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單結(jié)晶體管 |
| 單結(jié)晶體管（簡(jiǎn)稱(chēng)UJT）又稱(chēng)基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電呼如圖1所示。 |
 圖1、單結(jié)晶體管 |
| 一、單結(jié)晶體管的特性 |
| 從圖1可以看出，兩基極b1與b2之間的電阻稱(chēng)為基極電阻： rbb=rb1+rb2 式中：rb1----第一基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值隨發(fā)射極電流ie而變化，rb2為第二基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值與ie無(wú)關(guān)；發(fā)射結(jié)是PN結(jié)，與二極管等效。 若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓Vbb，則A點(diǎn)電壓為： VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb 式中：η----稱(chēng)為分壓比，其值一般在0.3---0.85之間，如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加，就可測(cè)得單結(jié)晶體管的伏安特性，見(jiàn)圖2 |
 圖2、單結(jié)晶體管的伏安特性 |
（1）當(dāng)Ve＜η Vbb時(shí)，發(fā)射結(jié)處于反向偏置，管子截止，發(fā)射極只有很小的漏電流Iceo。 |
| 二、單結(jié)晶體管的主要參數(shù) |
| （1）基極間電阻Rbb 發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，基極b1、b2之間的電阻，一般為2--10千歐，其數(shù)值隨溫度上升而增大。 （2）分壓比η 由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的常數(shù)，一般為0.3--0.85。 （3）eb1間反向電壓Vcb1 b2開(kāi)路，在額定反向電壓Vcb2下，基極b1與發(fā)射極e之間的反向耐壓。 （4）反向電流Ieo b1開(kāi)路，在額定反向電壓Vcb2下，eb2間的反向電流。 （5）發(fā)射極飽和壓降Veo 在最大發(fā)射極額定電流時(shí)，eb1間的壓降。 （6）峰點(diǎn)電流Ip 單結(jié)晶體管剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極電壓為峰點(diǎn)電壓時(shí)的發(fā)射極電流 |
- 單結(jié)晶體(6347)
- 結(jié)晶體管(7128)
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