相比）SiC成長10倍，GaN翻至60倍，Si增長45.1％。 該機構(gòu)指出，SiC功率半導(dǎo)體市場主要在中國和歐洲擴張，從2017年~2018年，SiC增長41.8％至3.7億美元。目前，SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）占70％，并且主要在信息和通信設(shè)備領(lǐng)域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低，預(yù)計將進一
2019-06-25 11:22:42
8864 Fairchild開發(fā)出業(yè)界首款輸入電壓范圍為2.8V 至36V的整合式負載開關(guān)產(chǎn)品AccuPower™系列，以滿足設(shè)計人員在中等電壓方面的需求。
2011-01-26 21:54:121851 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款3:1高速USB開關(guān)——NCN1188
2011-08-18 08:53:482904 IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行
2012-11-12 15:58:554686 安立公司（Anritsu Company）推出業(yè)界首款電池供電的高功率便攜式無源互調(diào)（PIM）分析儀PIM Master? MW82119A
2012-12-13 10:49:311584 SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙（能隙），分別是Si的10倍和3倍。此外，可以
2022-11-22 09:59:262550 為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-22 10:58:423053 
3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-26 09:12:564442 科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:001978 中國上海， 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:551734 
【譯者注】本文作者 Matt Watson 已經(jīng)寫了超過 15 年的代碼，也由此總結(jié)出了提升 10 倍效率的三件事。Matt 表示，一個 10 倍效率的開發(fā)人員很快就知道了他們需要做什么，要問
2017-10-14 17:35:54
充電系統(tǒng)卻一直在研發(fā)中，今天我們就來了解一款全SiC功率器件的車載無線充電系統(tǒng)。今天介紹的這個研究是一款全SiC功率器件的車載無線充電系統(tǒng)，功率為50KW，載波頻率為85KHz，功率密度為9.5KW
2021-04-19 21:42:44
0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的應(yīng)用實例所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關(guān)損耗運用要點柵極驅(qū)動 其1柵極驅(qū)動 其2
2018-11-27 16:38:39
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
通時產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關(guān)速度與寄生電容下面通過與現(xiàn)有IGBT功率模塊進行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開關(guān)
2018-11-30 11:31:17
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-25 06:20:09
。例如，SiC功率模塊的尺寸可達到僅為Si的1/10左右。關(guān)于“高速工作”，通過提高開關(guān)頻率，變壓器、線圈、電容器等周邊元件的體積可以更小。實際上有能做到原有1/10左右的例子。“高溫工作”是指容許在
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標準化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
Dielectric Constant: εS11.89.712.89.5p. n Control○○○△Thermal Oxide○○××2. 功率器件的特征SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，因此與Si器件
2019-07-23 04:20:21
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-05-06 09:15:52
LPC11C00宣傳頁：業(yè)界首款集成CAN收發(fā)器微控制器解決方案
2022-12-08 07:07:09
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。ROHM在上個賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
的開關(guān)電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象，因此PWM控制無需擔心短脈沖時的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢。由
2018-12-04 10:14:32
CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
，開關(guān)速度可達硅基的10倍。這一特性使得GaN模塊在高頻應(yīng)用中損耗更低，允許通過提升開關(guān)頻率（如10MHz以上）縮小電感、變壓器等被動元件尺寸，從而直接提升功率密度。磁集成與拓撲優(yōu)化：
Leadway
2025-10-22 09:09:58
技術(shù)領(lǐng)域都擁有強大的優(yōu)勢，雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后，通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合，雙方將能夠提供滿足市場需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案，從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻。
2023-03-29 15:06:13
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設(shè)計——功率子模塊驅(qū)動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習和開發(fā)經(jīng)驗，曾設(shè)計過基于半橋級聯(lián)型拓撲的儲能系統(tǒng)，通過電力電子裝置實現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
%提升到了97.3%。圖5功率損耗對比5、結(jié)論新的APS系統(tǒng)采用了最新的1.2kV全SiC功率模塊，憑借其低損耗、高工作溫度等特點，器件的開關(guān)頻率得以提高。在本設(shè)計中，作者考慮到了高開關(guān)頻率可以使濾波
2017-05-10 11:32:57
我國“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
一、 SiC的材料優(yōu)勢
碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料相較于硅（Si）具有很多優(yōu)勢，如表1所示：3倍的禁帶寬度，有利于碳化硅器件工作在更高的溫度；10倍
2023-10-07 10:12:26
騰訊云存儲，正在形成面向未來的藍圖。在5月10日騰訊云存儲產(chǎn)品戰(zhàn)略發(fā)布會上，騰訊云一次性發(fā)布了業(yè)界首款十微秒級的極速型云硬盤、業(yè)界首款突破百GB 吞吐的文件存儲、以及業(yè)界首創(chuàng)能夠10倍提升...
2021-07-12 07:35:21
功率器件與拓撲優(yōu)化
寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用
傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開關(guān)損耗高，限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）器件可顯著降低損耗：
SiC MOSFET導(dǎo)通電阻低（僅為硅
2025-05-21 14:38:45
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
設(shè)計方面，SiC功率模塊被認為是關(guān)鍵使能技術(shù)?！ 榱颂岣?b class="flag-6" style="color: red">功率密度，通常的做法是設(shè)計更高開關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器。 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡介 在許多應(yīng)用中，較高的開關(guān)頻率會導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動器對開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動模式與基本結(jié)構(gòu)這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
德州儀器推出業(yè)界首款超低功耗 FRAM 微控制器開發(fā)人員藉此可讓世界變得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開發(fā)人員帶來高達100倍的寫入速度增幅及250倍的功耗降幅，因而
2011-05-04 16:37:37
怎么實現(xiàn)基于業(yè)界首款Cortex-M33雙核微控制器LPC55S69的電路設(shè)計？
2021-06-15 09:14:03
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-12 03:43:18
新品發(fā)布|業(yè)界首款！潤開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標準系統(tǒng)的智能硬件開發(fā)平臺HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）隆重推出了業(yè)界首款全棧式AI驅(qū)動型EDA解決方案Synopsys.ai，覆蓋了先進數(shù)字與模擬芯片的設(shè)計、驗證、測試和制造環(huán)節(jié)?；诖?，開發(fā)者第一次
2023-04-03 16:03:26
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù)，賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
具有更高的熱性能和堅固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致： 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動態(tài)開關(guān)性能; 功率密度比主要競爭對手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
Fraunhofer ISE用ROHM SiC和柵極驅(qū)動器設(shè)備開發(fā)了一款10kW的三相UPS逆變器，如圖4所示。100kHz的高開關(guān)頻率導(dǎo)致輸出端的無源濾波器組件和輸入電容小，從而使輸出電容器和輸入
2019-10-25 10:01:08
10mΩ（typ）的、SiC-SBD內(nèi)置型全SiC功率模塊。下圖為與現(xiàn)有產(chǎn)品的關(guān)系示意圖。BSM180D12P3C007的開關(guān)損耗與IGBT模塊相比大幅降低，比ROHM現(xiàn)有的IGBT模塊產(chǎn)品也低42
2018-12-04 10:11:50
黎志遠_業(yè)界首款電流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50
全球最小單片機問世
——Microchip推出業(yè)界首款6引腳單片機
全球領(lǐng)先的單片機和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology（美國微芯科技公
2009-07-06 09:02:002398 Intel發(fā)布業(yè)界首款雙網(wǎng)口10Gb以太網(wǎng)卡
Intel今天發(fā)布了第三代基于10GBase-T 10Gbps以太網(wǎng)標準的服務(wù)器網(wǎng)卡“X520-T2”，并首次配備了
2010-01-29 09:17:101330 創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù)，面向高電流DC/DC應(yīng)用，推出5款目前業(yè)界首個采用封裝頂部散熱的標
2010-03-01 11:37:221113 
Digi 發(fā)布業(yè)界首款極簡單易用的可編程 ZigBee 模塊
- 獨立無線軟件使 ZigBee 的開發(fā)更簡單快速 -
2010-03-04 18:15:071016 業(yè)界首款可以在多天線無線基站中實現(xiàn)更高速度、性能和設(shè)計效率的四通道 DAC 問世-- 與雙通道器件相比，ADI 的1GSPS 四通道 DAC 的數(shù)據(jù)速率可以提高25%，PCB 占位面積可以減少20%
2010-04-28 17:15:51805 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款最新電源管理器件，該款器件高度集成限流電源開關(guān)與 2.6 GHz 高帶寬信號開關(guān)，并針對 USB 接口進行了精心優(yōu)化。TPS2540 是業(yè)界首款具有板載
2010-12-01 09:00:091263 MXIM推出MAX12005，業(yè)界首款8 × 4衛(wèi)星中頻開關(guān)IC可擴充到允許多達16個衛(wèi)星信號。高度集成，MAX12005非常靈活，一個空間受限的范圍廣，如果分配和多路開關(guān)應(yīng)用衛(wèi)星的適應(yīng)性。
2011-01-14 09:52:00811 博通公司宣布，正式推出業(yè)界首款10Gb以太網(wǎng)無源光網(wǎng)絡(luò)(EPON)光網(wǎng)絡(luò)單元(ONU)單芯片系統(tǒng)(SoC)解決方案。Broadcom的10Gbps BCM55030單芯片系統(tǒng)解決方案提供的帶寬是現(xiàn)有1G EPON解決方案的10倍。
2011-01-22 11:11:07990 德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持 14 個電源電壓軌的汽車電源管理集成電路 (PMIC)。作為業(yè)界首款支持超過 10 個電壓軌的汽車 PMIC
2011-10-26 09:45:51976 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構(gòu)
2012-03-23 08:52:572163 Redpine Signals, Inc，近日宣布推出業(yè)界首款適用于M2M市場的集成式、低功率Wi-Fi模塊。該模塊有很多針對Wi-Fi Direct和Enterprise security的全新功能。
2012-03-28 16:03:111111 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
2013-06-05 10:17:191608 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:441022 人機交互解決方案的領(lǐng)先開發(fā)商Synaptics宣布推出4款最新顯示驅(qū)動集成電路（DDIC）解決方案，其中包括業(yè)界首款支持超高清（UHD）分辨率的產(chǎn)品。
2015-07-15 11:14:471758 SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:312449 功率級模塊。FDMF8811模塊為業(yè)界首款面向半橋和全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器的100V橋式功率級模塊，采用高性能PowerTrench? MOSFET 技術(shù)減少了轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的開關(guān)振鈴。
2018-05-17 15:47:001562 PKU4300D新系列1／16磚封裝DC／DC模塊可提供業(yè)界最高的功率和效率 對于ICT、電信和工業(yè)市場中的分布式和中間總線等應(yīng)用，高級總線轉(zhuǎn)換器旨在替代部署在這些應(yīng)用中的一系列終端用戶電路板上的1
2018-04-07 22:18:008264 安捷倫科技公司日前宣布推出業(yè)界首款能夠自動表征實際工作電壓下功率器件節(jié)點電容的功率器件電容分析儀。
2018-04-28 08:34:001482 羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691 Xilinx公司業(yè)界首款28 nm FPGA Kintex-7 10Gbps 收發(fā)器性能演示。
2018-06-01 15:50:005004 6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓撲，一般的大功率應(yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行，需要考慮模塊自身的寄生電容、寄生電感和寄生阻抗等。3D電磁
2018-09-13 15:04:126799 RF解決方案提供商Qorvo日前宣布該公司推出了業(yè)界首個集成式前端模塊（iFEM），可滿足Wi-Fi 6（802.11ax）系統(tǒng)的高可靠全屋覆蓋。iFEM將Qorvo的先進BAW濾波器技術(shù)與其獨特的edgeBoost功能相結(jié)合，將Wi-Fi范圍擴大了一倍，處理容量增加了三倍。
2020-01-06 15:23:481238 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848 “ 德州儀器公司今天推出業(yè)界首款差分感應(yīng)開關(guān)，其采用雙線圈架構(gòu)，能夠自動補償溫度變化和元件老化。LDC0851能夠利用印刷電路板（PCB）上的線圈檢測導(dǎo)電材料存在與否。這種獨特的方法實現(xiàn)了低成本
2020-09-11 16:34:493110 DN369 - 業(yè)界首款四開關(guān)降壓-升壓型控制器采用單個電感器實現(xiàn)了極高的效率
2021-03-21 15:26:52
4 標準、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC。新IC可提供高達70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。
2022-02-15 11:45:531476 Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件，為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標準、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:122674 電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果： 開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化 （例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化） 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化 （例：電抗器或電容等的小型化）
2023-01-12 16:35:471139 的尾電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果： 開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化 （例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化） 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化 （例：電抗器或電容等的小型化）
2023-02-07 16:48:231562 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:211334 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:221533 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:041134 
作為Si功率元器件評估篇的第2波，將開始一系列有關(guān)Si功率元器件通過PSFB電路進行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全橋電路，尤其是相移全橋（以下稱“PSFB
2023-02-13 09:30:056234 
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升，針對本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率，本文將會給出使用實際電源電路進行評估的結(jié)果。具體而言，本文對Q1～Q4的MOSFET使用導(dǎo)通電阻約0.2Ω的五種快速恢復(fù)型SJ MOSFET時的結(jié)果進行了比較。
2023-02-13 09:30:062124 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234 
首先需要了解的是：接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，該信息也非常有用。
2023-02-27 11:49:18878 
業(yè)界首款模擬信號10KV高隔離放大器變送器模塊.
2022-02-11 15:46:17686 
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:071150 
美光科技近日宣布推出業(yè)界首款標準低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊（LPCAMM2），這款產(chǎn)品提供了從16GB至64GB的容量選項，旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計空間及模塊化設(shè)計。
2024-01-19 16:20:471222 SiC器件可以提高電動汽車的充電模塊性能，包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動汽車的整體性能表現(xiàn)。
2024-03-18 18:12:342390 
的電力轉(zhuǎn)換器中，這些通常是全新設(shè)計，這一趨勢主要是由于提高光伏逆變器和其他工業(yè)電源應(yīng)用的效率的需求。圖1設(shè)計師們現(xiàn)在正在使用市面上可用的高功率全SiC電力模塊和驅(qū)動器
2024-08-19 11:31:252088 
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出InnoMux-2系列單級、獨立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。
2024-11-05 13:40:571066 提高電機驅(qū)動系統(tǒng)的功率密度是提升電動汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗，并且能在高頻下運行。盡管SiC器件已經(jīng)有
2024-12-09 11:54:521141 
作者： Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對成熟，但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產(chǎn)品成本并提高效率。然而，有些設(shè)計人員可能仍然認為 SiC 半導(dǎo)體相當昂貴且難以控制
2025-01-26 22:10:001253 
在2025華為智能電動&智能充電網(wǎng)絡(luò)戰(zhàn)略與新品發(fā)布會上，華為正式發(fā)布了業(yè)界首個全液冷兆瓦級超充解決方案。不僅僅是充電快，壽命還長，使用壽命長達 10 年。 據(jù)悉，華為全液冷兆瓦級超充搭載的是華為自主
2025-04-23 16:26:531376 導(dǎo)通損耗降低57% ：15mΩ超低導(dǎo)通電阻（25℃），高溫175℃時僅28mΩ，較IGBT大幅減少發(fā)熱。 開關(guān)頻率提升5倍 ：支持100kHz高頻開關(guān)（IGBT僅20kHz），設(shè)備體積縮小40
2025-07-29 09:57:57511 
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