Cree宣布突破大功率LED光效200Lm/W大關(guān)
Cree公司，LED照明市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，再次宣布業(yè)界最高水平的LED光效記錄，白光大功率LED光效已實(shí)現(xiàn)208lm/W。 該研發(fā)成果是固態(tài)照明
2010-02-08 09:30:12
1345 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而
2011-11-24 09:21:428021 圓最新發(fā)表的LED芯片發(fā)光效率高達(dá)230lm/W，在導(dǎo)入LED球泡燈整燈成品后，其光效依然可維持達(dá)230lm/W，不受燈具降低光效的影響，且LED燈泡發(fā)光角度可達(dá)到300度。
2012-10-16 15:34:462601 眾所都知，綠光LED的性能水平達(dá)不到同等紅光和藍(lán)光led。但可以通過(guò)降低電流密度、使用一個(gè)更大的芯片以及優(yōu)化生長(zhǎng)條件來(lái)減少黑點(diǎn)，能夠盡可能縮小在100mA驅(qū)動(dòng)電流條件下，達(dá)到190lm/W的LED
2014-02-17 17:33:4720640 
芯元基的量子點(diǎn)MIP技術(shù)，在GaN晶圓的每個(gè)子像素的側(cè)壁均做有金屬電極結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)除了有利于像素的共陰極設(shè)計(jì)外，也可以更好的解決獨(dú)立子像素間的光串?dāng)_問(wèn)題，在RGB量子點(diǎn)模板上（QDCC），采用特定結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的光學(xué)反射鏡，實(shí)現(xiàn)紅光、綠光的高效激發(fā)。
2023-07-13 11:03:431226 
顯示器到新興的功率型LED、白光LED、表面貼裝SMDLED、全彩TOPLED等?！ ?402黃綠光LED產(chǎn)品參數(shù)： 品牌：鑫光碩LED 芯片品牌：三安芯片 芯片大?。?*8/7mil 產(chǎn)品型號(hào)
2019-06-18 16:50:36
` 深圳市鑫光碩科技有限公司是一家專注研發(fā)，生產(chǎn)，銷售LAMP LED、CHIP LED、TOP LED等光源系列產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)。公司生產(chǎn)的LED封裝產(chǎn)品顏色多樣，有紅、黃、藍(lán)、綠、白、紫光
2018-12-28 10:16:25
深圳鑫光碩科技有限公司是一家從事中端、高端0603紅色LED研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的廠家，公司擁有20多條做0603系列LED的產(chǎn)線，設(shè)備從新加坡引進(jìn)，0603系列有：?jiǎn)紊?b class="flag-6" style="color: red">LED（紅光、白光、翠綠光
2019-06-10 16:43:44
、翠綠光、黃綠光、藍(lán)光等等）、雙色LED（紅綠雙色、紅藍(lán)雙色）、三色LED（紅黃綠、紅綠藍(lán)）以及七彩LED?！ ?805系列黃光LED參數(shù)： 品牌： 鑫光碩LED 芯片品牌：三安芯片/晶元芯片 導(dǎo)線
2019-06-12 17:40:20
（GaAs）晶圓上實(shí)現(xiàn)的。光電子驅(qū)動(dòng)砷化鎵（GaAs）晶圓市場(chǎng)增長(zhǎng)GaAs晶圓已經(jīng)是激光器和LED技術(shù)領(lǐng)域幾十年的老朋友了，主要應(yīng)用有復(fù)印機(jī)、DVD播放器甚至激光指示器。近年來(lái)，LED推動(dòng)了化合物半導(dǎo)體
2019-05-12 23:04:07
進(jìn)展[1~ 3] ，在國(guó)外工作于綠光到紫光可見(jiàn)光區(qū)內(nèi)的GaN LED 早已實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化[2]；國(guó)內(nèi)多家單位成功制作了藍(lán)色發(fā)光二極管，并初步實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化[3]。而眾多的研究[4~ 14] 表明，GaN
2019-06-25 07:41:00
`晶圓切割目的是什么？晶圓切割機(jī)原理是什么？一.晶圓切割目的晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開(kāi)關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
事業(yè)起步較晚，在晶圓的制造上還處于建設(shè)發(fā)展階段?，F(xiàn)在我國(guó)主要做的是晶圓的封測(cè)。我國(guó)的晶圓封測(cè)規(guī)模和市場(chǎng)都是全球首屈一指的，約占全球約1/4。雖然近年我國(guó)大力支持半導(dǎo)體行業(yè)，支持晶圓制造，也取得了一些成績(jī)
2019-09-17 09:05:06
所用的硅晶圓。) 通過(guò)使用化學(xué)、電路光刻制版技術(shù)，將晶體管蝕刻到硅晶圓之上，一旦蝕刻是完成，單個(gè)的芯片被一塊塊地從晶圓上切割下來(lái)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在硅晶圓圖示中，用黃點(diǎn)標(biāo)出的地方是表示這個(gè)地方存在一定缺陷，或是
2011-12-01 16:16:40
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
有人又將其稱為圓片級(jí)-芯片尺寸封裝（WLP-CSP），以晶圓圓片為加工對(duì)象，在晶圓上封裝芯片。晶圓封裝中最關(guān)鍵的工藝為晶圓鍵合，即是通過(guò)化學(xué)或物理的方法將兩片晶圓結(jié)合在一起，以達(dá)到密封效果。如下
2021-02-23 16:35:18
，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。會(huì)聽(tīng)到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多
2011-09-07 10:42:07
測(cè)試晶格:指晶圓表面具有電路元件及特殊裝置的晶格，在晶圓制造期間，這些測(cè)試晶格需要通過(guò)電流測(cè)試，才能被切割下來(lái) 4 邊緣晶格：晶圓制造完成后，其邊緣會(huì)產(chǎn)生部分尺寸不完整的晶格，此即為邊緣晶格，這些
2011-12-01 15:30:07
lines，saw lines，streets，avenues)：在晶圓上用來(lái)分隔不同芯片之間的街區(qū)。街區(qū)通常是空白的，但有些公司在街區(qū)內(nèi)放置對(duì)準(zhǔn)靶，或測(cè)試的結(jié)構(gòu)。（3）工程試驗(yàn)芯片
2020-02-18 13:21:38
不良品，則點(diǎn)上一點(diǎn)紅墨水，作為識(shí)別之用。除此之外，另一個(gè)目的是測(cè)試產(chǎn)品的良率，依良率的高低來(lái)判斷晶圓制造的過(guò)程是否有誤。良品率高時(shí)表示晶圓制造過(guò)程一切正常， 若良品率過(guò)低，表示在晶圓制造的過(guò)程中，有
2020-05-11 14:35:33
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
openharmony點(diǎn)擊一個(gè)app圖標(biāo)的之后，應(yīng)用會(huì)從左上角一點(diǎn)點(diǎn)放大直至鋪滿屏幕；我想問(wèn)一下這個(gè)動(dòng)效是在openharmony的源碼上的哪里實(shí)現(xiàn)的？
2022-06-10 11:01:01
GaN 襯底上獲得高性能的薄膜器件，必須使 GaN 襯底的表面沒(méi)有劃痕和損壞。因此，晶圓工藝的最后一步 CMP 對(duì)后續(xù)同質(zhì)外延 GaN 薄膜和相關(guān)器件的質(zhì)量起著極其重要的作用。CMP 和干蝕刻似乎
2021-07-07 10:26:01
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
`晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成獨(dú)立
2011-12-01 13:54:00
`晶圓級(jí)封裝(WLP)就是在其上已經(jīng)有某些電路微結(jié)構(gòu)（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經(jīng)腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學(xué)鍵結(jié)合在一起。在這些電路微結(jié)構(gòu)體的上面就形成了一個(gè)帶有密閉空腔的保護(hù)
2011-12-01 13:58:36
是最流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或
2021-07-23 08:11:27
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
on top of the wafer.底部硅層 - 在絕緣層下部的晶圓片，是頂部硅層的基礎(chǔ)。Bipolar - Transistors that are able to use both
2011-12-01 14:20:47
熟悉。 首先來(lái)了解硅晶柱。 圖片上的就是硅晶柱了，它就是硅提過(guò)提煉結(jié)晶后形成的柱狀體。 來(lái)看側(cè)面，非常漂亮的光澤 由硅晶柱切割而成的裸晶圓，看它的光澤多好，象面鏡子，把小春都照進(jìn)去了。：） 裸晶圓經(jīng)
2011-12-01 15:02:42
實(shí)際上在節(jié)能減排的大形勢(shì)的要求下，任何LED燈具都要求有極高光效。這里只是拿一個(gè)平板燈的設(shè)計(jì)舉例來(lái)說(shuō)明如何能夠實(shí)現(xiàn)極高光效。
2019-08-01 07:28:25
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:45:30
求晶圓劃片或晶圓分撿裝盒合作加工廠聯(lián)系方式：QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
看到了晶圓切割的一個(gè)流程，但是用什么工具切割晶圓？求大蝦指教啊 ？
2011-12-01 15:47:14
`深圳鑫光碩科技有限公司是一家從事中端、高端0603紅色LED研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的廠家，公司擁有20多條做0603系列LED的產(chǎn)線，設(shè)備從新加坡引進(jìn)，0603系列有：?jiǎn)紊?b class="flag-6" style="color: red">LED（紅光、白光、翠綠光
2019-04-22 17:47:52
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
及LED器件，這樣就很大程度上降低了LED晶圓的產(chǎn)出效率。激光加工是非接觸式加工，作為傳統(tǒng)機(jī)械鋸片切割的替代工藝，激光劃片切口非常小，聚焦后的激光微細(xì)光斑作用的晶圓表面迅速氣化材料，在LED有源區(qū)之間制造
2011-12-01 11:48:46
綠光LED發(fā)光二極管(LED)具有許多優(yōu)于傳統(tǒng)白熾燈的特點(diǎn),Lamina具有獨(dú)創(chuàng)性的LED點(diǎn)陣給LED市場(chǎng)帶來(lái)了革命性的突破.創(chuàng)造了具有最高密度的分立LED封裝.Lamina采用的多
2009-11-11 11:54:46
17 。 WD4000晶圓厚度晶圓翹曲度測(cè)量?jī)x采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3DMapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、
2024-04-18 09:33:56
中圖儀器WD4000晶圓幾何參數(shù)測(cè)量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2024-11-25 16:13:28
影響白光LED光效的因素
1、熒光粉顆粒度的大小如果顆粒度比較大，將直接降低光強(qiáng)，以及點(diǎn)膠的難度（易沉淀），以目前熒光粉
2009-05-11 09:49:241600 WD4000晶圓Warp翹曲度量測(cè)系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-05-20 14:02:17
什么是晶圓
晶圓是制造IC的基本原料
集成電路(IC)是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法，將眾多電子電路組成
2009-06-30 10:19:349347 什么是LED的光效/顯色性
光效
衡量光源節(jié)能的重要指標(biāo)，就是光源發(fā)出的光通量除以光源所消耗的功率
2010-03-10 10:19:132387 推進(jìn)光效是LED燈的最終形式
天津市市容與園林管理委員會(huì)主任陳大慶認(rèn)為，推進(jìn)
2010-04-27 09:08:501050 松下電工成功開(kāi)發(fā)出通過(guò)晶圓級(jí)接合，將封裝有LED的晶圓和配備有光傳感器的晶圓合計(jì)4枚晶圓進(jìn)行集成封裝。
2011-08-28 11:37:221683 一、照明用LED光源照亮未來(lái) 隨著市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)， LED 制造業(yè)對(duì)于產(chǎn)能和成品率的要求變得越來(lái)越高。激光加工技術(shù)迅速成為LED制造業(yè)普遍的工具，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業(yè)
2011-09-30 10:54:121354 GT Advanced Technologies Inc.今天公布了案例研究"產(chǎn)量問(wèn)題：藍(lán)寶石材料質(zhì)量對(duì)LED晶圓工藝的影響"。該報(bào)告詳述了一項(xiàng)盲型材料研究的發(fā)現(xiàn)，這項(xiàng)研究針對(duì)藍(lán)寶石材料質(zhì)量對(duì)高亮度LED即用型外
2011-10-12 09:46:311445 LED進(jìn)入照明界的趨勢(shì)已經(jīng)明朗，高光效和顯色指數(shù)好的產(chǎn)品，已經(jīng)在一些室內(nèi)外照明中嶄露頭角，顯現(xiàn)出不俗的成績(jī)和強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。因此在看LED的光效時(shí)一定要關(guān)心它的顯色指數(shù)，
2012-01-10 15:20:291763 日本礙子2012年4月25日發(fā)布消息稱，開(kāi)發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN（氮化鎵）晶圓。該晶圓在生長(zhǎng)GaN單結(jié)晶體時(shí)采用自主開(kāi)發(fā)的液相生長(zhǎng)法，在整個(gè)晶圓表面實(shí)現(xiàn)低缺陷
2012-05-08 11:37:424371 來(lái)自德國(guó)的AZZURRO成立于2003年，主要是提供新型態(tài)晶圓給功率半導(dǎo)體與LED廠商使用。AZZURRO擁有獨(dú)家專利氮化鎵上矽（GaN-on-Si）的技術(shù)。
2012-10-22 10:54:412252 用于在6英寸晶圓上生產(chǎn)單片微波集成電路（MMIC）。預(yù)計(jì)從4英寸過(guò)渡到6英寸晶圓，大約能使Qorvo公司的碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)能力增加一倍，并且有利于降低制造成本 - 對(duì)價(jià)格實(shí)惠的射頻器件生產(chǎn)，能起到顯著的推進(jìn)作用。
2015-09-15 10:28:50857 增強(qiáng)LED光效的設(shè)計(jì)考量
2017-02-08 01:04:5610 影響LED藍(lán)寶石晶圓制造的質(zhì)量和成本因素
2017-02-08 01:00:0917 LED光效越高，顯色指數(shù)就越低？這顯然是不成立的。首先，這個(gè)邏輯的因果關(guān)系有點(diǎn)搞反了，并不是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">光效低所以顯指高，而是為了提高顯指從而犧牲了一些光效。而不少人對(duì)光效的認(rèn)知還存在著一些誤區(qū)： 光效
2017-09-21 15:53:434 1. 什么是冷光效什么是熱光效 簡(jiǎn)單地說(shuō)冷光效就是在LED光源處于室溫（25C）時(shí)所測(cè)得的光效，而熱光效則是等LED光源熱穩(wěn)定以后所測(cè)得的光效。具體來(lái)說(shuō)，我們通常采用積分球來(lái)測(cè)LED光源的光效
2017-10-10 15:06:555 晶圓是微電子產(chǎn)業(yè)的行業(yè)術(shù)語(yǔ)之一。
2017-12-07 15:41:1141078 該晶圓產(chǎn)品具備高晶體質(zhì)量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點(diǎn)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)材料有效壽命超過(guò)1百萬(wàn)小時(shí)，成功解決了困擾硅基GaN材料應(yīng)用的技術(shù)難題，適用于中高壓硅基GaN功率器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
2018-01-04 15:36:5317586 
本文開(kāi)始介紹了晶圓的概念和晶圓的制造過(guò)程，其次詳細(xì)的闡述了晶圓的基本原料，最后介紹了晶圓尺寸的概念及分析了晶圓的尺寸是否越大越好。
2018-03-16 14:50:23147635 
西安賽富樂(lè)斯半導(dǎo)體科技有限公司在實(shí)現(xiàn)大尺寸、無(wú)層錯(cuò)半極性氮化鎵材料量產(chǎn)的基礎(chǔ)上，成功點(diǎn)亮了半極性綠光LED芯片。
2018-07-17 14:12:146631 本文將概述GaN在硅的開(kāi)發(fā)方面的最新技術(shù)，以及通過(guò)利用大批量，大尺寸，晶圓尺寸的半導(dǎo)體加工技術(shù)，它可以降低生產(chǎn)成本。在英國(guó)，Plessey Semiconductors是首批在Si晶圓上使用GaN
2019-03-13 08:54:004486 現(xiàn)在的CPU和GPU等等的芯片什么的都是從晶圓片上切出來(lái)的，一大片晶圓可以切成很多的芯片越靠近圓中心的理論上質(zhì)量越好質(zhì)量較差的就做成型號(hào)較低的 。什么是晶圓代工呢？用最簡(jiǎn)單的話講，就是專門幫別人生產(chǎn)晶圓片。
2019-03-29 15:32:2719893 晶在治具上面，點(diǎn)上紅膠，通過(guò)吸咀吸取LED，再把LED固定在產(chǎn)品上面，需要注意的是，固晶后的產(chǎn)佑光自動(dòng)固晶機(jī)品最好在1到2個(gè)小時(shí)內(nèi)完成固化。
2019-08-24 10:44:5631989 近日，法國(guó)3D GaN LED技術(shù)開(kāi)發(fā)商Aledia宣布成功在12英寸（300mm）硅晶圓上生長(zhǎng)出業(yè)界首款納米線（nanowire）Micro LED芯片。
2020-12-17 17:16:511345 實(shí)際上在節(jié)能減排的大形勢(shì)的要求下，任何LED燈具都要求有極高光效。這里只是拿一個(gè)平板燈的設(shè)計(jì)舉例來(lái)說(shuō)明如何能夠實(shí)現(xiàn)極高光效
2020-12-24 11:16:431516 晶圓是非常重要的物件之一，缺少晶圓，目前的大多電子設(shè)備都無(wú)法使用。在往期文章中，小編對(duì)晶圓的結(jié)構(gòu)、單晶晶圓等均有所介紹。本文中，為增進(jìn)大家對(duì)晶圓的了解，小編將闡述晶圓是如何變成CPU的。如果你對(duì)晶圓相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-26 11:25:159947 在傳統(tǒng)晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個(gè)芯片，然后再進(jìn)行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝，晶圓級(jí)封裝是在芯片還在晶圓上的時(shí)候就對(duì)芯片進(jìn)行封裝，保護(hù)層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個(gè)芯片。
2022-04-06 15:24:1912071 推出RFgenius晶圓上S參數(shù)測(cè)量套件 ????????FormFactor的RFgenius晶圓上S參數(shù)測(cè)量套件包括以實(shí)惠的價(jià)格實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量所需的所有關(guān)鍵組件-從探測(cè)站到網(wǎng)絡(luò)分析儀，應(yīng)有盡有
2022-06-29 18:20:011276 氮化鎵已成為事實(shí)上的第三代半導(dǎo)體材料。然而，以您需要的質(zhì)量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰(zhàn)。
2022-07-29 15:26:051596 晶圓拋光機(jī)作為半導(dǎo)體晶圓拋光配備，主要優(yōu)點(diǎn)有新型實(shí)用、經(jīng)濟(jì)成本低、容易實(shí)現(xiàn)。
2023-01-06 12:21:312956 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上，主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測(cè)試及晶圓封裝四大步驟。 其中所謂的晶圓測(cè)試，就是對(duì)晶圓上的每顆晶粒進(jìn)行電性特性檢測(cè)，以檢測(cè)和淘汰晶圓上的不合格晶粒。 下面我們一起來(lái)了解一下半導(dǎo)體晶圓測(cè)試的核心耗材——探針卡，以及探針卡與LTCC/HTCC技術(shù)有著怎樣的聯(lián)系。
2023-05-26 10:56:552504 
晶圓經(jīng)過(guò)前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過(guò)切割使晶圓上的芯片分離下來(lái)，最后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圓一般
2022-10-08 16:02:4416406 
//熟悉半導(dǎo)體制造流程的朋友知道，芯片在切割封裝之前，所有的制造流程都是在晶圓（Wafer）上操作的。不過(guò)我們見(jiàn)到的芯片都是方形的，在圓形的晶圓上制造芯片，總會(huì)有部分區(qū)域沒(méi)有利用到。所以為什么不能
2022-12-19 11:43:464014 
半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片方法），并開(kāi)發(fā)了一種針對(duì)GaN（氮化鎵）晶圓生產(chǎn)而優(yōu)化的工藝。通過(guò)該工藝，可以同時(shí)提高GaN晶圓片產(chǎn)量，并縮短生產(chǎn)時(shí)間。
2023-08-25 09:43:521777 
晶圓級(jí)封裝是在整個(gè)晶圓（wafer）的級(jí)別上進(jìn)行封裝，而普通封裝是在單個(gè)芯片級(jí)別上進(jìn)行封裝。晶圓級(jí)封裝通常在晶圓制造完成后，將多個(gè)芯片同時(shí)封裝在同一個(gè)晶圓上，形成多個(gè)封裝單元。相比之下，普通封裝將單個(gè)芯片分別封裝在獨(dú)立的封裝器件上。
2023-08-30 16:44:575864 產(chǎn)品的不良率，提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。?一種晶圓表面形貌測(cè)量方法-WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)?WD4000無(wú)圖晶圓檢測(cè)機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、
2023-10-25 15:53:390 靜電也會(huì)引起設(shè)備故障，例如電荷積累導(dǎo)致設(shè)備放電故障，干擾設(shè)備正常運(yùn)作。 為了消除靜電對(duì)晶圓的影響，可以采取以下措施。 1.設(shè)置靜電消除器：在晶圓制備過(guò)程中，可以采用靜電消除器來(lái)降低晶圓上的靜電積聚。靜電消除器可
2023-12-20 14:13:072131 片上系統(tǒng)（SoC）和晶圓在半導(dǎo)體行業(yè)和技術(shù)領(lǐng)域中各自扮演著不同的角色，它們之間存在明顯的區(qū)別。
2024-03-28 15:05:531092 晶圓邊緣曝光是幫助減少晶圓涂布過(guò)程中多余的光刻膠對(duì)電子器件影響的重要步驟。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能點(diǎn)光源，作為唯一可用于寬帶晶圓邊緣曝光的 i、h 和 g 線的 LED 解決方案，可高效實(shí)現(xiàn)WEE系統(tǒng)設(shè)計(jì)和曝光需求。
2024-07-25 13:45:552051 
以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)
2024-08-08 10:13:174711 日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵（GaN）外延生長(zhǎng)的300毫米（即12英寸）晶圓，標(biāo)志著公司在高性能半導(dǎo)體材料領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此次推出的QST
2024-09-10 17:05:241948 近日，日本礙子株式會(huì)(NGK，下文簡(jiǎn)稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布，已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并表示公司將于本月低在美國(guó)ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關(guān)研究成果。
2024-09-21 11:04:10946 已獲認(rèn)可并向客戶發(fā)布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌
2024-10-31 08:04:38826 
本文介紹了一種利用全息技術(shù)在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法。 研究人員提出了一種在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法。傳統(tǒng)上，晶圓上的微結(jié)構(gòu)加工，僅限于通過(guò)光刻技術(shù)在晶圓表面加工納米結(jié)構(gòu)。 然而，除了晶
2024-11-18 11:45:481189 在芯片制造的精密工藝中，華林科納濕法刻蝕（Wet Etching）如同一把精妙的雕刻刀，以化學(xué)的魔力在晶圓這張潔白的畫布上，雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán)，以其高效、低成本的特點(diǎn)
2025-03-12 13:59:11990 LED光效LED光效是衡量光源性能的關(guān)鍵指標(biāo)，其定義為光通量（lm）與光源消耗功率（W）的比值，單位為lm/W。瞬態(tài)光效是LED光源啟動(dòng)瞬間的發(fā)光效率，也稱初始冷態(tài)光效。它主要反映了LED在短時(shí)間
2025-03-20 11:19:571871 
本文從多個(gè)角度分析了在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39870 圓；TTV；磨片加工；研磨；拋光 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的總厚度偏差（TTV）對(duì)芯片性能、良品率有著直接影響。高精度的 TTV 控制是實(shí)現(xiàn)高性能芯片制造的關(guān)鍵前提。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷向更高精度發(fā)展，傳統(tǒng)磨片加工方法在 TTV 控制上
2025-05-20 17:51:391033 
晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43931 采用高光效LED燈管的電費(fèi)節(jié)約量分析高光效LED燈管作為節(jié)能照明的核心產(chǎn)品，其電費(fèi)節(jié)約能力與傳統(tǒng)光源相比優(yōu)勢(shì)顯著，具體節(jié)約量需結(jié)合功率差異、使用時(shí)長(zhǎng)、電價(jià)等因素綜合計(jì)算，以下從實(shí)際場(chǎng)景出發(fā)解析其節(jié)能
2025-08-04 21:19:231771 
在半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）基發(fā)光二極管（LED）憑借其卓越性能，長(zhǎng)期占據(jù)研究焦點(diǎn)位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英寸藍(lán)寶石基板上，基于六方氮化硼（h-BN）模板
2025-08-11 14:27:241618 
的LM-79、LM-80測(cè)試服務(wù)，包括LED光通量、光效，確保每一項(xiàng)測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中，LED光效可細(xì)分為瞬態(tài)光效與穩(wěn)態(tài)光效，二者在物理意義及應(yīng)用
2025-11-28 15:22:111521 
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