256k非易失、Y2K兼容時鐘RAM DS1554

　　DS1554是一個全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實時時鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問DS1554內(nèi)的所有是一個字節(jié)寬度接口，如圖1所示完成登記。 RTC寄存器包含24小時的二進制編碼的十進制(BCD)格式世紀(jì)，年，月，日，星期，時，分，秒的數(shù)據(jù)。為月份和閏年的天是自動進行更正。

　　RTC寄存器為雙成內(nèi)部和外部設(shè)置緩沖。用戶可以直接訪問外部設(shè)置。時鐘/日歷寄存器更新的外部集可以禁用和啟用，使用戶能夠訪問靜態(tài)數(shù)據(jù)。假設(shè)內(nèi)部振蕩器被打開，內(nèi)部的寄存器集是不斷更新，這發(fā)生時，不管外部寄存器的設(shè)置，以保證精確的RTC信息始終保持。

　　在DS1554都有中斷(低電平有效的IRQ / FT)和復(fù)位(低電平有效RST)的，可用于控制CPU活動的產(chǎn)出。有源低的IRQ /英尺中斷輸出可用于產(chǎn)生一個外部中斷時，RTC寄存器的值匹配的用戶編程的報警值。中斷總是可以在設(shè)備供電系統(tǒng)電源，可設(shè)定發(fā)生時，在電池供電狀態(tài)，作為一個系統(tǒng)喚醒。無論是低有效的IRQ /英尺或低電平有效RST輸出也可以作為CPU看門狗定時器時，CPU活動進行監(jiān)視和一個中斷或復(fù)位輸出將被激活，如果沒有正確的活動范圍內(nèi)檢測程序。在DS1554上電復(fù)位，可用于檢測系統(tǒng)斷電或故障，并在安全的復(fù)位狀態(tài)，直到舉行的CPU電源恢復(fù)正常和穩(wěn)定;低有效的RST輸出用于該功能。

　　該DS1554還包含了自己的電源故障電路，自動取消該設(shè)備時，VCC電源進入一個寬容的條件了。此功能提供了一個不可預(yù)知的系統(tǒng)過程中所帶來的低電壓水平對操作的數(shù)據(jù)安全性的高度。

　　關(guān)鍵特性

　　集成非易失SRAM，實時時鐘(RTC)，電源失效控制電路，鋰能源

　　時鐘寄存器的訪問相同，靜態(tài)RAM，這些寄存器駐留在RAM單元的

　　世紀(jì)字節(jié)寄存器(即，2000年標(biāo)準(zhǔn))

　　完全非易失擁有超過10年的運作中的權(quán)力缺席

　　精密電復(fù)位

　　可編程看門狗定時器和RTC報警

　　BCD編碼年，月，日，日，時，分和秒，自動

　　閏年補償有效期至2100年

　　電池電壓電平指示標(biāo)志

　　電源失效寫保護為± 10%，允許的VCC電源公差

　　能源是鋰電斷開保留保鮮直到電源的首次應(yīng)用

　　也可在工業(yè)溫度范圍：-40 ° C至+85 ° C的

256k非易失、Y2K兼容時鐘RAM DS1554 www.makelele.cn

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時鐘(134663) 時鐘(134663)
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非易失(14418) 非易失(14418)

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　　MAX5389是雙路、256抽頭、易失型、低電壓線性變化數(shù)字電位器，提供10kΩ、50kΩ以及100kΩ三種端到端電阻。器件采

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DS1500為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有報警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個32.768kHz頻率的輸出

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DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘

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DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。

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DS1312非易失控制器

DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。

2012-07-19 14:26:37

1109

DS1218非易失控制器芯片

DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。

2012-07-19 14:28:14

1883

DS1210非易失控制器芯片

DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。

2012-07-19 14:30:07

4121

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。

2013-02-19 16:53:30

2864

cy62146ev30 mobl? 4兆位（256K×16）靜態(tài)RAM

The CY62146EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits.

2017-09-14 15:07:21

cy62138fv30 mobl? 2兆位（256 K×8）靜態(tài)RAM

The CY62138FV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 8 bits.

2017-09-14 15:22:17

cy7c1010dv33 2兆位（256 K×8）靜態(tài)RAM

The CY7C1010DV33 is a high performance CMOS Static RAM organized as 256 K words by 8 bits. Easy

2017-09-14 15:26:14

cy7c1353g 4兆位（256K SRAM×18）流過諾博?架構(gòu)

he CY7C1353G is a 3.3 V， 256K × 18 synchronous flow-through burst SRAM designed specifically

2017-09-14 17:05:28

256k（32K×8）電池電壓并行EEPROM at28bv256

256K of memory is organized as 32，768 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology

2017-09-15 11:09:24

256K×16低電壓超低功耗CMOS靜態(tài)存儲器IS62WV25616BLL

The ISSI IS62WV25616ALL/IS62WV25616BLL are highspeed， low power， 4M bit SRAMs organized as 256K

2017-09-20 11:24:24

AD5123/AD5143: 四通道、128/256位、I2C、非易失性數(shù)字電位計

AD5123/AD5143: 四通道、128/256位、I2C、非易失性數(shù)字電位計

2021-03-21 05:50:20

AD5259：非易失性I<sup>2</sup>C兼容256位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表

AD5259：非易失性I2C兼容256位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表

2021-04-26 09:00:17

AD5258非易失性、兼容I2C?的64位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表

2021-06-16 17:24:02

Amiga 1000 A1050 256K芯片內(nèi)存擴展帶插座

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Amiga 1000 A1050 256K芯片內(nèi)存擴展帶插座.zip》資料免費下載

2022-08-05 11:54:54

AGRV2K---即時啟動、非易失性CPLD

AGRV2K CPLDs is the low cost CPLDs. This instant-on, non-volatile CPLD family targets

2022-11-02 19:26:13

1598

DS1554-70+ 時鐘/定時 - 實時時鐘

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2022-11-18 20:03:38

DS1554P-70+ 時鐘/定時 - 實時時鐘

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2022-11-18 20:53:55

DS1554-70IND+ 時鐘/定時 - 實時時鐘

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2022-11-18 21:36:15

DS1554-70 時鐘/定時 - 實時時鐘

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2022-11-18 21:45:20

DS1554W-120+ 時鐘/定時 - 實時時鐘

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2022-11-18 21:52:04

DS1554WP-120 時鐘/定時 - 實時時鐘

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2022-11-21 21:51:02

DS1554P-70 時鐘/定時 - 實時時鐘

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2022-11-21 21:51:13

DS1554W-120 時鐘/定時 - 實時時鐘

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2022-11-21 21:55:30

DS1554-70IND 時鐘/定時 - 實時時鐘

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2022-11-21 22:54:58

DS1554WP-120+ 時鐘/定時 - 實時時鐘

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2022-11-24 20:17:57

HN58X25128FPIAG/HN58X25256FPIAG 數(shù)據(jù)表(Serial Peripheral Interface 128k EEPROM(16-kword x 8-bit)/256k EEPROM(32-kword x 8-bit))

HN58X25128FPIAG/HN58X25256FPIAG 數(shù)據(jù)表 (Serial Peripheral Interface 128k EEPROM (16-kword x 8-bit)/256k EEPROM (32-kword x 8-bit))

2023-03-30 19:57:46

HN58X25128FPIAG/HN58X25256FPIAG 數(shù)據(jù)表(Serial Peripheral Interface 128k EEPROM(16-kword x 8-bit)/256k EEPROM(32-kword x 8-bit))

HN58X25128FPIAG/HN58X25256FPIAG 數(shù)據(jù)表 (Serial Peripheral Interface 128k EEPROM (16-kword x 8-bit)/256k EEPROM (32-kword x 8-bit))

2023-07-13 19:29:25

DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否

2025-02-27 09:09:09

953

DS1744系列Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術(shù)手冊

DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1744內(nèi)部的所有寄存器進行

2025-02-27 09:31:07

997

DS1244系列256k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC

2025-02-27 10:10:50

933

DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:38:41

750

DS1251 4096k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:44:58

892

DS1747 Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術(shù)手冊

DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進行訪問。RTC

2025-02-27 15:51:09

873

DS1554 256k非易失、Y2K兼容時鐘RAM技術(shù)手冊

DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有

2025-02-27 16:54:35

1042

DS1557 4M非易失、Y2K兼容時鐘RAM技術(shù)手冊

DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有

2025-02-27 17:11:32

933

DS1746 Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術(shù)手冊

DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問都通過字節(jié)寬接口實現(xiàn)，如圖1所示。RTC

2025-02-27 17:20:04

913

DS1243 64k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實時時鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容

2025-02-28 10:31:43

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MXD1210非易失RAM控制器技術(shù)手冊

MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。

2025-02-28 10:48:16

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