最近被這么一個(gè)工作折騰了好幾天：一個(gè)非IPI的Vivado工程（需要全部Verilog手寫），在Artix-7 FPGA中實(shí)現(xiàn)了一個(gè)ARM Cortex-M0 DesignStart軟核（老版，沒有debug模塊），存放ARM程序的存儲器是實(shí)現(xiàn)在FPGA片上RAM上的；ARM程序用Keil MDK編寫，我希望在測試這個(gè)程序時(shí)，不用每次都重新綜合一遍FPGA。

總體來說這個(gè)需求是：

Vivado；

全部HDL，非IPI；

無處理器（在Vivado看來M0 DesignStart不是處理器）；

存儲器放在BRAM上；

替換Bitstream中的BRAM初始化，而不用重新綜合整個(gè)邏輯。

這件事看上去肯定是能做到的嘛。然而Vivado要用新的updatemem命令來替換以前ISE中的data2mem，我發(fā)現(xiàn)在無處理器的工程上，相關(guān)資料比較少……

這里總結(jié)一下整個(gè)實(shí)現(xiàn)過程。使用環(huán)境是Vivado 2015.2。

先把Vivado多線程開了……
參考資料：
[Xilinx AR# 53090] Vivado - Is it possible to run Tcl commands during initialization of the Vivado or PlanAhead tools?

在Vivado安裝文件夾Vivadoversionscripts中新建一個(gè)init.tcl，里面寫
set_param general.maxThreads 8

這樣下次運(yùn)行Vivado是自動開啟8線程，綜合實(shí)現(xiàn)比較快……

將寄存器定義在BRAM上
參考資料：?
[Xilinx AR# 54778] Design Assistant for Vivado Synthesis - Help with Synthesis HDL Attribute Support - keep, keep_hierarchy, ram_style, rom_style

這個(gè)頁面的附件中給出了ram_style屬性的例子，以verilog為例：
module ram_inf_64x1d_2 (a, dpra, clk, din, we, spo, dpo);

parameter ADDRESSWIDTH = 6;
parameter BITWIDTH = 1;
parameter DEPTH = 34;

input clk, din, we;
input [ADDRESSWIDTH-1:0] a, dpra;

output spo, dpo;

(* ram_style = "block" *)
reg [BITWIDTH-1:0] ram [DEPTH-1:0];
reg [ADDRESSWIDTH-1:0] read_dpra;
reg [ADDRESSWIDTH-1:0] read_a;

always @(posedge clk) begin
if (we) begin
ram [a] <= din;
end
read_a <= a;
read_dpra <= dpra;
end

assign spo = ram [read_a];
assign dpo = ram [read_dpra];

endmodule

上面代碼展示了如何將寄存器數(shù)組reg ram強(qiáng)制定義在Block RAM上，并展示了兩種訪問方式：

單口訪問：地址a、輸入數(shù)據(jù)din、輸出數(shù)據(jù)spo；

輸入、輸出分別訪問：輸入地址a、輸入數(shù)據(jù)din、輸出地址dpra、輸出數(shù)據(jù)dpo。

實(shí)際使用中可根據(jù)需要選擇保留其中一組引腳。

綜合后可檢查Project Summary和warning看是否成功綜合成BRAM。建議這段module直接使用，不做邏輯上的修改。

查看BRAM模塊的實(shí)現(xiàn)情況
參考資料：?
[Xilinx AR# 59259] 2013.4 - Vivado IPI - write_bmm Support with non-processor Based Designs?

這個(gè)帖子是針對bmm的，但其中提到了如何查看實(shí)現(xiàn)出的BRAM模塊的位置，以及怎樣知道每個(gè)模塊分配的行、列地址范圍。

把工程Implement一下，然后打開Implemented Design。
在打開的Implemented Design里面Ctrl+F搜索所有的BMEM：

搜索結(jié)果長這樣：

每一行就是綜合出的一個(gè)BRAM模塊。選中其中一行，在它的屬性里可以看到：

其中比較重要的是模塊的名字（比如xxxxx/ram_reg_0）、位置（比如X1Y7）、行和列的地址范圍（[0:16383]和[0:1]）。

為BRAM cell添加bmm屬性
參考資料：?
[Xilinx論壇] A method to fix poor combination LBM of IPI Microblaze design?

我們需要做的是在Vivado工程里添加一個(gè)xdc約束文件，包含類似下面的內(nèi)容：
create_property bmm_info_memory_device cell -type string

set_property bmm_info_memory_device {[ 0: 1][0:16383]} [get_cells u_block_ram/ram_reg_0]
set_property bmm_info_memory_device {[ 2: 3][0:16383]} [get_cells u_block_ram/ram_reg_1]
set_property bmm_info_memory_device {[ 4: 5][0:16383]} [get_cells u_block_ram/ram_reg_2]
set_property bmm_info_memory_device {[ 6: 7][0:16383]} [get_cells u_block_ram/ram_reg_3]

# 后面還有好幾個(gè)，最后是ram_reg_15

除了第一行定義屬性之外，后面每一行都對應(yīng)上面搜索到的一個(gè)BRAM模塊（當(dāng)然不需要初始化的BRAM就不用寫了）。
這里有兩個(gè)字段需要根據(jù)實(shí)際工程來改寫：一個(gè)是類似[ 0: 1][0:16383]這樣的地址范圍，另一個(gè)是u_block_ram/ram_reg_0這樣的cell名字。其他都是不用動的。
我的工程里用到了64KBytes的RAM，總共使用了16個(gè)RAMB36模塊，所以我的xdc文件中有16行，最后到{[30:31][0:16383]} [get_cells u_block_ram/ram_reg_15]。

添加xdc文件之后把工程再次綜合實(shí)現(xiàn)一遍。

添加mmi文件

參考資料：
[Xilinx UG898] Vivado Design Suite User Guide: Embedded Processor Hardware Design?
[Xilinx AR# 63041] 2015.1 - Vivado IP Integrator - write_mem_info does not create MMI file?

上面一個(gè)文檔里有一章專門講mmi文件和updatemem命令。
下面帖子里描述了如何在有Memory Controller IP的Block Design中生成mmi文件，并附了一個(gè)tcl腳本。雖然我的系統(tǒng)中既沒有Memory Controller、也沒有Block Design，但資料還是有很大的參考意義。

實(shí)際上我把這個(gè)例子做了一遍，然后改寫了它生成的mmi。

mmi文件大概是這個(gè)模樣：

又是XML，現(xiàn)在不寫幾個(gè)XML都不好意思說自己用過Vivado……

這段代碼主要需要修改的是：

里面：Name是自己隨便起的；0和65535是分別是最小和最大地址，這里面地址的單位是字節(jié)，總共64KBytes，與總線是32位無關(guān)；另外這個(gè)地址應(yīng)該是可以不從0起始的。

每一個(gè)里面：MSB、LSB、Begin、End這些和上面xdc約束文件中的每一項(xiàng)是對應(yīng)的，Placement根據(jù)Implemented Design中搜索的結(jié)果來定。

里面：根據(jù)自己的FPGA型號修改，這個(gè)不用多說。

P.S. 在以前做bmm文件的時(shí)候，像Placement這種值是可以綜合器自動幫助填寫的，暫時(shí)還沒發(fā)現(xiàn)如何在自定義bram時(shí)在mmi文件上實(shí)現(xiàn)類似功能。

合成Bitstream
參考資料：?
[Xilinx AR# 63041] 2015.1 - Vivado IP Integrator - write_mem_info does not create MMI file?

首先生成要往BRAM里燒寫的數(shù)據(jù)，mem或elf格式。我這里是Keil MDK編譯的可執(zhí)行文件，直接把a(bǔ)xf擴(kuò)展名改成elf就能用。

把mmi、elf文件都放在Vivado工程的.runsimpl_1文件夾下，在Vivado中運(yùn)行tcl命令：
cd {C: on_processor_mmiproject_1.runsimpl_1}

updatemem -force --meminfo mmi文件名.mmi --data elf文件名.elf --bit 原始的bit文件.bit --proc dummy --out download.bit

其中C: on_processor_mmiproject_1.runsimpl_1改成自己的工程文件夾。
updatemem后面跟著的是一行命令，比較長。

祈禱沒有錯誤吧，然后可以看到impl_1文件夾中多了一個(gè)download.bit文件。
這一段可以看到Vivado重新launch_runs了write_bitstream，生成了一個(gè)新的bit文件，但并沒有再次綜合實(shí)現(xiàn)。

最后用Hardware Manager把Bitstream下載到FPGA中。

如何更新數(shù)據(jù)

比如說我用Keil MDK重新編譯出了一個(gè)elf，那么只需要再次運(yùn)行
updatemem -force --meminfo xxx.mmi --data yyy.elf --bit zzz.bit --proc dummy --out download.bit

就可以得到合成后的Bitstream，不需要再次綜合。

總結(jié)

編寫HDL文件，將寄存器強(qiáng)制定義在BRAM上；

綜合實(shí)現(xiàn)一遍；

在xdc約束文件中添加bmm屬性；

編寫mmi文件；

運(yùn)行updatemem合成Bitstream。

關(guān)于data2mem

這里記錄一下在查找資料過程中查到的利用bmm合成bit的資料，待之后嘗試。

[Xilinx UG658] Data2MEM User Guide?
Xilinx的data2mem使用手冊，支持到ISE 14.7。

[Xilinx Answer 46945] Data2Mem Usage and Debugging Guide?
Xilinx整理的Data2Mem相關(guān)問答，相當(dāng)于上面手冊的補(bǔ)充說明，更實(shí)用一些的內(nèi)容。

Using Data2Mem in a Non-EDK design?
Xilinx的另一篇文檔，內(nèi)容如其名。

Loading BRAM data?
這個(gè)wiki中作者記錄了用data2mem合成AVR核的存儲器數(shù)據(jù)的各種方法，使用的環(huán)境是ISE 12.4。

spartan3 picoblaze how to make .bmm file work?
這個(gè)帖子下面Walter Dvorak的回復(fù)提到了ISE可以自動生成bmm文件中的PLACED字段，使用的環(huán)境是ISE9.1.3。

Using Xilinx Data2MEM to Patch Block RAMs?
這個(gè)帖子把生成bmm到使用data2mem的過程總結(jié)的比較完整，其中也提到了上面那個(gè)Walter Dvorak的回復(fù)。