摘要：英諾賽科推出
100V 雙向?qū)ㄆ骷?，可在電池管理系統(tǒng)、雙向變換器的
高側(cè)負荷開關(guān)、電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效應(yīng)用。 ? 英諾賽科宣布推出
100V 雙向?qū)ㄆ骷?/div>
2023-10-13 13:46:59
1841 
應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導(dǎo)體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-14 16:55:243069 惠海直銷30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 貼片 mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252
2020-11-12 09:52:03
達到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HN03N10D產(chǎn)品應(yīng)用于：LED燈去頻閃，香薰機，加濕器 ，LED電源，充電器，小家電，電源售后服務(wù)：公司免費提供
2021-05-08 15:10:13
特點
9V 至 100V 的輸入電壓范圍功率管 4A 電流限制
2A 連續(xù)負載電流
93%峰值效率
400μA 工作靜態(tài)電流
集成 100V/400mΩ的 NMOS 管
峰值電流控制模式
300
2023-10-23 15:03:33
產(chǎn)品概述SL3041 是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管可設(shè)定輸出電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器?？晒ぷ髟趯捿斎腚妷悍秶哂袃?yōu)良的負載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（10V至100V）可提供最大3A電流的高效率
2022-06-08 10:35:57
、大功率 MOSFET 開關(guān)管，外圍元器件簡單，系統(tǒng)應(yīng)用靈活，轉(zhuǎn)換效率最高可達 98%以上，輸入電壓可兼容到 100V以上，系統(tǒng)體積小，內(nèi)置過溫保護，開路保護，過流保護，短路保護，輸入過壓保護等全套可靠性
2015-12-18 11:48:51
優(yōu)異，調(diào)光無頻閃，調(diào)光深度0.1%，沒有EMC問題，解決體積受限問題產(chǎn)品描述：H7310是一款耐壓100V的中低壓線性大電流高精度LED驅(qū)動芯片，適合于輸入2.5~100V電壓范圍的LED驅(qū)動，輸出
2020-09-25 09:40:22
比較器，off-time控制電路，恒流驅(qū)動控制電路等，100V轉(zhuǎn)20V-30V特別適合大功率，多個高的LED燈串恒流驅(qū)動。 AH2030-100V轉(zhuǎn)20V-30V采用固定off-time控制工作方式，其
2021-12-21 10:50:02
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
在電源管理芯片的領(lǐng)域中，滿足高電壓輸入、靈活輸出以及強大電流驅(qū)動的需求至關(guān)重要。當(dāng)您的項目需要一款能在復(fù)雜電源環(huán)境下穩(wěn)定運作的芯片時，DCDC 降壓型 100V 耐壓芯片 SL3041，憑借其出色
2025-02-26 16:46:52
H6203G 是一款150V高耐壓芯片支持100V轉(zhuǎn)3.3V 100V轉(zhuǎn)5V 100V轉(zhuǎn)12V。
產(chǎn)品描述
H6203G是一種內(nèi)置150V耐壓MOS，支持輸入高達120V的高壓降壓開關(guān)控制器，可以向負載
2024-01-26 14:13:26
INA226, INA138在做一款BMS系統(tǒng)，電池最高電壓100V，最低40V，最大瞬間電流100A。這種需求是否可以使用INA226?因為手冊上寫最大共模電壓36V，因此對電壓部分的疑慮比較大。如果INA226不適合，有沒有其他的I2C方案可以推薦
2024-08-08 06:04:13
一、產(chǎn)品概述：KP85302SGA是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。高速風(fēng)簡專用電機驅(qū)動芯片KP85302采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動電路
2025-06-14 09:08:31
HT7886是一款高壓降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，可向負載提供高達2A的連續(xù)電流。它集成了高壓的高端功率MOSFET，電流限制通常為3.5A。其極寬 的5V至100V輸入電壓范圍能適應(yīng)各種降壓應(yīng)用，使其成為汽車
2022-04-10 17:45:34
概述SL3041 是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管可設(shè)定輸出電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器?？晒ぷ髟趯捿斎腚妷悍秶哂袃?yōu)良的負載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（10V至100V）可提供最大3A電流的高效率輸出
2023-04-20 10:19:11
產(chǎn)品概述SL3041 是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管可設(shè)定輸出電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器?？晒ぷ髟趯捿斎腚妷悍秶哂袃?yōu)良的負載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（10V至100V）可提供最大3A電流的高效率
2021-09-29 10:25:53
產(chǎn)品概述SL3041 是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管可設(shè)定輸出電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器?？晒ぷ髟趯捿斎腚妷悍秶哂袃?yōu)良的負載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（10V至100V）可提供最大3A電流的高效率
2022-01-05 09:54:11
描述 SL9486A是一款高壓降壓開關(guān)產(chǎn)品向提供高達2A的連續(xù)電流的調(diào)節(jié)器加載。它集成了高端電源電流限值通常為3.5A的MOSFET。寬5V至100V的輸入范圍適應(yīng)各種降壓應(yīng)用，非常適合汽車、工業(yè)
2022-07-01 15:20:52
一、概述：SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅(qū)動器，專為驅(qū)動MOSFET和IGBT設(shè)計。其核心優(yōu)勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅(qū)動電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動通道
2025-11-20 08:47:23
，可在12V供電條件下實現(xiàn)軌到軌輸出，顯著提升開關(guān)電源、電機控制系統(tǒng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器的響應(yīng)速度與能效。產(chǎn)品特性
雙通道獨立輸出：支持兩路獨立驅(qū)動或并聯(lián)模式，并聯(lián)后可提供更高電流輸出，靈活適配多種拓撲
2025-08-20 08:31:00
最近要搞一個項目，要用到485訊，波特率要2.5M，有人已經(jīng)做出來了的，請問各位高手，STM32F407ZGT6怎么設(shè)2.5M波特率？
2024-03-25 08:18:59
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動額定功率高達800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
`HG160N10LSN溝道VDS=100V IDS=10ATO-252HG160N10LS為中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HG160N10LS實際電壓可以達到100V，可以
2020-11-14 11:50:57
華為EMC資料-94頁-2.5M相關(guān)課程：http://t.elecfans.com/topic/45.html
2016-01-01 19:07:15
1.5V，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強?！鯤C030N10L可以應(yīng)用于LED驅(qū)動電源，電弧打火機、驅(qū)動電機、工控電源等產(chǎn)品，高性價比?！鯤C030N10L
2020-12-12 14:41:06
AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-08-05 11:48:56
超聲波發(fā)送器需要穩(wěn)定的可編程直流電源，以便在傳輸期間將高電流驅(qū)動到壓電傳感器。TIDA-01371 參考設(shè)計展示了一款能夠提供 ±2.5 至 ±100V 輸出電壓的正負線性穩(wěn)壓器。使用外部控制電壓
2018-12-05 14:16:39
:內(nèi)置溫度保護 輸出短路保護 內(nèi)置5.6V穩(wěn)壓管 高效率：可高達 95% 最大工作頻率：300kHz 寬輸入電壓范圍：2.5V~100V關(guān)斷時間可調(diào)峰值電流采樣電壓：250mV亮度可調(diào)：EN端的PWM
2018-08-06 15:15:30
100%雪崩測試，確保在高能量條件下的穩(wěn)健性
· 高電流處理能力
· 具備出色的散熱性能
---產(chǎn)品應(yīng)用---
· 電池管理
· PD無線充電
· 電機控制與驅(qū)動
2024-10-14 09:40:16
AP5167 為一款高效率、降壓型、內(nèi)置高壓MOSFET 的恒流LED 驅(qū)動電路。AP5167 采用固定關(guān)斷時間的峰值電流檢測模式，最高輸出電壓可達 100V。芯片包括一個 PWM 調(diào)光腳，可以通過
2019-07-19 09:25:15
AP5167 為一款高效率、降壓型、內(nèi)置高壓MOSFET 的恒流LED 驅(qū)動電路。AP5167 采用固定關(guān)斷時間的峰值電流檢測模式，最高輸出電壓可達 100V。芯片包括一個 PWM 調(diào)光腳，可以通過
2019-10-25 08:47:57
SL3036以其耐壓100V、高效穩(wěn)定、熱穩(wěn)定性好和抗干擾能力強等特點，在電機驅(qū)動板應(yīng)用中發(fā)揮著不可替代的作用。無論是作為電源管理的核心部件，還是作為電機控制的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，SL3036都能提供可靠的支持
2024-05-28 15:54:50
在工業(yè)電源、汽車電子和新能源領(lǐng)域，寬輸入電壓范圍與高集成度是電源芯片的核心競爭力。SL9486A作為一款支持5-100V輸入的同步降壓轉(zhuǎn)換器，集成了3.5A開關(guān)電流限制能力，為工程師提供了高可靠性
2025-07-08 16:17:07
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 6 月 12 日 – 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446，用來驅(qū)動雙晶
2008-06-30 10:51:211191 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 級新版本，該器件是一個高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 驅(qū)動器，以在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和
2008-12-09 02:33:472132 
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)近日宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的40V至100V汽車專用MOSFET組合。新系列MOSFET適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(ICE)平臺以及微型混合動
2010-12-24 09:20:501312 造成高達60V或更多。LTC3810是一種電流模式同步可直接步進的開關(guān)穩(wěn)壓控制器降低輸入電壓高達100V，使得它非常適合這些惡劣的環(huán)境。下臺的能力高輸入電壓直接允許一個簡單的單電感拓撲結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致緊湊的高性能功率供應(yīng)低對比度驅(qū)動拓撲結(jié)構(gòu)需要體積大，價格昂
2017-05-15 14:22:50
31 達拉斯， 2月。 1,2016 //PRNewswire/- 德州儀器（TI）（納斯達克股票代碼：TXN）今日推出首款用于高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高端FET驅(qū)動器，提供先進的功率保護
2019-08-07 15:12:184707 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:113 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 DN461 - 100V 控制器幾乎可從任何輸入來驅(qū)動高功率 LED 串
2021-03-21 13:06:519 揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工藝，針對電機驅(qū)動、BMS等應(yīng)用設(shè)計，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。
2022-04-08 15:01:342715 
NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:003105 
NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:572243 
采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 雙 N 溝道 100 V、159 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K134-100E
2023-02-21 19:54:070 雙 N 溝道 100 V、37.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K45-100E
2023-02-22 18:41:040 雙 N 溝道 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E
2023-02-22 18:41:140 雙 N 溝道 100 V、82.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E
2023-02-22 18:42:540 雙 N 溝道 100 V、121 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K134-100E
2023-02-22 18:43:220 N 溝道 100 V、16.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 LFPAK-PSMN016-100YS
2023-02-22 18:45:470 N 溝道 100 V、5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN5R0-100PS
2023-02-22 18:46:360 N 溝道 LFPAK 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100YS
2023-02-22 18:47:050 N 溝道 LFPAK 100 V、39.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN039-100YS
2023-02-22 18:47:150 N 溝道 LFPAK 100 V、72.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN069-100YS
2023-02-22 18:47:430 采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、12 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-100YS
2023-02-22 18:49:300 采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、13 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-100YSE
2023-02-22 18:49:430 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 N 溝道 100 V、4.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN4R3-100PS
2023-02-22 18:59:520 N 溝道 100 V、26.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS
2023-02-22 19:03:500 N 溝道 100 V、16 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN016-100PS
2023-02-22 19:04:160 I2PAK 中的 N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN013-100ES
2023-02-22 19:05:000 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL
2023-02-22 19:05:130 N 溝道 100 V、8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN8R5-100PS
2023-02-22 19:05:460 TO220 中的 N 溝道 100 V、6.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100PS
2023-02-22 19:06:570 LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、36.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，專為高功率 PoE 應(yīng)用而設(shè)計-PSMN040-100MSE
2023-02-23 18:40:070 N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN013-100PS
2023-02-23 18:40:210 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140 LFPAK 中的 N 溝道 100 V、20.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN020-100YS
2023-02-23 18:44:180 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230 是用于大電流應(yīng)用場景，最優(yōu)化的封裝。其產(chǎn)品系列最大電流可達300A以上，主要應(yīng)用于類似動力BMS、逆變儲能、低速電動車、電動工具、無人機電調(diào)、潛航器電機等大電流應(yīng)用場景。 TOLL 封裝的占位面積僅為
2023-02-28 10:59:442117 
N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570 應(yīng)對大電流場景的“法寶”，維安TOLL MOSFET優(yōu)勢講解
2023-03-17 23:48:422690 
步Buck芯片。 1.?外圍簡約 MK911X集成100V高邊MOSFET，采用COT控制模式，無需額外的補償電路。7V - 100V超寬推薦輸入電壓，覆蓋工業(yè)電壓12V - 54V的寬電壓應(yīng)用范圍
2023-04-24 11:57:141813 PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:582148 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機驅(qū)動應(yīng) 用，開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:161652 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:342882 
應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導(dǎo)體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-15 11:26:491339 強茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET，此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計提供優(yōu)異性能和效率。
2024-05-23 11:42:492165 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《航天級100krad 100V高側(cè)電流檢測電路.pdf》資料免費下載
2024-09-07 09:57:370 TOLL新推出強電流能力，高瞬態(tài)負壓、高引腳耐壓，600V高壓半橋驅(qū)動TMI87162， 該產(chǎn)品使用于電器電機驅(qū)動（空調(diào)、洗衣機、冰箱、洗碗機），風(fēng)機，通用逆變器，電動自行車，電動工具等應(yīng)用市場
2024-11-25 12:04:301115 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38958 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:42:090 LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 （GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on） 和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 11:19:521063 
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 （GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on） 和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 15:16:11926 
「KM10360N-TOL」。以1.2mΩ超低內(nèi)阻、100V耐壓和極致散熱性能，還采用了先進的TOLL封裝技術(shù)，重新定義小型化電源方案的新邊界！01產(chǎn)品參數(shù)：精準(zhǔn)匹配高性能需求這些
2025-02-27 12:02:084597 
MP1918 是一款 100V 半橋驅(qū)動器，用于在半橋或同步應(yīng)用中驅(qū)動具有低柵極閾值電壓的增強型氮化鎵 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。 *附件：MP2797 中文數(shù)據(jù)手冊.pdf
2025-03-01 15:41:061652 
TPS48100-Q1 是一款具有保護和診斷功能的 100V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V–95V 的寬工作電壓范圍，適用于 12V、24V 和 48V 系統(tǒng)設(shè)計。該器件可以承受并
2025-05-06 13:44:09686 
TPS48130-Q1 是一款具有保護和診斷功能的 100V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V–95V 的寬工作電壓范圍，專為 12V、24V 和 48V 系統(tǒng)設(shè)計而設(shè)計。該器件可以
2025-05-06 14:38:32628 
DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。該
2025-10-14 15:30:54804 
在如BMS、電機控制、負載開關(guān)的12V/24V電源系統(tǒng)中，高電流容量、低損耗與可靠性是核心需求，合科泰新推出的HKTS190N03與HKTS190N04的TOLL4封裝MOS管，正是針對這類場景
2025-11-17 14:49:15619 
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