英文簡稱ROM。ROM所存數(shù)據(jù)，一般是裝入整機(jī)前事先寫好的，整機(jī)工作過程中只能讀出，而不像隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定 ，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)改變；其結(jié)構(gòu)較簡單，讀出較方便，因而常用于存儲(chǔ)各種固定程序和數(shù)據(jù)。除少數(shù)品種的只讀存儲(chǔ)器（如字符發(fā)生器）可以通用之外，不同用戶所需只讀存儲(chǔ)器的內(nèi)容不同。為便于使 用和大批 量 生產(chǎn) ，進(jìn)一步發(fā)展了可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）、可擦可編程序只讀存儲(chǔ)器（EPROM）和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器
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ROM
（EEPROM）。例如早期的個(gè)人電腦如Apple II或IBM PC XT/AT的開機(jī)程序（操作系統(tǒng)）或是其他各種微電腦系統(tǒng)中的軔體（Firmware）。
　　EPROM需用紫外光長時(shí)間照射才能擦除，使用很不方便。20世紀(jì) 80 年代制出的 EEPROM ，克服了EPROM的不足，但集成度不高 ，價(jià)格較貴。于是又開發(fā)出一種新型的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)同 EPROM 相似的快閃存儲(chǔ)器 。其集成度高、功耗低 、體積小 ，又能在線快速擦除 ，因而獲得飛速發(fā)展，并有可能取代現(xiàn)行的硬盤和軟盤而成為主要的大容量存儲(chǔ)媒體。大部分只讀存儲(chǔ)器用金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)管制成。
ROM 種類
　　1.ROM
　　只讀內(nèi)存（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的內(nèi)存。在制造過程中，將資料以一特制光罩（mask）燒錄于線路中，其資料內(nèi)容在寫入后就不能更改，所以有時(shí)又稱為“光罩式只讀內(nèi)存”（mask ROM）。此內(nèi)存的制造成本較低，常用于電腦中的開機(jī)啟動(dòng)。
　　2.PROM
　　可編程程序只讀內(nèi)存（Programmable ROM，PROM）之內(nèi)部有行列式的镕絲，視需要利用電流將其燒斷，寫入所需的資料，但僅能寫錄一次。 PROM在出廠時(shí)，存儲(chǔ)的內(nèi)容全為1，用戶可以根據(jù)需要將其中的某些單元寫入數(shù)據(jù)0(部分的PROM在出廠時(shí)數(shù)據(jù)全為0，則用 戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實(shí)現(xiàn)對(duì)其“編程”的目的。PROM的典型產(chǎn)品是“雙極性熔絲結(jié)構(gòu)”，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，并維持一定的時(shí)間，原 先的熔絲即可熔斷，這樣就達(dá)到了改寫某些位的效果。另外一類經(jīng)典的PROM為使用“肖特基二極管”的PROM，出廠時(shí)，其中的二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，還 是用大電流的方法將反相電壓加在“肖特基二極管”，造成其永久性擊穿即可。
　　3.EPROM
　　可抹除可編程只讀內(nèi)存（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時(shí)將線路曝光于紫外線下，則資料可被清空，并且可重復(fù)使用。通常在封裝外殼上會(huì)預(yù)留一個(gè)石英透明窗以方便曝光。
　　4.OTPROM
　　一次編程只讀內(nèi)存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節(jié)省成本，編程寫入之后就不再抹除，因此不設(shè)置透明窗。
　　5.EEPROM
　　電子式可抹除可編程只讀內(nèi)存（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運(yùn)作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
　　6.快閃存儲(chǔ)器
　　快閃存儲(chǔ)器（Flash memory）的每一個(gè)記憶胞都具有一個(gè)“控制閘”與“浮動(dòng)閘”，利用高電場改變浮動(dòng)閘的臨限電壓即可進(jìn)行編程動(dòng)作。
　　7.快閃存儲(chǔ)器
　　指從游戲機(jī)主文件存儲(chǔ)器里或者正版游戲卡帶提取的游戲主文件，可以在各類模擬器上使用。例如街機(jī)模擬器，GBA模擬器的ROM，正是此意。
　　ROM與RAM的不同使用范圍介紹
　　RAM-RandomAccessMemory易揮發(fā)性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，高速存取，讀寫時(shí)間相等，且與地址無關(guān)，如計(jì)算機(jī)內(nèi)存等。
　　ROM-Read Only Memory只讀存儲(chǔ)器。斷電后信息不丟失，如計(jì)算機(jī)啟動(dòng)用的BIOS芯片。存取速度很低，（較RAM而言）且不能改寫。由于不能改寫信息，不能升級(jí)，現(xiàn)已很少使用。
　　EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和 NADN Flash)，性能同ROM，但可改寫。一般讀出比寫入快，寫入需要比讀出更高的電壓（讀5V寫12V）。而Flash可以在相同電壓下讀寫，且容量大、成本低，如今在U盤、MP3中使用廣泛。在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)里，RAM一般用作內(nèi)存，ROM用來存放一些硬件的驅(qū)動(dòng)程序，也就是固件。
手機(jī)的RAM和ROM
　　RAM是由英文Random Access Memory的首字母構(gòu)成的，意為隨機(jī)存儲(chǔ)器，即在正常工作狀態(tài)下可以往存儲(chǔ)器中隨時(shí)讀寫數(shù)據(jù)。根據(jù)存儲(chǔ)單元工作原理的不同，RAM又可分為靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)。RAM的特點(diǎn)：可讀可寫；給存儲(chǔ)器斷電后，里面存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)丟失。我們經(jīng)常說的內(nèi)存，比如計(jì)算機(jī)的內(nèi)存，手機(jī)的內(nèi)存，包括CPU里用的高速緩存，都屬于RAM這類存儲(chǔ)器。
　　ROM是由英文Read only Memory的首字母構(gòu)成的，意為只讀存儲(chǔ)器。顧名思意，就是這樣的存儲(chǔ)器只能讀，不能像RAM一樣可以隨時(shí)讀和寫。它只允許在生產(chǎn)出來之后有一次寫的機(jī)會(huì)，數(shù)據(jù)一旦寫入則不可更改。它另外一個(gè)特點(diǎn)是存儲(chǔ)器掉電后里面的數(shù)據(jù)不丟失，可以存放成百上千年。此類存儲(chǔ)器多用來存放固件，比如計(jì)算機(jī)啟動(dòng)的引導(dǎo)程序，手機(jī)、MP3、MP4、數(shù)碼相機(jī)等一些電子產(chǎn)品的相應(yīng)的程序代碼。
綜上所述，RAM指的是手機(jī)的內(nèi)存，ROM指的是存放手機(jī)固件代碼的存儲(chǔ)器，比如手機(jī)的操作系統(tǒng)、一些應(yīng)用程序如游戲等
程序存儲(chǔ)器ROM的規(guī)劃原則是：
（1）按照MCS-5單片機(jī)復(fù)位及中斷入口地址的規(guī)定，002FH以前的空間都作為中斷、復(fù)位的入口地址區(qū)設(shè)計(jì)時(shí)，可在這些地址單元中設(shè)置轉(zhuǎn)移指令，轉(zhuǎn)移到相應(yīng)的中斷服務(wù)程序或復(fù)位啟動(dòng)程序。
（2）當(dāng)程序存儲(chǔ)器中的功能程序及子程序數(shù)量較的時(shí)候，應(yīng)當(dāng)盡可能地設(shè)置入口地址表
（3）二次開發(fā)擴(kuò)展區(qū)要盡可能地安排在高位地址區(qū)，為擴(kuò)展留有余地。
（4）對(duì)常數(shù)、表格要集中設(shè)置表格區(qū)