總的來說，場效應晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強型場效應晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:20
22654 場效應晶體管的源極、漏極和柵極分別相當于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應于晶體管放大電路，場效應晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:004991 在半導體器件的講解中，場效應晶體管應該說最值得拿來詳細介紹一番的。
2023-09-28 09:31:044115 
繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機械開關(guān)，實現(xiàn)對電路的控制。而場效應晶體管（MOS管）是一種基于半導體材料工作的場效應晶體管，通過柵極施加正負偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:417845 
隨著半導體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514444 
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
場效應晶體管的K值得問題：在研究學習楊建國老師的負反饋和運算放大器基礎(chǔ)這本書的時候，發(fā)現(xiàn)有一道題的一個參數(shù)不知道什么意思，請大咖們幫忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 這個參數(shù)是什么意思呢？多謝！~
2019-04-04 11:47:20
（1）場效應晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應晶體管
2019-03-28 11:37:20
曲同工之妙。下面列舉場效應晶體管在電路中常用的五大作用：二、場效應晶體管五大作用：1、放大作用場效應晶體管可應用于放大。由于場效應晶體管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2
2019-03-25 16:16:06
實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的場效應晶體管就存在一定的風險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。2、場效應晶體管寬電壓應用：輸入電壓
2019-04-16 11:22:48
場效應晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性
2019-05-08 09:26:37
`場效應晶體管在運用時除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外，對于絕緣柵型場效應晶體管還應特別留意由于感應電壓過高而形成的擊穿因素。場效應晶體管在運用時應留意以下幾點：1、場效應晶體管在運用時要留意
2019-03-22 11:43:43
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動保護等電路，可選用結(jié)型場效應晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動機驅(qū)動、繼電器驅(qū)動等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設計.doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機H橋驅(qū)動電路方案.doc詳細講解MOSFET管驅(qū)動電路.doc場效應晶體管的幾點使用知識.doc全系列場效應管
2019-08-11 22:46:35
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS場效應晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場效應晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場效應晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
`電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開MOS管與場效應晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場效應晶體管混為一談，到底MOS管和場效應晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系？這對于初學者來說
2019-04-15 12:04:44
。圖片：D. Hisamoto等人，1990年 英特爾在 2012 年宣布使用批量配置（22 納米技術(shù)）（圖 11）。 圖 11.英特爾的鰭式場效應晶體管。圖片：英特爾公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
MOS_場效應晶體管
2012-08-20 08:21:29
輸出;還可以把基極電流lb放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。（2）場效應晶體管含義：原件要比晶體管小得多晶體管就是一個小硅片 但是場效應晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復雜場效應管的溝道一般是幾個納米
2019-04-09 11:37:36
PDSM并留有—定余量。（7）漏源電流漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù)，是指場效應晶體管正常工作時，漏源間所允許經(jīng)過的電流。場效應晶體管的工作電流不應超越IDSM。`
2019-04-04 10:59:27
`隨著便攜式電子產(chǎn)品的興盛，人們的生活發(fā)生看翻天覆地的變化，然而這一切都與電子元器件行業(yè)的兩位領(lǐng)軍人物有著不可分割的關(guān)系，那就是三極管與場效應晶體管，他們深受電子行業(yè)的鐘愛，三極管(BJT
2019-04-08 13:46:25
我想了解互補場效應晶體管點火和只用一個場效應晶體管點火與 PWM 的區(qū)別？
2024-05-21 07:24:48
場效應晶體管的誕生。鰭式場效應晶體管架構(gòu)的后續(xù)改進提高了性能并減少了面積。鰭式場效應晶體管的 3D 特性具有許多優(yōu)點，例如增加鰭片高度以在相同的占位面積下獲得更高的驅(qū)動電流?！ D2顯示了MOSFET結(jié)構(gòu)
2023-02-24 15:25:29
對芯片作底層支撐的場效應晶體管，一款能起良好穩(wěn)壓作用的芯片非常重要。因此在進行開關(guān)電源設計時，工程師會更多地考慮使用更優(yōu)質(zhì)的場效應晶體管來支持電源芯片，這需要考慮場效應晶體管的什么性能呢？應從
2019-04-01 11:54:28
`功率場效應晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
）。2. 場效應晶體管的隔離作用場效應晶體管實現(xiàn)電壓隔離的作用是另外一個非常重要且常見的功能，隔離的重要性在于：擔心前一極的電流漏到后面的電路中，對電路系統(tǒng)的上電時序，處理器或邏輯器件的工作造成誤判，最終
2019-03-29 12:02:16
如何挑選出好的場效應晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
`我們常接觸到場效應管，對它的運用也比較熟習，相對來說對場效應晶體管就陌生一點，但是，由于場效應晶體管有其共同的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱動搖性好等，在我們的運用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
Ib放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。二、場效應晶體管：原件要比晶體管小得多.晶體管就是一個小硅片.但是場效應晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復雜.場效應管的溝道一般是幾個納米,也就是說場效應晶體管
2019-03-27 11:36:30
``隨著便攜式電子產(chǎn)品浪潮的飛速發(fā)展，我們的生活便于電子產(chǎn)品如影隨形，你可能不知道，在生產(chǎn)電子產(chǎn)品的過程中，有一種電子元件，深受電子工程師的青睞，那就是場效應晶體管，我們常接觸到晶體三級管，對它
2019-03-26 11:53:04
`一、場效應晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度，我們對電子產(chǎn)品性能的要求也越來越高，在一些電子產(chǎn)品的電路設計與研發(fā)中，不光是開關(guān)電源電路中，還有在便攜式電子產(chǎn)品的電路中都會用到場效應晶體管
2019-04-02 11:32:36
`在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過pn結(jié)勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
場效應晶體管的分類及使用
場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2010-01-13 16:01:59
133 場效應晶體管增益自動控制測試儀
2008-02-25 21:08:531299 
低成本有機場效應晶體管研究取得新進展
近年來，有機場效應晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標簽等方面的潛在應用前景而備受學術(shù)界和工業(yè)界
2008-11-26 08:21:22541 
MOS場效應晶體管使用注意事項: MOS場效應晶體管在使用時應注意分類，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下
2009-03-11 22:22:501219
短波場效應晶體管放大器電路圖
2009-04-08 09:23:334790 
結(jié)型場效應晶體管采樣與保持電路圖
2009-04-09 09:28:07927 
場效應晶體管級聯(lián)視頻放大器電路圖
2009-04-15 08:46:281419 
場效應晶體管電壓表電路圖
2009-04-15 09:24:031072 
功率場效應晶體管(MOSFET)原理
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小
2009-04-25 16:05:1010826 
場效應晶體管
場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:157511
VMOS功率場效應晶體管光敏繼電器電子圖
2009-06-03 15:44:351433 
場效應晶體管氣敏差分電路圖
2009-06-08 09:43:22904 
場效應晶體管TVS保護電路圖
2009-06-08 14:53:551201 
4CCM場效應晶體管源極輸出電路圖
2009-06-08 15:15:441372 
金屬氧化硅場效應晶體管電路圖
2009-07-01 12:00:21618 
使用場效應晶體管的貨車箱形電路圖
2009-07-02 13:11:18594 
MOS場效應晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場效應
2009-09-05 15:17:181525 
結(jié)型場效應晶體管（JFET）電壓表
這個非常簡單的
2009-09-24 14:45:471066 
結(jié)型場效應晶體管是什么?
結(jié)型場效應晶體管 利用場效應原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應就是改變外加垂直于半導體表面上電場的方向或大小，
2010-03-04 15:58:134031 薄膜場效應晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)
TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜場效應晶體管LCD，是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。
和TN技術(shù)不
2010-03-26 17:22:235384 絕緣柵場效應晶體管“放電式”長延時電路圖
2010-03-30 14:44:541879 
絕緣柵場效應晶體管長延時電路圖
2010-03-30 14:45:531671 
場效應晶體管放大器
場效應晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點，被廣泛應
2010-04-16 10:08:575587 
場效應晶體管開關(guān)電路
場效應晶體管（簡稱場效應管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場效應管作為開關(guān)器件應用類似
2010-05-24 15:26:0612209 晶體材料國家重點實驗室陶緒堂教授領(lǐng)導的課題組在有機場效應晶體管(Organic Field Effect Transistors，OFET)研究方面取得重要進展。
2012-04-26 09:00:141373 
電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學習教材資料——場效應晶體管介紹
2016-08-22 16:18:030 電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學習教材資料——場效應晶體管的分類及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率場效應晶體管及其應用
2017-09-21 11:21:2429 本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應用研究三個方面介紹了有機場效應晶體管。
2018-01-03 14:20:4430189 
有機場效應晶體管（organic fieldeffect tran-sisbor，OFET）因具有以下幾個突出特點而受到研究人員的極大重視：材料來源廣、可與柔性襯底兼容、低溫加工、適合大批量
2018-01-03 14:53:5952384 
隧穿場效應晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4534300 
功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
2019-10-11 10:26:3113045 
功率場效應晶體管（VF）又稱VMOS場效應管。在實際應用中，它有著比晶體管和MOS場效應管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0930043 
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
2020-03-23 11:03:1813929 
場效應晶體管（FET）簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103 場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2020-07-02 17:19:0522 場效應晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導體型）兩大類?？煞譃橐韵?種?？煞譃榻Y(jié)型場效應晶體管與絕緣柵型場效應晶體管。
2020-09-18 14:08:4410168 MOS場效應晶體管在使用時應注意分類，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:0011890 結(jié)型場效應晶體管原理與應用。
2021-03-19 16:11:1727 NP160N055TUKMOS場效應晶體管
2023-03-17 19:50:160 場效應晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應來控制輸出電路電流的半導體器件，并以此命名。因為它只依靠半導體中的多數(shù)載流子來導電，所以又稱為單極晶體管。場效應晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:232248 場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:043377 
場效應晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導體器件，它是一種基于電場效應的三極管。與普通的三極管相比，場效應晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點。
2023-05-17 15:15:379728 
功率MOS場效應晶體管電參數(shù)指標中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:191096 
NP160N055TUKMOS場效應晶體管
2023-07-07 18:41:520 場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點。場效應晶體管的工作原理是基于電場效應，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:464281 選擇場效應晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:381178 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:412184 
【科普小貼士】什么是結(jié)型場效應晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:442132 
場效應晶體管柵極電流是多大 場效應晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:082626 場效應晶體管是一種常用的半導體器件，用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:542597 場效應晶體管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應等優(yōu)點，在電子技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛的應用。 一
2024-08-01 09:13:202428 結(jié)型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應原理工作的三端有源器件，其特點在于通過改變外加電場來調(diào)制半導體溝道中的電流，從而實現(xiàn)
2024-08-15 16:41:422886 結(jié)型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）和N溝道場效應晶體管（N-Channel Field-Effect Transistor，簡稱N溝道
2024-10-07 17:28:001707 在選擇場效應晶體管（FET）時，需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應用需求，同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細的選擇場效應晶體管的指南，包括關(guān)鍵步驟、考慮因素以及具體的應用建議。
2024-09-23 18:18:241695 當代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071128 
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