1. 安裝在塑料外殼壁上的 LED 通過 30cm 一對(duì)非屏蔽雙絞線連接到電路板，LED 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生單端 3.3V 50MHz PWM 信號(hào)，此時(shí)輻射發(fā)射超出250MHz時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)值近50dB。以下哪種“措施”可能會(huì)使產(chǎn)品符合要求？

2.在高頻下，金屬表面上方哪個(gè)場(chǎng)量的大小約等于表面電流密度？

3.100 MHz頻率的電磁波通過5mm厚度，相對(duì)介電常數(shù)εr = 8的透明玻璃，請(qǐng)問玻璃的屏蔽效能為多少？

4. 如果將10MHz的梯形波信號(hào)的上升時(shí)間 Tr 從1ns降到5ns，那么頻率320MHz以上諧波的最大振幅可降低多少？

5. 100*100mm的PCB內(nèi)部有一個(gè)高速開關(guān)芯片，和電源、地平面間距均小于0.3mm，為了使其他IC不受高速開關(guān)影響，得到最佳的去耦效果，去耦電容應(yīng)該怎么布局？

6. 為了減少開關(guān)噪聲引起的PCB傳導(dǎo)和輻射發(fā)射，請(qǐng)選擇具有（）盡可能小的DC-DC轉(zhuǎn)換器。

7. 通常電路板上的鐵氧體磁珠不應(yīng)與（）串聯(lián)？

8. 電壓源驅(qū)動(dòng)諧振頻率為300MHz的λ/4單極子（輻射發(fā)射模型），輻射阻抗為36 Ω。如果將鐵氧體磁芯（R=80Ω@300MHz）放置在單極子上，則單極子模型對(duì)外的輻射發(fā)射將減少（）？

9. ESD仿真器（R = 330 Ω，C = 150 pF）放電到電阻為RL.以下哪個(gè)負(fù)載電阻從模擬器接收的能量最多？

10. 在決定是否有必要在數(shù)字信號(hào)走線上使用匹配端接時(shí)，直接比較數(shù)字信號(hào)的傳播延遲與（）？

11. 單片機(jī)CMOS輸入引腳上串聯(lián)1kΩ的電阻，有助于改善產(chǎn)品EMC的（）？

12. 下圖中表示地平面上方 3.3V 走線的橫截面視圖，圍繞走線的線表示（）？

13. 電子產(chǎn)品包裝經(jīng)常用的半透明灰色或粉紅色袋子是什么材料，有什么作用？

14. EFT/B 是用于描述電快速瞬變脈沖群的首字母縮寫，縮寫中的“B”代表（）?

15. 在非屏蔽三線帶狀電纜上傳輸高速差分信號(hào)，V+和V-的最佳方法是使用（）傳輸？

16. 30MHz以上，芯片端去耦電容MLCC的損耗主要是由于（）？

17. 以下哪項(xiàng)EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)沒有包含輻射發(fā)射的測(cè)試流程？

18. 100 Mbps單端信號(hào)通過微帶走線從其源傳播到電路板邊緣，然后過渡到帶狀電纜，其中信號(hào)電流在一根導(dǎo)線上流動(dòng)，返回電流流經(jīng)2mm外的相鄰導(dǎo)線。在這種情況下，驅(qū)動(dòng)帶狀電纜相對(duì)于電路板的共模電壓為（）？

19. 假設(shè)介電材料相同，哪條傳輸線的傳播延遲最長(zhǎng)？

20. 驅(qū)動(dòng)CMOS容性負(fù)載時(shí)，輸入端良好的數(shù)字信號(hào)出現(xiàn)過沖和振鈴，清楚地表明（）沒有得到合適的控制。

21. 哪種EM耦合機(jī)制與源電壓成正比，而不是與源電流成正比？

22. 低頻時(shí)，圓形銅線的內(nèi)部電感為（）？

23. 雙端口線性網(wǎng)絡(luò)的輸入信號(hào)為正弦，均方根幅度為 1V，頻率為 100 MHz。輸出信號(hào)必須符合什么條件？

24. 磁場(chǎng)強(qiáng)度的國(guó)際單位為（）？

25. 為了防止差模到共模的轉(zhuǎn)換，電連接器的什么特性需要與兩端的信號(hào)導(dǎo)體相匹配？

26. 在多線傳輸線中，并行信號(hào)導(dǎo)體承載電流I1和I2，其中 I1和I2同向。線對(duì)上的共模和差模電流為（）？

27. TDR 測(cè)試連接到 50 Ω電纜的輸入端，并測(cè)量如圖所示的波形，請(qǐng)問電纜另一端是150Ω電阻和（）？

28. 位于地平面上方1mm的兩個(gè)并聯(lián)走線的互容為20pF/m，如果地平面上方的高度降低到0.25mm，則互容將（）？

29. 當(dāng)頻譜儀分辨帶寬為9kHz時(shí)，可同時(shí)測(cè)量頻率1.01MHz、幅度40dB(μV)和頻率1.03 MHz、幅度35dB(μV)的窄帶信號(hào)。當(dāng)分辨帶寬調(diào)整為100kHz時(shí)，頻譜儀將顯示什么峰值幅度？

30. 以6層板的層疊為例，給出3種層疊結(jié)構(gòu)，闡述其優(yōu)缺點(diǎn)以及使用場(chǎng)合。

31. PCB板上10MHz時(shí)鐘單端信號(hào)(阻抗75Ω)通過連接器，連接器處為100Ω雙絞線傳輸。如果雙絞線對(duì)上的峰值差分電壓為3.3 V，請(qǐng)問在30MHz處，雙絞線相對(duì)于PCB板的共模電壓是多少？

32. 用于保護(hù)單片機(jī)的Reset 輸入引腳免受ESD間接放電影響的最佳組件通常是（）？

33. 對(duì)于圖中所示的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，高頻開關(guān)電流環(huán)路和開關(guān)電壓節(jié)點(diǎn)分別是指？

34. 兩個(gè)電路板之間通過FPC排線傳輸速率1Mbps電平為3.3V的數(shù)字信號(hào)，F(xiàn)CC Class B測(cè)試中，在頻率100MHz左右時(shí)，最壞情況下輻射發(fā)射大概是多少？

35. 在長(zhǎng)20cm的FPC排線上發(fā)送1Mbps的CMOS信號(hào)，最重要的是什么？

36. 同軸電纜的內(nèi)徑為2cm，外徑為7cm，如果導(dǎo)體之間的電介質(zhì)是空氣，那么在電纜中傳播的TEM波的電場(chǎng)幅度與磁場(chǎng)幅度之比是多少？

37. 估算差分信號(hào)系統(tǒng)的RF抗擾度的一個(gè)重要參數(shù)是接收機(jī)的（）？

38. 當(dāng)高速偽差分信號(hào)在電路板之間通過非屏蔽帶狀線傳輸時(shí)，哪種輻射是EMI的主要來源？

39. 電路板上的電流在什么頻率下采用電阻/電抗最小路徑？

40. 對(duì)接收器CMOS信號(hào)輸入端仿真建模，為了簡(jiǎn)單處理，通常選擇（）作為一階CMOS輸入？

41. 在100MHz下測(cè)量的500m長(zhǎng)電纜卷軸，輸入阻抗大約等于多少？

42. 為什么低頻模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)有時(shí)會(huì)做地隔離？

43. 傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試中，連續(xù)時(shí)鐘信號(hào)的3次諧波峰值檢波為窄帶信號(hào)，那么平均值檢波與峰值檢波測(cè)試值相比如何？

44. 在設(shè)計(jì)電源線濾波器時(shí)，電感放在一條線路還是兩條線路上的決定主要取決于（）？

45. 與差分信號(hào)相比，偽差分信號(hào)的一個(gè)重要優(yōu)勢(shì)是什么？

46. 位于地平面上方1m處垂直極化的30MHz發(fā)射源，在什么情況下遠(yuǎn)場(chǎng)輻射最大？

47. 哪種屏蔽材料抑制傳導(dǎo)輻射強(qiáng)度不大？

48. 在哪個(gè)應(yīng)用頻段，主動(dòng)降噪可以替代屏蔽，從而達(dá)到降本的手段？

49. 為什么晶閘管對(duì)ESD保護(hù)無(wú)效？

50. 以下小型環(huán)形天線廣泛用于檢測(cè)和測(cè)量？

編輯：黃飛

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