在開始介紹 DDR 之前，首先要了解內(nèi)存的功用為何。大多數(shù)的 3C 產(chǎn)品在運(yùn)作時(shí)，會(huì)將正在使用的程式存放到一個(gè)短期數(shù)據(jù)儲存區(qū)，該空間即為內(nèi)存，所以有了內(nèi)存的運(yùn)用能使 3C 產(chǎn)品更快速的切換程序以方便使用。

內(nèi)存的歷史

圖一為內(nèi)存的種類及發(fā)展史：

圖一：內(nèi)存的種類及發(fā)展史

內(nèi)存（Memory）又可分為 DRAM（Dynamic Random Access Memory）動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存和 SRAM （Static Random Access Memory）靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種。兩種都是揮發(fā)性的內(nèi)存，SRAM 的主要使用 flip-flop 正反器，通常用于快取 （Cache），而 DRAM 則是使用電容器及晶體管組成。RDRAM （Rambus DRAM）因較為少見也非本篇文章主角，其他還有早期的 FP RAM、EDO RAM 也就不多作介紹。

DRAM 中又以 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存在近幾年來最廣為使用，SDRAM 最重要的就是能夠“同步”內(nèi)存與處理器（CPU）的頻率，讓 SDRAM 頻率可超過 100MHz 使傳輸數(shù)據(jù)更能實(shí)時(shí)到位。SDRAM 亦可稱為 SDR SDRAM（Single Data Rate SDRAM）。

DDR（Double Data Rate）其實(shí)指的是 DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM），SDRAM 及 DDR 主要差異有三點(diǎn)整理如下：

目前負(fù)責(zé)訂定 DDR 規(guī)范的協(xié)會(huì)為 JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council），但現(xiàn)在它的全名則是 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)（JEDEC Solid State Technology Association）。

DDR 歷代規(guī)格介紹

有了內(nèi)存的認(rèn)識之后，這邊將歷代 DRAM 的規(guī)格整理如下：

歷代演進(jìn)除了傳輸速率越來越快還有工作電壓越來越低，內(nèi)存Topology在DDR2之前Command/Address和Clock用T-Branch分支方式傳給每一個(gè)內(nèi)存顆粒，但在DDR3之后 Command/Address和Clock則改用 Fly-by串列給每一個(gè)內(nèi)存顆粒。

另外內(nèi)存鏈接形式在 DDR3 之前采用處理器（CPU）同時(shí)與多個(gè)內(nèi)存芯片控制器鏈接的“多重分支”，但在DDR4 之后每個(gè)內(nèi)存芯片控制器有單獨(dú)與 CPU 鏈接的通道，即為“點(diǎn)對點(diǎn)”的連結(jié)形式。

DDR 主要訊號介紹

DDR 的訊號類型主要分為以下五種如下：

Note： 讀?。≧ead）時(shí)，DQ 和 DQS 為同相位。寫入（Write）時(shí)，DQ 和 DQS 會(huì)有 90 度的相位差。
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