2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換
2022-06-24 09:57:45
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本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:483527 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 200V低壓MOSFET數(shù)據(jù)中心電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，在低壓領(lǐng)域MOSFET，SGT MOSFET由于其性能優(yōu)勢，正在獲得快速增長，逐步取代傳統(tǒng)
2025-07-12 00:15:003191 ? ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，揚(yáng)杰科技是集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商。公司已經(jīng)推出了分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊
2025-08-11 08:08:005286 10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售
2020-09-24 16:34:09
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。MOSFET的開關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
依賴性該特性是用于設(shè)計(jì)在預(yù)定工作電流Id的情況下在什么柵極驅(qū)動(dòng)電壓下影響V_DS(on)區(qū)域(導(dǎo)通電阻區(qū)域)的特性曲線。對(duì)于功率MOSFET，根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)工作電流生產(chǎn)10V驅(qū)動(dòng)元件、4V驅(qū)動(dòng)元件、4V
2024-06-11 15:19:16
，功率MOSFET很少接到純的阻性負(fù)載，大多數(shù)負(fù)載都為感性負(fù)載，如電源和電機(jī)控制；還有一部分的負(fù)載為容性負(fù)載，如負(fù)載開關(guān)。既然功率MOSFET所接的負(fù)載大多數(shù)為感性負(fù)載，那么上面基于阻性負(fù)載的開關(guān)特性
2016-12-16 16:53:16
，二邊的P區(qū)中間夾著一個(gè)N區(qū)，由于二個(gè)P區(qū)在外面通過S極連在一起，因此，這個(gè)結(jié)構(gòu)形成了標(biāo)準(zhǔn)的JFET結(jié)構(gòu)。 4 隔離柵SGT場效應(yīng)晶體管 功率MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個(gè)相互
2016-10-10 10:58:30
通；P溝道MOSFET通過施加給定的負(fù)的柵-源極電壓導(dǎo)通。MOSFET的柵控決定了它們?cè)赟MPS轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。例如，N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側(cè)開關(guān)，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
150V轉(zhuǎn)3.3V 5V 12V 等不同的輸出。
恒流主要是：各種照明場景，包括：舞臺(tái)燈 車燈 攝影燈 球泡燈 臺(tái)燈 投影儀 磁吸燈 吸頂燈等等，它們有大功率，大電流，發(fā)熱小，共陽等特性，往往需要12V
2024-01-20 15:30:35
導(dǎo)通損耗的特性，能適配電源電路的電壓轉(zhuǎn)換需求，同時(shí)提升電源的轉(zhuǎn)換效率。
優(yōu)勢總結(jié)：相比普通溝槽 MOSFET，它憑借 SGT 工藝擁有更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗；相比高壓 MOSFET，它的低閾值電壓和小封裝設(shè)計(jì)更適配消費(fèi)級(jí)低壓場景，兼具性價(jià)比和實(shí)用性，是中低壓消費(fèi)級(jí)功率電路的高性價(jià)比選擇。
2025-11-17 14:04:46
MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過在柵極上施加正電壓導(dǎo)通。 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道
2018-03-03 13:58:23
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
時(shí)，客戶工程師發(fā)現(xiàn)：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時(shí)，Q1的導(dǎo)通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時(shí)候，VTH比正向?qū)ǖ臅r(shí)候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
)：1200V柵極-發(fā)射極電壓(VGES)：±25VG-E閾值電壓(VGE)：5.5VG-E漏電流(IGES)：250nA工作溫度：-55~+150℃引線數(shù)量：3 什么是MOS管40N120的導(dǎo)通特性
2021-12-29 16:53:46
、加濕器、美容儀等電源開關(guān)應(yīng)用30V 60V 100V 150V系列 SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容常規(guī)型號(hào)：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03`
2020-08-29 14:51:46
如題，最近國產(chǎn)的rsic-v的mcu有什么新品發(fā)布。那種超低功耗的！
2024-04-13 07:58:52
的過程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。1、MOSFET柵極電荷特性與開關(guān)過程基于柵極電荷的MOSFET的開通過程如圖1所示，此圖
2016-11-29 14:36:06
沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和溫度對(duì)其轉(zhuǎn)移特性的影響，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，功率MOSFET的正溫度系數(shù)只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)完全導(dǎo)通后的狀態(tài)下才能成立，在開關(guān)瞬態(tài)的過程中，上述理論
2016-09-26 15:28:01
進(jìn)一步減小，甚至消除。 結(jié)論 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使設(shè)計(jì)工程師設(shè)計(jì)出更高功率密度的產(chǎn)品。開關(guān)性能的優(yōu)化可使許多應(yīng)用選用一個(gè)更低電壓等級(jí)的MOSFET，從而全面優(yōu)化通態(tài)電阻、成本
2018-12-06 09:46:29
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
電機(jī)控制
銳駿Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品采用屏蔽柵深溝槽技術(shù)，全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時(shí)降低了器件的特征導(dǎo)通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）， 配合先進(jìn)的封裝技術(shù)
2024-09-23 17:07:50
-Channel MOSFET系列 RUH4080M-B
RUH4080M-B是一款高性能的N溝道 MOSFET，采用先進(jìn)SGT（屏蔽柵極槽）技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適合用于高效電源管理和高速開關(guān)的應(yīng)用場
2024-10-14 09:40:16
PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié)，在相同的N-摻雜濃度時(shí)，阻斷電壓還可進(jìn)一步提高?！ ?nèi)建橫向電場MOSFET的主要特性 1、 導(dǎo)通電阻的降低 INFINEON的內(nèi)建橫向電場的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程
2011-09-14 17:39:17
69 特點(diǎn)和優(yōu)勢
1、國內(nèi)第一顆采用SGT技術(shù)的P-100V的MOSFET產(chǎn)品；
2、P Channel產(chǎn)品在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，電路更簡潔，高效；
2020-10-21 15:51:543305 SGT MOSFE是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有傳統(tǒng)深溝槽MOSFE的低導(dǎo)通損耗的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)具有更加低的開關(guān)損耗。SGT MOSFE作為開關(guān)器件應(yīng)用于新能源電動(dòng)車、新型光伏發(fā)電、節(jié)能家電等領(lǐng)域
2020-12-25 14:02:0731773 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265832 針對(duì)電控系統(tǒng)中分立器件的需求，上海貝嶺研制了基于電荷平衡原理的Split-Gate Trench MOS(簡稱SGT)，全面優(yōu)化了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，為客戶的應(yīng)用方案帶來高效率和穩(wěn)定性的同時(shí)
2022-03-20 14:43:454785 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中
2022-04-01 09:12:423969 揚(yáng)杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進(jìn)的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工藝，針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS等應(yīng)用設(shè)計(jì)，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時(shí)，提升MOSFET抗沖擊電流能力。
2022-04-08 15:01:342714 
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 10:19:244502 
20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB150UNE
2023-02-27 19:01:550 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:322107 摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:282136 
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET，設(shè)計(jì)具有更好的特性，如快速開關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關(guān)電源和適配器的高速開關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:450 安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測試。
2023-09-06 17:48:451376 MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。 在大功率設(shè)備中，能源效率對(duì)于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關(guān)重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術(shù)，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:092201 安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:491736 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 13:55:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-03 15:08:221 在新能源市場迅猛發(fā)展的浪潮中，功率器件作為電力電子變換系統(tǒng)的核心部件，其能效和封裝性能的提升顯得尤為重要。為了滿足市場對(duì)高性能功率器件的迫切需求，揚(yáng)杰科技近日隆重推出了一系列新型SJ MOSFET產(chǎn)品，特別針對(duì)光伏微逆變、工業(yè)電源和服務(wù)器電源等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2024-06-28 09:53:251090 150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用全新屏蔽柵溝槽技術(shù)，特征導(dǎo)通電阻Rsp（導(dǎo)通電阻Ron*芯片面積AA）相對(duì)上一代降低43.8%，具備更高的電流密度和功率密度。同時(shí)，二極管
2024-08-15 16:36:581677 
近日，揚(yáng)杰科技推出了專為PC主板應(yīng)用設(shè)計(jì)的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets。該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的SGT技術(shù)，具有出色的電氣性能。
2024-10-12 15:59:231276 特別之處，只是在傳統(tǒng)溝槽MOSFET的工藝基礎(chǔ)上做結(jié)構(gòu)改進(jìn)，提升了元器件愛你的穩(wěn)定性、低損耗等性能而已。具體一點(diǎn)就是提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，降低了器件的特征導(dǎo)通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg
2024-11-08 10:36:3412782 
揚(yáng)杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK產(chǎn)品，產(chǎn)品均采用開爾文接觸，明顯減少了開關(guān)時(shí)間，降低了開關(guān)損耗，支持更高頻率的應(yīng)用與動(dòng)態(tài)響應(yīng)；同時(shí)相比插腳器件降低了電路板空間，增加了電路板的集成化，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)
2024-11-27 14:15:381287 
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品是基于傳統(tǒng)溝槽式MOSFET的改進(jìn)版本，其出色的導(dǎo)通電阻、品質(zhì)因子和快速硬開關(guān)能力，為電源設(shè)計(jì)人員提供了解決提高系統(tǒng)效率
2024-11-30 09:18:331481 具有極低的導(dǎo)通電阻和較高的漏源間擊穿電壓Vdss；采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，器件獲得優(yōu)良的開關(guān)性能，使得150V SGT系統(tǒng)產(chǎn)品具有極低的開關(guān)損耗。
2025-01-03 10:19:162056 
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545901 
揚(yáng)杰科技于2024年推出了一系列用于汽車電子的N60V SGT MOSFET，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
2025-04-01 10:39:531036 
CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，設(shè)計(jì)用于最小化功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝，具有低柵極電荷（Qg）和低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），適用于次級(jí)側(cè)同步整流和電機(jī)控
2025-04-15 16:23:11774 
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07663 
這款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510KCS 40V N 溝道 NexFETTM 功率
2025-04-16 10:13:57766 
產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18512Q5B ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端子鍍
2025-04-16 10:20:33784 
mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端
2025-04-16 10:54:00758 
Mosfet新品與微溝槽IGBT單管，前者采用高密度溝槽設(shè)計(jì)，導(dǎo)通電阻降低20%，適用于服務(wù)器電源與消費(fèi)電子快充；后者通過背面加工工藝優(yōu)化，飽和壓降與關(guān)斷損耗雙降，可提升變頻器能效5%以上。 二 技術(shù)論壇 共探發(fā)展 ? ? ? ? 展會(huì)現(xiàn)場，揚(yáng)杰科技的技術(shù)專家也帶來了兩場關(guān)于SiC、IGBT的專業(yè)
2025-05-09 10:11:561318 
作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592502 
?在現(xiàn)代電力電子應(yīng)用中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為核心功率開關(guān)器件，其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。揚(yáng)杰科技推出的DGW40N120CTLQ IGBT模塊憑借其優(yōu)異的電氣特性和堅(jiān)固
2025-06-26 13:53:201104 
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352 
揚(yáng)杰科技近日推出了一系列用于汽車電子的P60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)，同時(shí)優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力
2025-08-13 17:57:012747 
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 N100V MOSFET產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
2025-09-15 09:57:56624 
仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性，廣泛適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從
2025-10-27 17:19:00190 
在工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電力電子等高壓大電流應(yīng)用場景中，MOSFET的性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性與功率密度。ZK150G002TP作為一款搭載屏蔽柵（SGT）技術(shù)的N溝道MOSFET，以
2025-10-31 11:03:47205 
仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性，廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效
2025-11-03 16:33:23497 在60V-200V中壓功率控制場景中，如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源儲(chǔ)能、大功率電源等領(lǐng)域，對(duì)MOSFET的電流承載能力、導(dǎo)通損耗與封裝適配性提出了嚴(yán)苛要求。中科微電推出的N溝道MOSFET
2025-11-04 15:20:35316 
在60V-200V中壓功率電子領(lǐng)域，無論是工業(yè)自動(dòng)化中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)，還是新能源場景下的儲(chǔ)能變流，都對(duì)MOSFET提出了“大電流承載、低能量損耗、小封裝適配”的三重訴求。中科微電研發(fā)的N溝道MOSFET
2025-11-04 16:00:07253 
中科微電研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G09T，以150V耐壓、90A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝及SGT（屏蔽柵溝槽）工藝為核心特征，精準(zhǔn)匹配中壓場景的小型化與高效化訴求，其技術(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小封裝功率器件的發(fā)展邏輯提供了典型范例。
2025-11-04 16:20:18299 
仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC
2025-11-05 16:01:03243 仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如
2025-11-06 15:44:22308 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-06 16:05:07286 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-06 16:12:24298 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-06 16:15:37292 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-07 10:23:59241 仁懋電子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域
2025-11-07 10:31:03211 仁懋電子（MOT）推出的MOT10N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域
2025-11-07 10:40:08223 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36255 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-11 09:23:54217 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、100%雪崩測試驗(yàn)證及700V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS
2025-11-12 09:34:45198 仁懋電子（MOT）推出的MOT10N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域
2025-11-12 14:15:44279 仁懋電子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-12 14:19:35317 仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-17 11:27:39241 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及TO-220F封裝適配性，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器
2025-11-17 14:37:39200 仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-19 15:25:38250 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-11-20 16:22:54305 仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高可靠性，適用于高頻開關(guān)、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-24 14:27:27204 仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-25 15:14:47191 仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
2025-11-25 15:23:16209 威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一
2025-11-26 14:55:52232 威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載
2025-11-27 16:52:11394 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等
2025-11-28 12:03:51204 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-28 12:07:44160 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域
2025-12-01 15:07:36169 
負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：150V，適配中高壓供電場景；導(dǎo)通電阻（
2025-12-02 09:29:20207 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-02 09:32:01255 
? 7優(yōu)化40V功率MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 英飛凌的OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列，采用了最新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)優(yōu)化技術(shù)。該系列產(chǎn)品主要面
2025-12-18 14:30:06188
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