汽車功率電子組件（例如IGBT）的設(shè)計(jì)必須能負(fù)荷數(shù)千小時(shí)的工作時(shí)間和上百萬(wàn)次的功率循環(huán)，同時(shí)得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵，而同時(shí)故障成本也會(huì)是一個(gè)很大的問(wèn)題。隨著工業(yè)電子系
2016-01-08 11:31:09
5177 
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:4218218 
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572639 
時(shí)間為皮秒級(jí)的，圖7是它的工作特性曲線。TVS管按導(dǎo)電方向分有單向和雙向兩種，在由IGBT器件組成的逆變電路中，因?yàn)槭侵绷髂妇€，所以一般選單向TVS管。圖6IGBT有源鉗位圖7TVS管工作特性曲線選擇
2018-12-06 10:06:18
及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。 IGBT 的開(kāi)關(guān)特性主要取決于
2012-07-25 09:49:08
降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常 工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)?！ ±硐氲刃щ娐放c實(shí)際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到
2011-08-17 09:26:02
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
的IGBT芯片。常見(jiàn)的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元+三相逆變IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能（熱保護(hù)，過(guò)流保護(hù)等）的IGBT模塊。 IGBT是強(qiáng)電
2012-07-09 14:14:57
受器件容量和晶體管特性的限制，在較大功率（500KW以上）的內(nèi)饋調(diào)速應(yīng)用上還存在問(wèn)題，其中主要表現(xiàn)在承受過(guò)流、過(guò)壓的可靠性方面。不能以IGBT的全控優(yōu)點(diǎn)，掩蓋其存在的不足，科學(xué)實(shí)踐需要科學(xué)的態(tài)度。在
2018-10-17 10:05:39
MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET 與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。 IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)資料 ：集成電路查詢網(wǎng)datasheet5
2012-07-11 17:07:52
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開(kāi)關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
等級(jí)，從而提升變流器的功率等級(jí)。考慮到前者功率密度相對(duì)較低，從性價(jià)比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運(yùn)行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)
2015-03-11 13:18:21
的均衡措施。用相關(guān)的試驗(yàn)證實(shí)一些分析結(jié)論。關(guān)鍵詞：IGBT并聯(lián)、靜態(tài)與動(dòng)態(tài)電流、均衡措施1 引言隨著市場(chǎng)對(duì)兆瓦級(jí)大功率變流器的需求與日俱增，IGBT并聯(lián)方案目前已成為一種趨勢(shì)。 這主要源于IGBT并聯(lián)
2018-12-03 13:50:08
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對(duì)光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過(guò)程中，熱性能變化對(duì)于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，因此現(xiàn)今應(yīng)用相當(dāng)廣泛。但是IGBT 良好特性的發(fā)揮往往因其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)上的不合理，制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。因此本文分析了IGBT對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)
2012-09-09 12:22:07
(Wafer Sort)，剔除不良品，提升后端封裝良率。 功率器件研發(fā)與特性分析：全面表征器件靜態(tài)參數(shù)（IV特性：BVdss, Rds(on), Vth, Igss等）和動(dòng)態(tài)參數(shù)研究器件在不同溫度下的性能表現(xiàn)
2025-07-29 16:21:17
助力回收 Agilent8163B光功率計(jì) 助力安捷倫8163B安捷倫Agilent8163B光功率計(jì)是德8164B主機(jī)是光學(xué)元件測(cè)試的基礎(chǔ)平臺(tái)可作為一種是德可調(diào)激光源及***多四種緊湊型模塊的主機(jī)
2021-09-02 11:16:16
功能，開(kāi)發(fā)者能夠快速定位并解決構(gòu)建過(guò)程中的性能問(wèn)題，從而提升開(kāi)發(fā)效率，加速項(xiàng)目交付。
得益于強(qiáng)大的構(gòu)建分析能力，Build Analyzer已成為開(kāi)發(fā)者和廠商開(kāi)發(fā)鴻蒙應(yīng)用中廣泛使用的構(gòu)建分析工具
2025-02-17 18:06:12
/DC雙級(jí)電路，能實(shí)現(xiàn)輸出的電壓范圍寬、精度高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快的特點(diǎn)。其中電壓精度≤0.1%l 輸出具有恒壓、恒流、恒功率模式；l 具有本機(jī)操作、上位機(jī)操作功能，配有上位機(jī)軟件及外部通訊功能；l 嚴(yán)格的系統(tǒng)
2014-07-07 10:01:30
晶體管組成的復(fù)合晶體管，它的轉(zhuǎn)移特性與MOSFET十分類似。為了便于理解，這里我們可通過(guò)分析MOSFET來(lái)理解IGBT的轉(zhuǎn)移特性。圖2.MOSFET截面示意圖當(dāng)MOSFET的柵極-源極電壓VGS=0V
2019-10-17 10:08:57
按照大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來(lái)分類，可以將大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電 路分為以下三種類型：?jiǎn)我?b class="flag-6" style="color: red">功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路進(jìn)行分類，并對(duì)該電路需要達(dá)到的一些功能進(jìn)行闡述，最后展望此電路的發(fā)展。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在
2012-12-08 12:34:45
詳情見(jiàn)附件大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析1 引言由于igbt具有開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn)，在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中，除其本身的技術(shù)水平以外
2021-04-20 10:34:14
按照大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來(lái)分類，可以將大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路分為以下三種類型:單一功能型、多功能型、全功能型。2.1 單一功能型 單一功能型的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路一般
2012-07-09 15:36:02
的導(dǎo)通能量損耗，并在電力電子學(xué)的典型模式下擴(kuò)大開(kāi)關(guān)元件的安全工作區(qū)域。使用硅IGBT可以優(yōu)化器件的成本。這種減少損耗功率的頻率相關(guān)分量的要求突出了改善IGBT頻率特性的必要性，因?yàn)檎沁@種元件限制了
2023-02-22 16:53:33
快充的原理是什么？有哪些提升快充功率的方法？
2021-09-26 08:29:47
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
例如IGBT機(jī)械可靠性特性也需要額外的關(guān)注1） 功率循環(huán)通常逆變器設(shè)計(jì)，主要考慮IGBT Tjmax（最高結(jié)溫）的限制，但在混合動(dòng)力車應(yīng)用中，逆變器較少處于恒定工況，加速、巡航、減速都會(huì)帶來(lái)電流、電壓的改變
2018-12-06 09:48:38
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點(diǎn)
2016-11-28 23:45:03
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點(diǎn)
2016-10-15 22:47:06
，獨(dú)立研發(fā)產(chǎn)品的能力。4、IGBT驅(qū)動(dòng)或者M(jìn)OSFET門極驅(qū)動(dòng)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先必須是做過(guò)大功率，工業(yè)級(jí)的芯片開(kāi)發(fā)。懂芯片生產(chǎn)工藝及有一定的芯片代工廠的資源薪資 22-28w 特別合適的可以適當(dāng)上浮。請(qǐng)直接郵件咨詢 hr@cnhired.com
2016-03-16 11:02:59
示波器軟件在非標(biāo)功能中增加了功率分析功能，對(duì)當(dāng)前屏幕的電壓波形和電流波形進(jìn)行了瞬時(shí)功率，視在功率以及有功功率/平均功率的分析計(jì)算。
有功功率是指電器所消耗的電能，用于產(chǎn)生熱能、機(jī)械能或光能等，是我們
2024-07-23 10:40:27
簡(jiǎn)單分析不間斷電源系統(tǒng)在IGBT中的應(yīng)用理念 簡(jiǎn)單分析不間斷電源的應(yīng)用方法及其理念 摘要：在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率
2012-03-29 14:07:27
良率提升工程數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)工具專題講座講座對(duì)象：芯片設(shè)計(jì)公司，晶圓廠，封裝廠的業(yè)內(nèi)人士講座地點(diǎn)：上海市張江高科技園區(qū)碧波路635號(hào)傳奇廣場(chǎng)3樓 IC咖啡講座時(shí)間：2014年3月10日（周一） 晚 19
2014-03-09 10:37:52
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。
2021-05-14 06:52:53
在一些要求高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運(yùn)行30年以上。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計(jì)，并在實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行了驗(yàn)證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見(jiàn)的器件，可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）所推出
2019-07-18 06:12:00
Symtavision工具為L(zhǎng)uxoft公司提供的一款分布式嵌入式系統(tǒng)時(shí)間特性建模、分析和驗(yàn)證工具，主要應(yīng)用于汽車領(lǐng)域。經(jīng)緯恒潤(rùn)聯(lián)合Symtavision工具廠商能夠?yàn)榭蛻籼峁┩暾南到y(tǒng)級(jí)時(shí)間特性
2022-04-13 14:10:59
IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路研究：對(duì)電力電子功率器件IGBT的開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)波形、功率、布線、隔離等方面的要求和保護(hù)方法進(jìn)行了分析和討論,介紹了IGBT的幾種基本驅(qū)動(dòng)電路和一種典
2009-05-31 12:33:15
64 大功率IGBT驅(qū)動(dòng)模塊2SD315A 的特性及其應(yīng)用:介紹了一種適用于大功率IGBT 的新型驅(qū)動(dòng)模塊,該模塊工作頻率高,驅(qū)動(dòng)電流大,具有完善的短路、過(guò)流保護(hù)和電源監(jiān)控功能。關(guān)鍵詞:模塊
2010-01-07 11:04:27195 分析IGBT的門極驅(qū)動(dòng)鑒于絕緣柵雙極晶體管IGBT在逆變電焊機(jī)中的應(yīng)用日益普、及，針對(duì)IGBT門極驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)，分析了它對(duì)于驅(qū)動(dòng)波形，功率，布線，隔離等方面的要求，并介紹了一種
2010-03-14 19:08:3450 基本介紹功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測(cè)試無(wú)法評(píng)估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計(jì)量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)
2024-03-13 16:26:07
介紹一種復(fù)合量程微加速度計(jì)，并分析其加速度計(jì)的阻尼比、幅頻特性和相頻特性，計(jì)算出其工作的頻響范圍。對(duì)加速度計(jì)的動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行測(cè)試，對(duì)比分析理論計(jì)算結(jié)果與測(cè)試結(jié)果,
2010-12-28 10:45:520 IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理
通過(guò)對(duì)功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討
2009-10-09 09:56:012995 
IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4511496 汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
針對(duì)汽車功率模塊需求，英飛凌通過(guò)增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，大大提高了IGBT
2010-05-08 08:42:231832 
IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開(kāi)關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582705 
本文在分析了中大功率IGBT 特性、工作原理及其驅(qū)動(dòng)電路原理和要求的基礎(chǔ)上，對(duì)EXB841、M57962AL、2SD315A 等幾種驅(qū)動(dòng)電路的工作特性進(jìn)行了比較。并針對(duì)用于輕合金表面防護(hù)處理的特種脈
2011-09-15 16:57:37131 對(duì)大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）的開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)波形、驅(qū)動(dòng)功率、布線等方面進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種用于大功率IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路。
2012-05-02 14:50:48137 大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的功能
2012-07-09 12:02:015842 本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路，采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 15:19:156267 
降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常 工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。
2017-05-25 08:55:5726481 
基于現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的風(fēng)電機(jī)組功率特性分析與建模
2017-05-26 08:00:0015 。但是IGBT良好特性的發(fā)揮往往因其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)上的不合理，制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。本文分析了IGBT對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，設(shè)計(jì)了一種適用于高頻條件下小功率電路可靠穩(wěn)定的分立式IGBT驅(qū)動(dòng)電路。
2018-06-29 15:25:004781 
的指標(biāo)之一，這關(guān)系到模塊應(yīng)用的可靠性、損耗以及壽命等問(wèn)題。那么，導(dǎo)熱材料是如何助力新能源汽IGBT散熱的呢？ 【什么是IGBT？】 IGBT稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件，具有自關(guān)斷的特征。對(duì)于電動(dòng)車而言
2020-03-31 15:26:391995 極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于 MOSFET 與功率晶體管之間，可正常 工作于幾十 kHz 頻率范圍內(nèi)。
2020-11-17 08:00:0014 IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開(kāi)關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:317687 決該矛盾的有效方法。然而，并聯(lián)系統(tǒng)的總體布局無(wú)法達(dá)到完全的對(duì)稱，使得理想化的靜、動(dòng)態(tài)電流分布難以實(shí)現(xiàn)進(jìn)而限制了并聯(lián)器件的利用率。本文主要分析和比較了驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響，并
2021-02-14 11:43:005801 
VR智慧線上工廠3D建模可視化三維模型大屏應(yīng)用強(qiáng)化工廠安全保障為核心，建立智能自動(dòng)化系統(tǒng)、遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)、實(shí)時(shí)定位分析系統(tǒng)以及監(jiān)控人員數(shù)據(jù)分析。商迪3DVR智慧線上工廠3D建?？梢暬S模型大屏
2021-03-31 09:16:521192 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)進(jìn)行了探討。
2022-12-02 11:46:351628 隨著我國(guó)武器裝備系統(tǒng)復(fù)雜性提升和功率等級(jí)提升，對(duì)IGBT模塊的需求劇增，IGBT可靠性直接影響裝備系統(tǒng)的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模塊，分別進(jìn)行了溫度循環(huán)試驗(yàn)和介質(zhì)耐電壓試驗(yàn)
2023-02-01 15:48:057119 功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。
2023-02-17 16:40:232475 普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，
電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件
2023-02-23 10:05:521 Symtavision工具為L(zhǎng)uxoft公司提供的一款分布式嵌入式系統(tǒng)時(shí)間特性建模、分析和驗(yàn)證工具，主要應(yīng)用于汽車領(lǐng)域。經(jīng)緯恒潤(rùn)聯(lián)合Symtavision工具廠商能夠?yàn)榭蛻籼峁┩暾南到y(tǒng)級(jí)時(shí)間特性
2022-04-14 11:24:131125 
IGBT是一種功率器件，在功率逆變器中承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換和能量傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">功能。它是逆變器的心臟。同時(shí)，IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對(duì)器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出，就會(huì)變得無(wú)能
2023-03-30 10:29:456020 
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件，車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅陶瓷基板等部件相匹配的熱膨脹系數(shù)、足夠的硬度和耐用性等特點(diǎn)。
2023-07-06 16:19:332261 
設(shè)計(jì)BUCK電路功率級(jí)的思路和方法如下：1.確定需求：首先要明確設(shè)計(jì)BUCK電路的功率級(jí)目標(biāo)，即輸入電壓范圍、輸出電壓范圍、輸出電流要求等。2.選擇開(kāi)關(guān)器件：根據(jù)設(shè)計(jì)需求選擇合適的開(kāi)關(guān)器件，通常
2023-07-24 13:25:002514 
不斷提升。電機(jī)控制器內(nèi)IGBT功率模塊長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行以及頻繁開(kāi)閉會(huì)產(chǎn)生大量熱量，伴隨著溫度的升高，IGBT功率模塊的失效概率也將大幅增加，最終將影響電機(jī)的輸出性能以及汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的可靠性。因此，為維持
2023-08-23 09:33:233280 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:041487 對(duì)電力電子工程師而言，功率組件是我們的設(shè)計(jì)對(duì)象，而IGBT由于其出色的特性被廣泛使用于功率組件中。 功率組件的效率、保護(hù)功能、EMC等 表現(xiàn)和IGBT的應(yīng)用設(shè)計(jì)具有緊密關(guān)系，而不同IGBT技術(shù)也造就
2023-09-15 10:09:322891 
IGBT 功率模塊的開(kāi)關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:142647 
本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等，探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因，助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:301593 
在電驅(qū)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，IGBT特性是逆變器功率輸出限制的核心要素。
2023-11-21 09:28:341491 
國(guó)內(nèi)各家（英飛凌、安森美）車載IGBT的產(chǎn)品性能上的對(duì)比情況車載IGBT分為幾個(gè)層級(jí)，主要分為A0/A00級(jí)以下，A級(jí)車，還有一些專用車?yán)缥锪骱痛蟀蛙?。?015年以前是沒(méi)有IGBT車規(guī)級(jí)的說(shuō)法
2023-11-23 16:48:002382 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:361934 
igbt的作用和功能? IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一種用于功率電子器件中的雙極型晶體管。IGBT 融合了絕緣柵
2023-12-07 16:32:5514029 IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領(lǐng)域中常用的晶體管器件。它由一個(gè)IGBT芯片和一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路組成，用于控制高電壓和高電流的開(kāi)關(guān)操作。相比于MOSFET，IGBT具有更低的導(dǎo)通壓降
2024-01-04 14:30:501693 DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:331934 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:0411188 廣泛。但是IGBT良好特性的發(fā)揮往往因其門級(jí)驅(qū)動(dòng)電路上的不合理，制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。無(wú)論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件
2024-02-27 08:25:581746 
功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個(gè)影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條 件等。
2024-04-18 11:21:062398 
IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí)，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。
2024-05-31 09:06:3117234 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種集成了MOSFET和雙極型晶體管特性的功率半導(dǎo)體器件。在實(shí)際的工程應(yīng)用中，為了測(cè)試IGBT的性能和參數(shù)，需要對(duì)其門
2024-06-06 14:28:30874 
IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè)，一是功率器件導(dǎo)通時(shí)，產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開(kāi)通與關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗
2024-07-19 11:21:001921 
車規(guī)級(jí)IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）模組作為新能源汽車中的核心功率半導(dǎo)體器件，其成本結(jié)構(gòu)涉及多個(gè)方面。本文將從材料成本、制造成本、研發(fā)成本以及其他相關(guān)成本等角度，對(duì)車規(guī)級(jí)IGBT模組的成本結(jié)構(gòu)進(jìn)行深入分析。
2024-07-22 10:24:421516 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問(wèn)題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對(duì)IGBT功率模塊散熱問(wèn)題的詳細(xì)分析，包括散熱機(jī)制、影響因素、散熱方法及優(yōu)化策略等。
2024-07-26 17:24:422562 車規(guī)級(jí)IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）模組作為新能源汽車中的核心功率半導(dǎo)體器件，其成本結(jié)構(gòu)涉及多個(gè)方面。本文將從材料成本、制造成本、研發(fā)成本以及其他相關(guān)成本等角度，對(duì)車規(guī)級(jí)IGBT模組的成本結(jié)構(gòu)進(jìn)行深入分析。
2024-08-29 10:57:202140 
了門級(jí)功耗分析的精度。） （2024年9月12日，四川成都）英諾達(dá)（成都）電子科技有限公司發(fā)布了EnFortius?凝鋒?門級(jí)功耗分析工具（GPA）的新版本V24.08，新增波形重放（Waveform Replay）功能，大幅提高功耗分析精度與效率，新版本同時(shí)增加了對(duì)毛刺功耗的分析，進(jìn)一步提升了門級(jí)功耗分析的
2024-09-12 11:22:24772 
在儲(chǔ)能變流器（PCS）中，碳化硅（SiC）功率模塊全面取代傳統(tǒng)IGBT模塊的趨勢(shì)主要源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、成本效益以及系統(tǒng)級(jí)性能提升。SiC模塊在PCS中取代IGBT的核心邏輯在于：高頻高效降低系統(tǒng)
2025-02-05 14:37:121188 內(nèi)的重要測(cè)試測(cè)量?jī)x器，憑借其強(qiáng)大的功率分析功能，為工程師和科研人員提供了深入了解功率特性的有效手段。 是德示波器功率分析功能概述 ? 基本測(cè)量參數(shù)獲取 是德示波器能夠精準(zhǔn)測(cè)量功率分析中的關(guān)鍵參數(shù)，如電壓、電流和
2025-03-13 16:09:14640 
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開(kāi)關(guān)器件，通過(guò)柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合
2025-05-26 14:37:052285 在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192440 
與熱特性。目前，該平臺(tái)已集成一款基于SPICE（電路仿真程序）的模型生成工具，可將外部電路和柵極驅(qū)動(dòng)器選型納入系統(tǒng)級(jí)仿真。該工具通過(guò)充分考慮器件的非線性半導(dǎo)體物理特
2025-10-27 17:03:45423 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論