Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件
2011-05-13 08:44:56
1299 Diodes公司推出一對互補(bǔ)性雙MOSFET組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用
2011-06-24 09:00:342295 Diodes公司（Diodes Incorporated） 推出雙低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器AP7346。新器件專為智能手機(jī)、平板電腦和類似的消費(fèi)電子產(chǎn)品中的指紋辨識(shí)模塊提供功率及輸入／輸出電源。
2015-09-14 11:51:00894 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出DMN61D8LVTQ雙通道電感負(fù)載驅(qū)動(dòng)器，適用於汽車電感負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，包括窗戶、門鎖、天線繼電器、螺線管及小型直流電機(jī)。片上集成式齊納二極管和偏置電阻器可排除對多個(gè)外部元件的需求，有效節(jié)省成本及縮減印刷電路板占位面積。
2015-09-22 09:19:091003 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 （PoE） 系統(tǒng)的開關(guān)，能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點(diǎn)、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話、銷售點(diǎn)終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。
2015-10-19 13:36:161345 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作為開關(guān)使用，確保在現(xiàn)場可編程門陣列 （FPGA） 電源軌上使用的大型大容量
2015-10-27 09:47:591259 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在為車用電子控制單元提供電池反向保護(hù)。電子控制單元在愈來愈多車用控制應(yīng)用內(nèi)
2015-11-05 16:08:271597 H橋（全橋）驅(qū)動(dòng)器在驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)等負(fù)載方面非常流行，并且已廣泛用于機(jī)器人技術(shù)和工業(yè)中。使用H橋驅(qū)動(dòng)器的主要優(yōu)點(diǎn)是效率高，旋轉(zhuǎn)方向變化和制動(dòng)電動(dòng)機(jī)。
2021-05-20 06:55:009828 
H 橋（全橋）驅(qū)動(dòng)器在驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)等負(fù)載中非常流行，廣泛用于機(jī)器人和工業(yè)。使用 H 橋驅(qū)動(dòng)器的主要優(yōu)點(diǎn)是效率高、旋轉(zhuǎn)方向改變和制動(dòng)電機(jī)。在這篇文章/視頻中，我介紹了一個(gè)完整的 H 橋直流電機(jī)
2022-07-27 11:35:215992 
今天給大家介紹的是：H橋電路、H橋實(shí)例詳細(xì)講解。
2023-07-17 09:07:1516459 
你也許通過線上-線下的資料對于搭建H-橋電路有所了解，畢竟這些電路相對比較簡單。但有些資料介紹H-橋電路比較精準(zhǔn)，但有些差一點(diǎn)。當(dāng)你實(shí)際使用橋電路的時(shí)候也許就會(huì)意識(shí)到，很多電路特性實(shí)際上并沒有在網(wǎng)
2023-11-24 12:24:245230 
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。
2020-04-23 11:05:581200 汽車級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時(shí)增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:073584 Diodes 公司推出 DGD0579U 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。這款高頻裝置內(nèi)建自舉式二極管，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè)通常用于控制馬達(dá)及 DC-DC 電力傳輸?shù)?N 通道 MOSFET。
2022-02-24 17:56:531571 
的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm2) （參見圖1），是專為諸如信息娛樂系統(tǒng)等空間受限的應(yīng)用情況設(shè)計(jì)的。圖1：CSD18541F5l與網(wǎng)格陣列封裝相比您的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝（參見圖2…
2022-11-16 07:06:25
`Diodes公司繼續(xù)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品組合，采用新型N和P通道器件，擊穿電壓高達(dá)450V，并提供多種封裝選擇。 Diodes Inc. MOSFET產(chǎn)品系列非常適合各種應(yīng)用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
目前一般將H橋驅(qū)動(dòng)當(dāng)作電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)，如下圖1所示，要做好驅(qū)動(dòng)電路，必須得了解清楚MOSFET的一些原理，才不會(huì)出錯(cuò)。圖1 H橋全橋驅(qū)動(dòng)電機(jī)1、單個(gè)MOSFET作驅(qū)動(dòng)先來看一下MOSFET
2021-07-05 07:18:34
我和H-Bridge'VNH5180A'進(jìn)行了交互。我試圖找到問題好幾天了，但我找不到它。 H橋的輸出電壓不正確。 在橋的Pins是這些電壓。我用示波器測量它們：指定電阻前的電壓H橋引腳的電壓
2019-01-11 16:04:21
，A點(diǎn)的電壓就是一個(gè)方波，最大值是12V+VBAT，最小值是12V（假設(shè)二極管為理想二極管）。A點(diǎn)的方波經(jīng)過簡單的整流濾波，可提供高于12V的電壓，在驅(qū)動(dòng)控制電路中，H橋由4個(gè)N溝道功率MOSFET
2020-07-15 17:35:23
0、小敘閑言最開始學(xué)習(xí)三極管的時(shí)候，很注重它的工作原理，后來到了實(shí)際應(yīng)用，就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個(gè)開關(guān)器件使用。直到前這幾天，接觸到MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，發(fā)現(xiàn)把它純當(dāng)作一
2021-08-31 06:49:35
(POL)、高效負(fù)載開關(guān)和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設(shè)計(jì)人員使用FDMC8010器件，能夠?qū)⒎庋b尺寸從5mmx6mm減小為3.3mmx3.3mm，節(jié)省66%的MOSFET占位面積
2012-04-28 10:21:32
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
`<p>Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
介紹了一個(gè)完整的 H 橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，它使用四個(gè) IR3205 功率 MOSFET 和兩個(gè) IR2104 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。理論上，上述 MOSFET 可以處理高達(dá) 80A 的電流，但在實(shí)踐中，如果 MOSFET 溫度保持盡可能低，使用大散熱器甚至風(fēng)扇，我們可以預(yù)期電流高達(dá) 40A。
2022-06-20 07:29:22
它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件（例如 MOSFET），它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大的負(fù)載，比如電機(jī)，至于為什么要叫H橋（H-Bridge），因?yàn)殚L得比較像 字母H，具體如下圖所示；這里有四個(gè)開關(guān)
2021-06-29 06:10:22
什么是H橋？H橋的原理是什么？如何利用H橋驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)？
2021-10-25 06:11:06
什么是H橋？H橋的原理是什么？
2021-10-20 06:28:12
一次。目前，我計(jì)劃使用MCU和單片MOSFET H橋，但希望減少元件數(shù)量。所以，有沒有這樣的節(jié)拍？謝爾斯達(dá)格爾 以上來自于百度翻譯 以下為原文 I have an application
2018-10-29 11:16:42
我想問一下，我想用0到+15V的方波驅(qū)動(dòng)全橋的4個(gè)MOSFET，但是老師說要先讓這個(gè)方波經(jīng)過IR2110，再去驅(qū)動(dòng)MOSFET，請問這個(gè)IR2110有什么作用？不能直接把方波用來驅(qū)動(dòng)MOSFET嗎？
2016-03-01 05:45:05
我用IR2110連接的H橋，上面2個(gè)MOSFET用高頻方波驅(qū)動(dòng)，下面2個(gè)用低頻方波驅(qū)動(dòng)。當(dāng)我的主路電源（也就是給H橋上負(fù)載的供電電源）斷開，上面2個(gè)MOSFET方波正常，當(dāng)我把主路電源打開并慢慢調(diào)
2016-04-06 06:20:15
MOSFET的原理是什么？MOSFET的作用是什么？H橋全橋驅(qū)動(dòng)的原理是什么？如何將H橋驅(qū)動(dòng)當(dāng)作電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路？
2021-08-06 07:33:11
MOSFET一般工作在橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)模式下，如圖1所示。由于下橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)為地，較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，而上橋的驅(qū)動(dòng)電壓是跟隨相線電壓浮動(dòng)的，因此如何很好地驅(qū)動(dòng)上橋MOSFET成了設(shè)...
2021-07-27 06:44:41
應(yīng)用電路使用ADuM3100數(shù)字隔離器是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋，由低壓邏輯信號(hào)控制。該電路在邏輯信號(hào)和高功率電橋之間提供了方便的接口。該橋使用低成本N溝道功率MOSFET用于H橋的高側(cè)
2019-11-07 08:53:19
怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-10-11 07:18:56
MOSFET減小了75%。圖2：傳統(tǒng)SOT-23封裝，旁邊是CSD18541F5LGA封裝和這位工程師做了一些快速計(jì)算，我們的結(jié)論是如果每個(gè)電路板用10個(gè)元件，他就能節(jié)省大約55mm2占位面積——每個(gè)元件的節(jié)省
2018-08-29 16:09:11
請問mosfet搭建的H橋為什么比二極管搭建的H橋功耗要低呢？
2023-03-31 13:56:01
個(gè)上拉電阻器。雖然這對開關(guān)電源軌來說是業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的有效解決方案，但它具有較大的占位面積?，F(xiàn)在我們可獲得更緊湊的解決方案，如德州儀器（TI）的TPS22915等負(fù)載開關(guān) —— 它們的占位面積不到1mm2！使用雙通道TPS22968更能顯著節(jié)省空間…
2022-11-18 07:38:15
MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號(hào)處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02688 Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性
2009-12-03 09:50:371060 Diodes針對VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET，可極大降低成本
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路
2009-12-04 08:33:09934 MJWI10占位面積為1x1吋的10W轉(zhuǎn)換器
Minmax推出占位面積為1 x 1吋的10W轉(zhuǎn)換器MJWI10，dc/dc轉(zhuǎn)換器MJWI10系列具有16個(gè)模塊，提供高達(dá)10 W的功率，采用1x1x0.4吋封
2010-05-10 11:10:061493 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183977 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線
2011-06-01 08:54:01620 Diodes公司推出AL8807降壓型開關(guān)模式LED驅(qū)動(dòng)器。AL8807 LED驅(qū)動(dòng)器采用占位面積較小的SOT25封裝。
2011-12-09 10:05:191208 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:402363 Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類
2012-05-04 11:34:531159 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出首款采用了晶圓級(jí)芯心尺寸封裝的肖特基（Schottky） 二極管，為智能手機(jī)及平板電腦的設(shè)計(jì)提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度。
2013-07-03 13:55:001627 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 為LED照明及通用功率管理應(yīng)用，推出支持升、降壓和電壓反向電路拓?fù)涞奈⑿椭绷?直流轉(zhuǎn)換器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封裝，只需少量外部元件，就能有效減少電路占位面積及物料清單成本。
2013-07-24 15:19:152182 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行業(yè)首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號(hào)雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271582 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器AP7340，在1kHz頻率下提供高達(dá)75dB的電源抑制比，以及在10Hz到100kHz的頻率范圍內(nèi)達(dá)到60μVrms的低噪聲性能，能夠?yàn)閷υ肼暶舾械囊纛l、視頻及射頻應(yīng)用中的模擬電路提供優(yōu)質(zhì)供電。
2014-01-15 14:26:171236 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。
2015-01-28 14:07:571655 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。
2015-02-02 17:23:421330 H橋驅(qū)動(dòng)電路在升級(jí)中經(jīng)常見到，在單電源的情況下使負(fù)載的極性倒過來，本文講解H橋的原理及作用
2015-12-01 15:39:25
86 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361840 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。
2016-03-23 11:41:391350 關(guān)于H橋的基礎(chǔ)ppt。便于新手翻閱學(xué)習(xí)。
2016-05-20 16:50:060 H橋驅(qū)動(dòng)
2017-02-28 22:10:2724 H橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路。本文介紹了H橋工作原理與H橋的控制方式，其次介紹了H橋的控制方式。最后介紹了IR2103的H橋驅(qū)動(dòng)電路。
2018-03-04 13:47:3747237 
每個(gè) H 橋的輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由 N 溝道功率 MOSFET 組成，這些 MOSFET 被配置成一個(gè)H橋，以驅(qū)動(dòng)電機(jī)繞組。每個(gè) H 橋都包括用于調(diào)節(jié)或限制繞組電流的電路。
2018-05-10 10:28:5830 了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積（SOA）下
2018-08-23 05:27:002868 MOSFET作為功率開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。在各種H橋配置中，它們不僅可是分立器件也可集成到IC。
2019-12-19 07:57:003341 
關(guān)鍵詞：Diodes , LCD , MOSFET , 背光 , 器件 Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件
2018-09-10 00:05:02821 關(guān)鍵詞：邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位
2018-09-23 12:38:02539 該視頻展示了16nm FinFet器件的性能，并討論了Xilinx RFSoC技術(shù)如何減少占位面積和功耗，同時(shí)提高下一代無線電和RF通信系統(tǒng)的硬件靈活性。
2018-11-30 06:27:003920 您的功耗相關(guān)設(shè)計(jì)可以節(jié)省雙MOSFET的空間，因?yàn)槟?jīng)常成對使用這些功能。飛兆半導(dǎo)體（圖片）的P溝道FDZ2552P和類似的N溝道FDZ2551N MOSFET用于低閾值電池保護(hù)應(yīng)用（V GS
2019-08-12 15:08:403625 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263713 01 H-橋電路基礎(chǔ) 1.簡介 你也許通過線上-線下的資料對于搭建H-橋電路有所了解，畢竟這些電路相對比較簡單。但有些資料介紹H-橋電路比較精準(zhǔn)，但有些差一點(diǎn)。當(dāng)你實(shí)際使用橋電路的時(shí)候也許就會(huì)
2020-09-24 14:16:1545148 全橋(H橋)DCDC變換電路實(shí)驗(yàn)(現(xiàn)代電源技術(shù)基礎(chǔ)楊飛參考答案)-該文檔為全橋(H橋)DCDC變換電路實(shí)驗(yàn)總結(jié)文檔，是一份不錯(cuò)的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
2021-09-22 11:58:1769 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 搭建H橋驅(qū)動(dòng)電路一般都包括兩個(gè)部分：半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅(qū)動(dòng)所能通過的電流幾乎由MOS管的導(dǎo)通漏極電流所決定。
2023-01-12 11:34:075808 在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
LFPAK56D（半橋配置）中的雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 邏輯電平 MOSFET-BUK9V13-40H
2023-02-16 21:23:500 級(jí)聯(lián)H橋逆變器
2023-02-28 14:27:2013 原文鏈接： H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路 什么是H橋 因?yàn)殡娐烽L得像字母H而得名，通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件，例如下圖有四個(gè)MOSFET開關(guān)元器件Q1、Q2、Q3、Q4。 它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大
2023-03-17 16:06:009 在本系列的前一部分中，我們已經(jīng)討論了在設(shè)計(jì) h橋時(shí)必須做出的高級(jí)設(shè)計(jì)決策，我們還討論了選擇 mosfet 和構(gòu)成H橋的 c保 護(hù)二極管的考慮因素。在這篇文章中，我將展示可用的驅(qū)動(dòng)電路選項(xiàng)。然后討論它們之間的利弊以及不同參數(shù)對驅(qū)動(dòng)電路的影響。
2023-03-20 11:29:1415 Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16742 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:0012147 
H橋是一個(gè)比較簡單的電路，通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件（例如 MOSFET），它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大 的負(fù)載，比如電機(jī)，至于為什么要叫H橋（H-Bridge），因?yàn)殚L得比較像 字母H，具體如下圖所示
2023-05-05 11:12:351 在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:023194 
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2023-11-21 10:15:578 SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 在計(jì)算機(jī)科學(xué)和人機(jī)交互領(lǐng)域中，占位符（Placeholder）是一種用于表示臨時(shí)或未指定值的符號(hào)或字段。占位符在軟件開發(fā)和設(shè)計(jì)中起到重要的作用，特別是在用戶界面設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)處理方面。隨著數(shù)字時(shí)代的發(fā)展
2023-11-30 10:15:341587 H橋是一種用于控制電機(jī)方向和速度的電力電子電路。它由四個(gè)開關(guān)器件（可以是晶體管、MOSFET、IGBT等）組成，其布局類似于字母“H”，因此得名。
2024-05-11 16:30:357885 
電路通常由四個(gè)開關(guān)元件（如晶體管、MOSFET等）組成，這些開關(guān)元件被配置成可以控制電機(jī)兩端電流的方向，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)。 二、H橋電路的基本結(jié)構(gòu) H橋電路的基本結(jié)構(gòu)包含四個(gè)開關(guān)元件，通常標(biāo)記為Q1、Q2、Q3和Q4，它們圍繞電機(jī)兩側(cè)
2024-10-06 14:53:006836 
SS8812T的每一個(gè)H橋的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成。每個(gè)H橋包含整流電路和限流電路。簡單的并行數(shù)字控制接口，衰減模式可選擇為快衰減，慢衰減和混合衰減。
2025-01-07 09:32:52966 
Texas Instruments DRV8231 33V H橋驅(qū)動(dòng)器是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持N溝道MOSFET半橋和100%占空比驅(qū)動(dòng)來提高效率。
2025-09-24 11:20:49738 
Texas Instruments DRV8231A 33V H橋驅(qū)動(dòng)器是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持N溝道MOSFET半橋和100%占空比驅(qū)動(dòng)來提高效率。
2025-09-24 11:30:52807 
Texas Instruments DRV8251A H橋驅(qū)動(dòng)器是一款高度集成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持N溝道MOSFET半橋和100%占空比驅(qū)動(dòng)來提高效率。
2025-09-25 10:42:02745 
DRV8434E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流電機(jī)或一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)。
驅(qū)動(dòng)器的輸出級(jí)由配置為兩個(gè)全H橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器
2025-10-15 09:39:40395 
DRV8436E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流電機(jī)或一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)。驅(qū)動(dòng)器的輸出級(jí)由配置為兩個(gè)全H橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流
2025-10-15 11:08:17426 
或者其它感性負(fù)載。SS6952A的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H橋電路，包含整流電路和限流電路。簡單的并行數(shù)字控制接口，衰減模式可選擇為快衰減，慢衰減和
2025-11-06 09:41:12316 
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