本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:57
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芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022048 
在《學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——無源元件》中我們學(xué)習(xí)了無源元件，本文將帶大家復(fù)習(xí)一下半導(dǎo)體以及使用了半導(dǎo)體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2016-07-20 11:13:353398 隸屬美國能源部的勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室Ali Javey 團(tuán)隊(duì)即宣稱，突破了物理極限，成功創(chuàng)造1 納米晶體管。
2016-10-09 09:52:062065 
規(guī)范的產(chǎn)品通常由硅制成，并作為推挽式應(yīng)用系統(tǒng)的一部分運(yùn)行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學(xué)水平上工作的機(jī)制可能有些復(fù)雜，但總的來說，它們用一系列極化離子引導(dǎo)和引導(dǎo)電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
學(xué)習(xí)嵌入式芯片功能有哪些軟件？學(xué)習(xí)嵌入式芯片功能有哪些硬件？
2021-11-12 07:11:13
什么是嵌入式？嵌入式芯片如何選型？什么是ARM？
2021-11-05 08:43:56
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動(dòng)作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時(shí)，hFE為1時(shí)的頻率叫做fT（增益
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請各位大俠指點(diǎn)！??！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
的集電極除被控對象外，沒有連接任何其他的電路或元件，因此也將晶體管的這種連接方式稱為集電極開路。另外，在晶體管開關(guān)電路中，晶體管處于飽和狀態(tài)，使得開關(guān)導(dǎo)通。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí)（晶體管從飽和狀態(tài)恢復(fù)到截止
2017-03-28 15:54:24
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
過大，則β和hFE也將明顯變小。(2) 集電極最大電流ICM晶體管集電極允許通過的最大電流即為ICM。需指出的是，IC大于ICM時(shí)晶體管不一定會(huì)被燒壞，但β等參數(shù)將發(fā)生明顯變化，會(huì)影響晶體管正常工作，故
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
“導(dǎo)通”意義上的電流。但是，需要被稱為“Qg”的電荷。關(guān)于MOSFET，將再次詳細(xì)介紹。IGBT為雙極晶體管與MOSFET的復(fù)合結(jié)構(gòu)。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)而開發(fā)的晶體管
2018-11-28 14:29:28
創(chuàng)建通道來導(dǎo)通。另外，柵極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣，因此不會(huì)流過 “導(dǎo)通”意義上的電流。但是，需要被稱為“Qg”的電荷。 關(guān)于MOSFET，將再次詳細(xì)介紹。 IGBT為雙極晶體管與MOSFET
2020-06-09 07:34:33
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的基極電流發(fā)生變化時(shí)，其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加入一個(gè)較小的信號(hào)，則其集電極將會(huì)輸出一個(gè)較大的信號(hào)。 晶體管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)（B、E極之間）要加上
2013-08-17 14:24:32
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個(gè)區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動(dòng)作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時(shí)，hFE為1時(shí)的頻率叫做fT（增益
2019-05-09 23:12:18
級(jí)都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實(shí)用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)
2010-08-12 13:57:39
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管?！ ∑矫媾c三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
電流可以調(diào)節(jié)巨大的發(fā)射極集電極電流。II. 什么是PNP晶體管？PNP 晶體管是將一種 n 型材料與兩種 p型材料摻雜在一起的晶體管。它是一種由電流供電的設(shè)備。適量的基極電流調(diào)節(jié)了發(fā)射極和集電極電流
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`電子元器件市場中，以場效應(yīng)晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛，可是對于場效應(yīng)晶體管的參數(shù)，大家都是一籌莫展，因?yàn)閳鲂?yīng)晶體管的參數(shù)有很多，其中包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)等，但普通運(yùn)用時(shí)只需關(guān)注
2019-04-04 10:59:27
先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，是納米片晶體管（Nanosheet FET）的延伸和發(fā)展，主要用于實(shí)現(xiàn)更小的晶體管尺寸和更高的集成密度，以滿足未來半導(dǎo)體工藝中對微縮的需求。叉片晶體管的核心特點(diǎn)是其分叉式的柵極結(jié)構(gòu)
2025-06-20 10:40:07
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對美國的技術(shù)突破，中國應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
按工作電壓的極性可分為NPN型或PNP型?！?雙極結(jié)型晶體管“雙極”意味著電子和空穴在工作的同時(shí)都在運(yùn)動(dòng)。雙極結(jié)型晶體管，又稱半導(dǎo)體三極管，是通過一定工藝將兩個(gè)PN結(jié)組合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
?！ 槭裁词褂闽?b class="flag-6" style="color: red">式場效應(yīng)晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場效應(yīng)晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計(jì)算能力意味著增加計(jì)算密度。需要更多的晶體管來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，這導(dǎo)致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
基板上制造這些晶體管。不過這種技術(shù)還面臨許多挑戰(zhàn)，我們可能還要等幾年才能看到這些先進(jìn)技術(shù)實(shí)用化。本文小結(jié)目前業(yè)界面臨的問題是如何充分發(fā)揮這種巨大的并行處理能力。但嵌入式軟件行業(yè)已經(jīng)在開發(fā)強(qiáng)大的工具來幫助
2014-08-26 15:50:42
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對于其發(fā)射極（E）的基極（B）的負(fù)電壓將使其“打開”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動(dòng)。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個(gè)簡單
2023-02-03 09:45:56
對芯片作底層支撐的場效應(yīng)晶體管，一款能起良好穩(wěn)壓作用的芯片非常重要。因此在進(jìn)行開關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)更多地考慮使用更優(yōu)質(zhì)的場效應(yīng)晶體管來支持電源芯片，這需要考慮場效應(yīng)晶體管的什么性能呢？應(yīng)從
2019-04-01 11:54:28
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
區(qū)域，而粉紅色陰影區(qū)域表示截止區(qū)域?！ D1. 晶體管工作區(qū) 這些區(qū)域定義為： ? 飽和區(qū)域。 在這個(gè)區(qū)域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實(shí)現(xiàn)最大電流，在集電極-發(fā)射極處實(shí)現(xiàn)最小壓降
2023-02-20 16:35:09
，應(yīng)用需要高吞吐量和高能效以及小外形和低成本。多核微控制器單元（MCU）提供了一種可行的新解決方案，利用模塊化設(shè)計(jì)以經(jīng)濟(jì)的價(jià)格提供多倍的性能提升。幾十年來，隨著IC上晶體管數(shù)量的增加，芯片性能不斷...
2021-07-19 09:02:45
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢？
2019-08-02 06:49:22
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何選擇嵌入式硬件？如何選擇嵌入式芯片？
2021-10-25 07:13:44
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號(hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管直流電流增益率的關(guān)系式GI：數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實(shí)驗(yàn)室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
系統(tǒng)的出現(xiàn)與發(fā)展歷程。隨著電子器件技術(shù)的不斷發(fā)展和演化，基于半導(dǎo)體材料的晶體管技術(shù)、集成電路技術(shù)出現(xiàn)，計(jì)算機(jī)硬件的體積、功耗降低，處理速度提升才能使專用的微型計(jì)算裝置“嵌入”到應(yīng)用對象中；C語...
2021-08-06 06:37:44
IBM研發(fā)出最快的石墨烯晶體管，超越硅材料的極限
IBM研究中心聲稱研究出世界上速度最快的石墨烯場效應(yīng)晶體管，運(yùn)行頻率達(dá)到26GHz。
IBM Thomas J. Watson研究中心（
2008-12-27 12:55:48792 晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 晶體管的極限參數(shù)
以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當(dāng)其超過額定值時(shí)，
2010-01-26 08:54:038005 達(dá)林頓晶體管,達(dá)林頓晶體管是什么意思
達(dá)林頓管(Darlington Transistor)又稱復(fù)合管。它采用復(fù)合連接方式,將二只三極管適當(dāng)?shù)倪B接在一起，以組成
2010-03-05 10:50:164069 NPN晶體管,NPN晶體管是什么意思
１９４７年１２月２３日，美國新澤西州墨累山的貝爾實(shí)驗(yàn)室里，３位科學(xué)家——巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博
2010-03-05 11:11:425794 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:102989 
意大利、法國和美國的材料科學(xué)家利用棉纖維制造出了兩類電路和晶體管：其一是類似CPU晶體管的場效應(yīng)晶體管，其二是可用于低電壓切換的電化學(xué)晶體管。
2012-01-02 12:12:411152 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計(jì)、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測試儀）以及常見的晶體管（如：場效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬象，希望對各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
為什么說7nm是物理極限?縮短晶體管柵極的長度可以使CPU集成更多的晶體管或者有效減少晶體管的面積和功耗，并削減CPU的硅片成本。不過這種做法也會(huì)使電子移動(dòng)的距離縮短，容易導(dǎo)致晶體管內(nèi)部電子自發(fā)通過
2016-10-10 16:49:396418 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 本文主要闡述了晶體管的生產(chǎn)方法及芯片上晶體管的種植教程。
2020-03-14 10:22:3215556 作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:403874 
晶體管并非是安裝上去的，芯片制造其實(shí)分為沙子-晶圓，晶圓-芯片這樣的過程，而在芯片制造之前，IC涉及要負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)好芯片，然后交給晶圓代工廠。
2020-12-26 09:53:545727 當(dāng)傳感器監(jiān)測到選定的壓力信號(hào)傳遞到晶體管時(shí)會(huì)產(chǎn)生響應(yīng)，隨后傳導(dǎo)并放大這些信號(hào)進(jìn)行檢測。近來，一種被稱為有機(jī)電化學(xué)晶體管（OECT）的新型晶體管技術(shù)，在低電壓和低功耗下展現(xiàn)出了優(yōu)越的信號(hào)放大能力。
2021-03-17 13:59:5815032 在嵌入式電路設(shè)計(jì)中包含模擬電路設(shè)計(jì)成分比較少，常用的模擬器件大部分為二極管、晶體管。
2021-10-29 17:14:084339 
大家都知道芯片使由晶體管構(gòu)成的，一個(gè)芯片由小到幾十，大到超百億晶體管構(gòu)成。像華為麒麟990芯片，就是由103億顆晶體管組成的。
2021-12-14 13:49:1420533 晶體管簡介
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如
2022-02-09 12:34:23
2 高性能單層二硫化鉬晶體管的實(shí)現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力，二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限（< 1 nm），同樣的科學(xué)家們也沒有停止追尋二維半導(dǎo)體晶體管橫向尺寸的極限（也就是晶體管溝道長度的縮放極限）。
2022-10-17 10:50:043984 芯片上集成晶體管的方法有很多，其中最常用的是封裝技術(shù)，即將晶體管封裝在芯片上，使其成為一個(gè)整體，從而實(shí)現(xiàn)晶體管的集成。另外，還可以使用芯片上的晶體管模塊，將晶體管模塊連接到芯片上，從而實(shí)現(xiàn)晶體管的集成。
2023-02-19 14:02:155730 人體內(nèi)的生物化學(xué)信號(hào)通常非常微弱，很難直接進(jìn)行檢測和分析。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，美國西北大學(xué)（Northwestern University）的研究人員基于有機(jī)電化學(xué)晶體管開發(fā)了一種新方法
2023-04-15 09:38:242613 （William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一個(gè)晶體管。 晶體管是現(xiàn)代電器的最關(guān)鍵的元件之一。晶體管之所以能夠大規(guī)模使用是因?yàn)樗芤詷O低的單位成本被大規(guī)模生產(chǎn)。 1947年12月，美國貝
2023-05-16 11:06:203183 晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的組件，而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件，它是由半導(dǎo)體材料制成的。晶體管的發(fā)明和發(fā)展對現(xiàn)代科技的進(jìn)步起到了重要的推動(dòng)作用。
2023-08-04 09:45:302788 晶體管和芯片的關(guān)系是什么？ 晶體管和芯片是相互關(guān)聯(lián)的兩個(gè)概念，晶體管是芯片的核心組成部分之一。 晶體管是一種能夠控制電流的電子器件，由美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的William Shockley、John
2023-08-25 15:21:053882 晶體管和芯片的關(guān)系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的兩個(gè)概念，二者有密不可分的關(guān)系。晶體管是一種半導(dǎo)體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關(guān)電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:375525 晶體管，作為現(xiàn)代電子設(shè)備的基石，其功能和工作原理一直是電子學(xué)和半導(dǎo)體物理領(lǐng)域研究的核心。芯片中的每個(gè)晶體管都是一個(gè)微型開關(guān)，負(fù)責(zé)控制電流的流動(dòng)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，現(xiàn)代芯片上可能集成了數(shù)十億甚至數(shù)百億的晶體管。本文將探討晶體管的基本工作原理，從其構(gòu)造開始，深入解析其操作機(jī)制。
2023-10-16 10:09:134353 
在現(xiàn)代電子科技領(lǐng)域，晶體管無疑是最基礎(chǔ)且重要的元件之一。自1947年第一只晶體管在美國貝爾實(shí)驗(yàn)室誕生以來，它便以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用前景，迅速改變了電子工業(yè)的面貌。晶體管不僅為微電子革命奠定了
2024-05-22 15:17:362683 一、引言 有關(guān)系。隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片晶體管作為電子設(shè)備的核心元件，其性能的優(yōu)化和制造技術(shù)的提升成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在晶體管的眾多設(shè)計(jì)參數(shù)中，深度和寬度是兩個(gè)至關(guān)重要的因素。它們不僅
2024-07-18 17:23:361915 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544
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