封裝，同種元件也可有
2009-08-18 23:08:49
在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一個(gè)在實(shí)際客戶(hù)產(chǎn)品應(yīng)用中遇到的問(wèn)題，了解這個(gè)不起眼的、卻有些獨(dú)特的VTH對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。例：國(guó)內(nèi)某通訊公司，做了一批基站系統(tǒng)，出口到俄羅斯，7、8份
2019-08-08 21:40:31
常見(jiàn)的PCB布局方面的問(wèn)題和困惑優(yōu)秀的PCB元件布局原則精巧PCB元件布局的案例分享
2021-03-17 07:13:06
關(guān)于汽車(chē)電子功率MOSFET技術(shù)，總結(jié)的太棒了
2021-05-14 06:13:01
的封裝內(nèi)采用更高性能的MOSFET，業(yè)內(nèi)的一個(gè)趨勢(shì)是從SO-8等標(biāo)準(zhǔn)引線(xiàn)封裝向帶有底面漏極焊盤(pán)的功率封裝轉(zhuǎn)變。對(duì)于大電流應(yīng)用，常用的是功率6mmx 5mm封裝，例如PowerPAK? SO-8。但對(duì)
2013-12-23 11:55:35
背靠背的功率MOSFET，使用N溝道需要控制芯片內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)的充電泵，使用P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)。2、選取封裝類(lèi)型功率MOSFET的溝道類(lèi)型確定后，第二步就要確定封裝，封裝選取原則有：（1）溫升和熱
2019-04-04 06:30:00
單片機(jī)常見(jiàn)的封裝形式有哪些？有沒(méi)有了解的朋友，麻煩分享下，謝啦
2022-11-02 21:36:29
功率MOSFET的電流感知有哪幾種方法？SenseFET方法檢測(cè)電流的工作原理是什么？影響電流檢測(cè)準(zhǔn)確性的原因有哪些？
2021-04-21 07:16:38
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開(kāi)始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開(kāi)始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì)社（茨城縣）進(jìn)行；包裝
2018-08-24 16:56:26
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
。產(chǎn)品特色特性集成了控制器、高壓端和低壓端柵極驅(qū)動(dòng)以及高壓功率MOSFET的LLC半橋功率級(jí)可最多省去30個(gè)外圍元件降低裝配成本并減小PCB布局的環(huán)路面積最高工作頻率為1 MHz大幅降低磁芯尺寸并允許
2019-03-07 14:39:44
多個(gè)過(guò)孔，使FET與輸入引腳Vin或接地層連接。電路板上任何未用區(qū)域必須灌注銅?？傊?b class="flag-6" style="color: red">封裝阻抗、PCB布局、互連線(xiàn)寄生效應(yīng)和開(kāi)關(guān)速度都是影響電源電路MOSFET性能的重要因素。因此，要想在高功率
2011-08-18 14:08:45
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
功率MOSFET來(lái)說(shuō)，通常連續(xù)漏極電流是一個(gè)計(jì)算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時(shí)，如對(duì)于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
所需的功率。在正常工作期間，耗盡型 MOSFET 由于其低靜態(tài)電流而消耗的功率最小。這種方法的主要優(yōu)點(diǎn)是理論上啟動(dòng)序列后的功耗為零，從而提高了整體效率。此外，它在PCB上占用的面積更小，可實(shí)現(xiàn)寬輸入
2023-02-21 15:46:31
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET
2009-09-23 19:35:06
36 功率MOSFET的基本知識(shí)
2006-04-16 23:34:422741 
功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 13:49:386684 
小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:442304 TI推出通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)
2010-01-22 09:40:491194 創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù)，面向高電流DC/DC應(yīng)用，推出5款目前業(yè)界首個(gè)采用封裝頂部散熱的標(biāo)
2010-03-01 11:37:221113 
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?b class="flag-6" style="color: red">功率器件從電流驅(qū)
2010-04-24 11:44:421581 
用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:181196 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車(chē)封裝類(lèi)型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見(jiàn)的mosfet驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，功率mosfet驅(qū)動(dòng)電路原理圖。
2016-08-04 18:15:3538068 
MCP87130 是采用常見(jiàn)的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先進(jìn)的封裝和硅片
2018-06-29 11:23:002 MCP87090 是采用常見(jiàn)的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先進(jìn)的封裝和硅片
2018-07-02 10:23:0010 電壓、大電流及低功率損耗方面提供極佳性能。它們?cè)诟咚?、高頻工作方面極為出色。功率MSOFET廣泛用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，如AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機(jī)控制器。這視頻討論功率MOSFET，特別是安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的纖薄ATPAK封裝功率MOSFET。
2019-03-06 06:05:004543 
專(zhuān)精于高頻領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2022年功率MOSFET全球市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)85億美元 功率MOSFET是電力控制中必不可缺的專(zhuān)精于高頻領(lǐng)域的功率器件。功率MOSFET是市場(chǎng)占比最高的功率器件，由于自身電壓驅(qū)動(dòng)
2022-11-30 10:38:391932 MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等各行各業(yè)。
2022-03-28 09:35:454422 功率MOSFET帶負(fù)載功率能力的評(píng)估
2022-07-26 17:43:443690 
功率MOSFET是專(zhuān)門(mén)針對(duì)解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較，功率MOSFET具備電源開(kāi)關(guān)速度快、低壓效率高的優(yōu)勢(shì)
2022-08-16 14:30:561634 功率 MOSFET 是最常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體，主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動(dòng)需要的功率小、以及快速的切換速度，使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡(jiǎn)介功率 MOSFET 的技術(shù)特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的產(chǎn)品特性。
2022-09-27 15:17:562323 
Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊 靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù) 在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置 Vishay? 針對(duì)車(chē)載充電應(yīng)用專(zhuān)門(mén)推出七款新型二極管
2022-11-25 15:20:051895 比較慢，特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況，會(huì)導(dǎo)致功率MOSFET管的驅(qū)動(dòng)在起動(dòng)的過(guò)程中，由于驅(qū)動(dòng)電壓不足，容易進(jìn)入線(xiàn)性區(qū)工作，功率MOSFET反復(fù)不斷的進(jìn)入線(xiàn)性區(qū)工作，工作一段時(shí)間后，就會(huì)形成局部熱點(diǎn)而損壞。
2023-02-16 10:58:191714 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:342881 
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:471599 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:522610 
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-10 10:48:121771 控制、轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。然而，由于其工作環(huán)境復(fù)雜且多變，功率MOSFET在使用過(guò)程中可能會(huì)遇到各種故障。本文將對(duì)功率MOSFET的常見(jiàn)故障進(jìn)行分析，并探討其故障機(jī)制和預(yù)防措施。
2024-10-08 18:29:592098 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率
2024-12-12 11:35:134678 提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨，2024 年12 月12 日 ：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片
2024-12-16 14:09:09578 的異?，F(xiàn)象、根本原因以及優(yōu)化布局的方法和相關(guān)技巧。 1. 常見(jiàn)錯(cuò)誤一：功率器件散熱不良 異?，F(xiàn)象 功率器件溫度過(guò)高，可能導(dǎo)致器件性能下降，甚至損壞。例如，MOSFET 的導(dǎo)通電阻會(huì)隨溫度升高而增大，進(jìn)一步增加功耗，形成惡性循環(huán)。長(zhǎng)期高溫還可能影響器件的壽命，
2025-01-08 15:28:101933 在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶(hù)理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192440 
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