新加坡南洋理工大學(xué)、德國亞琛工業(yè)大學(xué)和尤利希研究中心的科學(xué)家團隊找到了一種方法讓記憶芯片執(zhí)行傳統(tǒng)上由處理器完成的計算任務(wù)。這意味著存儲芯片能在存儲數(shù)據(jù)的同一位置處理數(shù)據(jù)，將有助于創(chuàng)造出更小更快更薄的移動設(shè)備和計算機，通過減少處理器而節(jié)省空間。

　　新的計算電路使用了SanDisk和松下等公司研發(fā)的電阻式隨機存取內(nèi)存（ReRAM）芯片，研究顯示ReRAM芯片不僅可以儲存數(shù)據(jù)，還可以處理數(shù)據(jù)。研究報告發(fā)表在《Scientific Reports》期刊上。

　　什么是ReRAM？

　　ReRAM（可變電阻式存儲器），將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說，關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。

　　ReRAM一直被認為是未來閃存的替代方案，能在單塊芯片上存儲1T數(shù)據(jù)，存取速率比閃存快20倍。典型的ReRAM由兩個金屬電極夾一個薄介電層組成，介電層作為離子傳輸和存儲介質(zhì)。選用材料的不同會對實際作用機制帶來較大差別，但本質(zhì)都是經(jīng)由外部刺激（如電壓）引起存儲介質(zhì)離子運動和局部結(jié)構(gòu)變化，進而造成電阻變化，并利用這種電阻差異來存儲數(shù)據(jù)。

　　一個典型的ReRAM單元具有一個轉(zhuǎn)換材料，它具有不同的電阻特性，并且被夾在兩個金屬電極之間。ReRAM的轉(zhuǎn)換效應(yīng)是基于在電場或者高溫的影響下產(chǎn)生的離子運動以及轉(zhuǎn)換材料存儲離子分布的能力而實現(xiàn)的，從而引發(fā)設(shè)備電阻的可度量變化。

　　有很多不同的方法來實現(xiàn)ReRAM，它們采用不同的轉(zhuǎn)換材料和內(nèi)存單元組織結(jié)構(gòu)。不同的材料所具有的不同變量可以導(dǎo)致顯著的性能差異。ReRAM技術(shù)最常見的挑戰(zhàn)在于熱敏度、與標準CMOS技術(shù)和制造工藝的整合、以及每一個ReRAM單元的選擇機制。

　　ReRAM內(nèi)存的性能和比特/尺寸密度取決于內(nèi)存單元的內(nèi)聯(lián)方式。嵌入式低延滯、高速內(nèi)存可以通過用一個晶體管對每一個內(nèi)存單元進行單獨控制來實現(xiàn)。在1T1R（每1個ReRAM單元有一個晶體管）的陣列組織結(jié)構(gòu)中，內(nèi)存的總體積由晶體管的體積所決定。高密度存儲級內(nèi)存要求一個密度高得多的內(nèi)存陣列組織結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)成本效益，這就要求能夠用一個單一的晶體管來連接成千上萬的內(nèi)存單元。這種1TnR組織結(jié)構(gòu)只有當ReRAM單元具有某種內(nèi)建的選擇機制，可以單獨地、或者不指定地選擇ReRAM單元時才有可能實現(xiàn)。

　　ReRam通過改變cell的電阻來存儲數(shù)據(jù)。目前有各種各樣ReRam技術(shù)正在開發(fā)之中，包括相變內(nèi)存（PCM）和惠普Memristor技術(shù)。

　　隨著更多細節(jié)的透露，我們期待這個行業(yè)將形成良性競爭態(tài)勢。

　　ReRAM的優(yōu)點

　　雖然有不同的規(guī)格，但是所有ReRAM都具有當前NAND閃存擁有的主要優(yōu)點：

　　速度 ReRAM寫速度更快——以納秒為單位而不是毫秒——使它更好適應(yīng)于高性能應(yīng)用。

　　耐用性 最常見的MLC閃存只能處理10000次寫操作，而ReRAM卻可以處理數(shù)百萬個。

　　功率 研究人員已經(jīng)證明微安培寫入功率并期望很快將進一步降低到納安范圍，這使得ReRAM比NAND閃存能效更高。

　　在可預(yù)見的未來，NAND閃存將保留在成本和密度上的優(yōu)勢，這意味著它仍將在未來幾十年存活下去。那么ReRAM在存儲層中的定位是？

　　數(shù)據(jù)完整性 丟失一個快照是沒有什么大不了的。丟失你的支票帳戶存款就不一樣了。關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用更喜歡ReRAM，而且關(guān)鍵是買得起。

　　性能 固態(tài)盤這種高速存儲介質(zhì)消除了復(fù)雜性并提高了性能。

　　移動性 網(wǎng)絡(luò)寬帶和內(nèi)存容量之間進行著一場永無止境的拉鋸戰(zhàn)，在這種情況下，消費者可能會喜歡上他們移動設(shè)備的大容量存儲。如果是這樣， ReRAM節(jié)能的優(yōu)點將在高端產(chǎn)品有所體現(xiàn)。

　　東芝憑借其類似于今天1.5萬轉(zhuǎn)硬盤的固態(tài)硬盤，開始涉足這些高端市場。這可能不是一個巨大的市場，但是其高利潤率還是值得一試的。

　　其他廠商，包括松下、美光和三星，也正在致力于ReRAM的研發(fā)。另外一個有趣的問題是：在系統(tǒng)中ReRAM多大程度上能替代高速DRAM？

　　三進制的ReRAM提供處理能力

　　目前，市場上所有的計算機處理器，都使用了二進制系統(tǒng)，即數(shù)據(jù)由兩種狀態(tài)組成，0或者1，例如字母B，在計算機內(nèi)就存儲為「01000010」的形式。

　　數(shù)字1到27，三進制（第一行）、二進制（第二行）、十進制（第三行）數(shù)字對照表。

　　然而，ReRAM 電路所表示的數(shù)據(jù)狀態(tài)，并不是0和1兩種，它可以存儲和處理數(shù)碼有：0、1、2，即「三進制數(shù)字系統(tǒng)」，從而可以存儲更多的數(shù)據(jù)狀態(tài)。

　　原因就是，ReRAM使用不同的電阻來存儲信息，從原理上來說，可以突破現(xiàn)有二進制系統(tǒng)的限制，顯著提升計算任務(wù)的處理速度。

　　來自南洋理工大學(xué)的計算科學(xué)和工程系助理教授Chattopadhyay 是該存儲器三進制系統(tǒng)的主要設(shè)計者。他認為在目前的計算機系統(tǒng)，所有的信息在計算處理前，必須以一連串的0或者1的數(shù)據(jù)形式存儲。所以，他解釋道：

　　「這好比使用小型翻譯器和某人進行長篇對話，這會是一個耗時耗力的過程。我們現(xiàn)在增加這個小型翻譯器的容量，使它可以更加有效地處理數(shù)據(jù)。」

　　目前，移動設(shè)備和電腦，都是沿用傳統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)，從內(nèi)存中獲取數(shù)據(jù)，然后傳輸?shù)教幚砥鲉卧?，再進行計算。

　　然而，南洋理工大學(xué)設(shè)計的這種具有計算功能的存儲器，無需在處理器和存儲器之間進行數(shù)據(jù)傳輸，不僅節(jié)省了時間，而且降低了能耗。

　　由于現(xiàn)在計算機軟體正在變得越來越復(fù)雜，數(shù)據(jù)中心需要處理比以往更大量的數(shù)據(jù)。所以，對于全球產(chǎn)業(yè)來講，尋找更加快速高效的計算處理，是目前最迫切的需求之一。而能實現(xiàn)計算的ReRAM就有七天然優(yōu)勢。

　　相比當前的計算機和移動設(shè)備中的處理器速度，該存儲器設(shè)備的速度可提高達兩倍或者兩倍以上。存儲器晶元能夠完成計算任務(wù)，就無需處理器對于數(shù)據(jù)的處理，這樣不僅速度會加快，而且空間上可以節(jié)省不少，讓電子設(shè)備變得更小和更輕。

　　研究人員認為，因為ReRAM 接近商用和上市，所以使用ReRAM進行計算，會比其他即將到來的計算技術(shù)成本更低。

　　Waser 教授解釋道：

　　「ReRAM，目前是一種通用非易失存儲器的概念。這些設(shè)備能耗低、速度快，體積可以壓縮的更小。它們不僅可用于數(shù)據(jù)存儲，也可以用于計算，為在信息技術(shù)中更加有效的利用能源，開辟了一條全新的途徑?！?/p>

　　ReRAM性能卓越，它不僅具有長期的存儲容量、低能耗，也可以進行納米級制造。很多半導(dǎo)體公司，紛紛被吸引，投資研發(fā)這項技術(shù)。同時，它也將對于革新消費電子和可穿戴產(chǎn)品的設(shè)計產(chǎn)生深遠的影響。

　　展望未來，這個研究團隊目前正在尋找行業(yè)合作伙伴，利用這項重要科學(xué)進展。

　　與此同時，研究人員也在進一步開發(fā)ReRAM，未來有望處理比三進制更多的狀態(tài)，更大幅度地提高計算機計算速度。

　　另外，他們也希望在實際的計算場景中測試這項技術(shù)的性能。