本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測方法，以兩單元為例:用模擬萬用表測量，判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
9496 IGBT有源鉗位技術(shù)的介紹
2023-02-06 14:39:422953 
頻頻段（IO一lOOkHz）的感應(yīng)加熱電源具有優(yōu)良的技術(shù)指標(biāo)，在中頻電源頻段（1一IOkHz）也采用了IGBT制造中頻感應(yīng)加熱電源。目前除單管IGBT外，已批量生產(chǎn)一單元、二單元、四單元和六單元的ICBT標(biāo)準(zhǔn)型
2013-03-05 15:14:53
`IGBT全自動(dòng)在線式測試技術(shù)`
2019-02-16 10:38:20
、設(shè)計(jì)和應(yīng)用的工程技術(shù)人員和高等院校相關(guān)專業(yè)師生閱讀參考?！ ”緯?b class="flag-6" style="color: red">介紹IGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上，結(jié)合國內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢，全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù)，突出
2011-11-25 15:46:48
IGBT并聯(lián)技術(shù)分享
2019-06-18 17:24:14
IGBT并聯(lián)技術(shù)分析胡永宏博士（艾克思科技）通過電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)兩種基本方法，均可增大電力電子裝置的功率等級(jí)。采用這兩種方法設(shè)計(jì)的大功變流器，結(jié)構(gòu)相對(duì)簡單，加之控制策略與小功率變流器相兼容
2015-03-11 13:18:21
IGBT模塊散熱技術(shù) 散熱的過程 1 IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗; 2 結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上; 3 IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上; 4 散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中?！ ∩岘h(huán)節(jié)
2012-06-20 14:36:54
` IGBT模塊散熱技術(shù)散熱的過程 1 IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗; 2 結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上; 3 IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上; 4 散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中?！ ∩岘h(huán)節(jié)
2012-06-19 11:35:49
本帖最后由 電力電子2 于 2012-6-19 17:00 編輯
IGBT模塊散熱器產(chǎn)品介紹 (1)防爆電氣用熱管散熱器：專門為爆炸性氣體環(huán)境中的電氣設(shè)備用電力電子器件、功率模塊散熱而開發(fā)
2012-06-19 13:52:17
IGBT模塊散熱器產(chǎn)品介紹 (1)防爆電氣用熱管散熱器：專門為爆炸性氣體環(huán)境中的電氣設(shè)備用電力電子器件、功率模塊散熱而開發(fā)的新一代散熱產(chǎn)品。具有熱阻小、熱響應(yīng)速度快、熱傳導(dǎo)迅速、冷熱源可分離、等溫
2012-12-12 21:01:48
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
IGBT的介紹和應(yīng)用，基礎(chǔ)知識(shí)
2015-06-24 22:42:27
開啟IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？關(guān)斷IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？
2021-10-14 09:09:20
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件
2021-09-09 08:29:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
介紹了傳統(tǒng)并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源相位跟蹤技術(shù)的工作原理，分析了實(shí)際工況中影響相位跟蹤的幾個(gè)主要因素。針對(duì)IGBT串聯(lián)二極管承受反
2011-03-14 00:50:34
IGBT手冊的介紹
2015-07-02 17:21:55
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進(jìn)行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20
本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求。
2021-03-04 08:44:36
現(xiàn)有IGBT 型號(hào)為H20R1202 要設(shè)計(jì)他的驅(qū)動(dòng)電路，在哪里找資料？或者有沒有設(shè)計(jì)過IGBT驅(qū)動(dòng)電路的，能分享嗎？現(xiàn)在有一個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET 的電路，可以用在IGBT的驅(qū)動(dòng)上嗎？
2016-04-01 09:34:58
IGBT高壓變頻調(diào)速電源設(shè)計(jì)提出用于高壓電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速電源需考慮的串聯(lián)、諧波和效率等幾個(gè)問題；介紹由全控型電力電子器件IGBT按多重化PWM控制技術(shù)構(gòu)成、目前已商品化的高壓變頻器，可用于中、高壓交流電動(dòng)機(jī)的直接變頻調(diào)速。[hide][/hide]
2009-12-11 09:32:30
誰能仔細(xì)闡述一下igbt是什么嗎？
2019-08-22 15:20:53
EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是什么？EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)測試原理是什么？
2021-09-27 08:22:51
介紹一種無線電測向技術(shù)
2021-05-26 06:40:24
IGBT在matlab仿真中柵極怎么連接？為什么我畫的IGBT的柵極和電源、PWM連接不上？
2018-11-15 13:26:27
semikron_IGBT_技術(shù)指南中文版
2019-04-04 17:12:05
本帖最后由 24不可說 于 2018-10-10 08:23 編輯
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上
2017-04-15 15:48:51
`本書在介紹IGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上，結(jié)合國內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢，全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù)，突出實(shí)用性。全書共7章，分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
封就會(huì)碰到問題；硅膠連續(xù)在高溫200度環(huán)境下工作；性能會(huì)變差；底部會(huì)產(chǎn)生VOLD；AL線形變；出現(xiàn)器件擊穿燒毀問題；代表世界最新技術(shù)的日本幾家超級(jí)IGBT模塊大廠（M社/F社）已逐步采用高耐熱；低熱
2022-02-20 15:29:36
作為國家科技重大專項(xiàng)——智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的中國北車永濟(jì)電機(jī)公司以其研制的3300V IGBT器件產(chǎn)品，日前中標(biāo)國家智能電網(wǎng)項(xiàng)目，成為我國首個(gè)高壓大功率IGBT產(chǎn)品批量
2015-01-30 10:18:37
互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)中最新路由交換測試技術(shù)的介紹，看完你就懂了
2021-05-26 06:00:56
本篇博客是全橋MOS/IGBT電路搭建的介紹，想了解全橋電路的驅(qū)動(dòng)部分請看博主的單元一：全橋驅(qū)動(dòng)電路詳解。感興趣的可以添加博主逆變電路（Inverter Circuit）是與整流
2021-11-16 06:14:11
關(guān)于MOST技術(shù)的基本介紹須知
2021-05-19 06:27:21
關(guān)于藍(lán)牙與WiFi共處技術(shù)的介紹
2021-05-28 07:21:14
本文介紹了新一代IHM.B具備更強(qiáng)機(jī)械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設(shè)計(jì)、材料、焊接和安裝技術(shù)。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設(shè)計(jì)的3.3kV IGBT3芯片,在保持機(jī)械
2010-05-04 08:07:47
` 本帖最后由 比亞迪微電子 于 2016-1-12 21:37 編輯
4、 各種場終止技術(shù)具有電場終止作用的N型緩沖層，其實(shí)現(xiàn)方式主要有兩種，一種是先于IGBT制造之前形成，如深擴(kuò)散的SPT
2015-12-24 18:23:36
中港揚(yáng)盛科技 結(jié)合國內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù)，以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)人員為本書的讀者對(duì)象，系統(tǒng)、全面地講解了IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)必備的基礎(chǔ)知識(shí)，并選取和總結(jié)了IGBT的典型應(yīng)用電
2021-12-28 08:07:57
IGBT的介紹和應(yīng)用.pdf (1.27 MB) IGBT的介紹和應(yīng)用.pdf (1.27 MB)下載次數(shù): 1074IGBT術(shù)語和特征.pdf
2010-08-26 22:25:24
模塊輸出電流能力會(huì)約束整個(gè)逆變器的功率密度，最大結(jié)溫是IGBT開關(guān)運(yùn)行的限制因素，本文介紹了PrimePACKTM封裝將IGBT工作結(jié)溫提高到150℃，并給出了在苛刻條件下逆變器性能和電流利用率的情況
2018-12-03 13:56:42
電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來越成為各種主回路的首選功率開關(guān)器件，因此如何安全可靠
2021-04-06 14:38:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:47 編輯
1 引言 電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力
2012-12-08 12:34:45
詳情見附件大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢分析1 引言由于igbt具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn)，在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中，除其本身的技術(shù)水平以外
2021-04-20 10:34:14
IGBT的工作原理IGBT極性判斷IGBT好壞的判斷
2021-03-04 07:18:28
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
解決PT-IGBT的缺點(diǎn)，推動(dòng)IGBT的技術(shù)折衷曲線向原點(diǎn)逼近，20世紀(jì)90年代開始下文所介紹的技術(shù)逐步出現(xiàn)并商用。3.2 非穿通（NonPunch-through：NPT）IGBT為解決PT-IGBT存在
2015-12-24 18:13:54
，是目前發(fā)展最為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)調(diào)速、UPS及逆變焊機(jī)當(dāng)中。IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)是其應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)。在此根據(jù)長期使用IGBT的經(jīng)驗(yàn)并參考有關(guān)文獻(xiàn)對(duì)IGBT
2016-11-28 23:45:03
，是目前發(fā)展最為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)調(diào)速、UPS及逆變焊機(jī)當(dāng)中。IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)是其應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)。在此根據(jù)長期使用IGBT的經(jīng)驗(yàn)并參考有關(guān)文獻(xiàn)對(duì)IGBT
2016-10-15 22:47:06
電力電子技術(shù) 第三部分單片機(jī)介紹
2015-08-27 10:22:29
全橋配置的空調(diào)變頻器中，IGBT是首選的功率半導(dǎo)體，因?yàn)樗哂懈吖β拭芏群头床⒙?lián)二極管的良好換向性能。目前最新的IGBTTRENCHSTOP? 技術(shù)在所有頻率級(jí)別都取代了傳統(tǒng)非穿通型和穿通型IGBT
2018-12-03 13:44:37
IGBT作為集MOS和BJT優(yōu)點(diǎn)于一身的存在，在經(jīng)歷了這些年的技術(shù)發(fā)展，從穿通型IGBT（PT-IGBT）、非穿通型IGBT（NPT-IGBT）、溝道型IGBT和場截止型IGBT（FS-IGBT
2020-12-11 16:54:35
從這個(gè)圖上可以看到，這幅圖是650伏600安的IGBT。下面介紹一下IGBT封裝的工藝技術(shù)。IGBT主要包括以下幾個(gè)步驟，第一個(gè)步驟就是焊接，就是前面圖中所看到的DBC基板與底板，焊接關(guān)鍵點(diǎn)是什么，第一
2012-09-17 19:22:20
IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術(shù)的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的應(yīng)用。在介紹最新溝槽柵場終止技術(shù)的背景后，本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)性能改進(jìn)和175℃的
2009-11-20 14:30:2789 摘要：IGBT的驅(qū)動(dòng)電路是應(yīng)用IGBT開關(guān)管的關(guān)鍵技術(shù)，一個(gè)性能好的驅(qū)動(dòng)電路不僅能有效地驅(qū)動(dòng)IGBT，而且能可靠地保護(hù)IGBT。本文介紹了一種半橋電路專用的高壓大電流IGBT智能化驅(qū)動(dòng)電
2010-05-12 09:58:5263 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng)，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41219 系統(tǒng)介紹逆變器中IGBT 的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù), 給出了IGBT 對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求, 介紹了三菱公司的IGBT
驅(qū)動(dòng)電路M 57962L 以及IGBT 的過壓、過流、過熱保護(hù)等措施。這些措施實(shí)
2010-10-13 15:45:2885 30kVA逆變電源中IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
摘要：系統(tǒng)介紹30kVA逆變電源中IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)。提出IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，介紹三菱的IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L和逆變電源中IGBT
2009-07-11 08:43:291378 
IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)
摘要：對(duì)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻及其驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了探討。提出了慢降柵壓過流保護(hù)和過
2009-07-15 07:57:592983 
新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能
在日益增長的變頻器市場，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺(tái)。在62毫米
2009-11-07 10:41:411046 
創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模
2010-05-11 17:32:473227 IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題是驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路，本文根據(jù)在實(shí)際工作中對(duì)IGBT的應(yīng)用討論有關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)問題。
2011-08-26 10:45:543504 
高壓大功率IGBT驅(qū)動(dòng)型號(hào)介紹
2012-09-03 18:20:2675 IGBT安裝指南 英飛凌的介紹IGBT如何安裝
2015-11-20 15:59:500 詳細(xì)介紹IGBT原理，特性，和實(shí)際應(yīng)用，以及失敗事例
2016-03-01 17:18:3116 IGBT選型參考一文介紹了IGBT元件的性能.參數(shù)
2016-06-17 16:57:2459 本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用
2017-06-05 15:12:5456481 
IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)
2017-09-14 17:11:1911 大的優(yōu)點(diǎn)、使用 IGBT 成為 UPS 功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì) IGBT 的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮 IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹 UPS 中的 IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)
2017-11-06 10:08:5324 和MOSFET器件的同時(shí)，沒有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區(qū)別呢？本文將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。
2017-12-21 09:07:0438319 
本文首先介紹了IGBT概念及結(jié)構(gòu)，其次介紹了IGBT工作原理及代換，最后介紹了它的應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-07-17 15:00:1787885 本文首先介紹了IGBT的作用及選型四個(gè)基本要求，其次介紹了IGBT選型方法及影響IGBT可靠性因素，最后介紹了IGBT使用注意事項(xiàng)及保管方法。
2018-07-20 15:41:0981488 當(dāng)代的感應(yīng)熱處理技術(shù)具有優(yōu)質(zhì)、高效、環(huán)保等諸多特點(diǎn)，符合現(xiàn)代汽車生產(chǎn)需要，因而得到廣泛應(yīng)用。作為感應(yīng)熱處理技術(shù)基礎(chǔ)的變頻器的IGBT模塊已商品化，在我國感應(yīng)加熱領(lǐng)域已成功生產(chǎn)出10～100 kHz、功率達(dá)數(shù)百千瓦的IGBT變頻電源。
2018-12-12 09:02:0015579 
IGBT的雙脈沖測試(Double Pulse Test)-Micro_Grid，歡迎加入技術(shù)交流QQ群：電力電子技術(shù)與新能源 905724684，關(guān)注微信公眾號(hào)：電力電子技術(shù)與新能源（Micro_Grid）
2019-06-29 09:40:5357600 
盡管我國擁有最大的功率半導(dǎo)體市場，但是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等高端器件差距更加明顯。核心技術(shù)均掌握在發(fā)達(dá)國家企業(yè)手中，IGBT技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場集中度。
2019-08-31 10:27:165696 
要成功設(shè)計(jì)、制造IGBT必須有集產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用等成套技術(shù)的研究、開發(fā)及產(chǎn)品制造于一體的自動(dòng)化、專業(yè)化和規(guī)模化程度領(lǐng)先的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地。投資額往往需高達(dá)數(shù)十億元人民幣。
2019-09-06 15:21:0413043 
還記得2018年比亞迪發(fā)布的IGBT4.0技術(shù)嗎？當(dāng)時(shí)，比亞迪放言IGBT4.0打破國外芯片壟斷，開創(chuàng)了“中國芯”。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”，它卻讓中國半導(dǎo)體行業(yè)“芯”痛良久，英飛凌、安森美等廠商長期“盤踞”在汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之上。
2020-04-16 17:23:107616 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說明包括了：IGBT 的基本結(jié)構(gòu)，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)，IGBT 的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)，集成
2020-09-10 08:00:0019 本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:024024 
關(guān)于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)IGBT的選型所關(guān)注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多，對(duì)于其標(biāo)稱的電壓、電流和損耗等關(guān)注的比較多。當(dāng)然針對(duì)不同的應(yīng)用場合，所關(guān)注的方面都不不盡相同，比如
2021-06-12 10:29:0013680 
IGBT的驅(qū)動(dòng)技術(shù)與保護(hù)技術(shù)說明。
2021-06-18 11:24:3468 IGBT是“InsulatedGateBipolarTransistor”的首字母縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。通過結(jié)合MOSFET和雙極晶體管，IGBT成為同時(shí)具備這兩種器件優(yōu)點(diǎn)的功率晶體管。IGBT有N溝道型和P溝道型兩種，本文中以目前主流的N溝道型為例展開介紹。
2022-03-30 15:39:4353459 
IGBT及IPM詳細(xì)介紹及對(duì)其應(yīng)用分析
2022-05-05 16:39:360 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹，給初入半導(dǎo)體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:4255 IGBT絕緣柵雙極型晶體管；作為一種高效能的半導(dǎo)體元件它一般應(yīng)用在不間斷電源UPS和變頻器上；自IGBT開啟工業(yè)化應(yīng)用以來，技術(shù)經(jīng)歷了豐富的技術(shù)演變，涌現(xiàn)出了幾代IGBT技術(shù)方案，已迭代至第7代；
2022-07-12 18:01:372423 本文對(duì)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻及IGBT的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了探討。給出了過電流保護(hù)及換相過電壓吸收的有效方法。
2022-08-23 09:40:2432 PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù)，包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、保護(hù)方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:393155 IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，是電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。
2023-01-11 10:22:541796 我們都知道，電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。有的同學(xué)可能會(huì)有這樣的困惑：
“IGBT本來就是驅(qū)動(dòng)電機(jī)的，為什么它自己還需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)？IGBT驅(qū)動(dòng)到底是做什么的？”
這個(gè)問題說來簡單，就像
2023-02-22 14:54:302 使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實(shí)上，許多此類應(yīng)用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行，并列舉多種不同 IGBT 應(yīng)用的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 IGBT 器件結(jié)構(gòu) 簡而言之，IGBT 是由 4 個(gè)交替層 (P-
2023-07-03 20:15:012873 車用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:317 igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT是一種晶體管，是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān)，具有高速開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻，用于高效率的功率調(diào)節(jié)。IGBT具有一些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，下面將詳細(xì)
2023-08-25 15:03:2911386 晶閘管和igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹? 晶閘管和IGBT是電力電子器件中的兩個(gè)主要類型，它們在電力傳輸和控制方面扮演著重要角色。下面將從優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域等方面介紹晶閘管和IGBT的特點(diǎn)。 晶閘管 晶閘管
2023-08-25 15:54:086224 的安全運(yùn)行至關(guān)重要。隨著軌道交通高速、重載技術(shù)的發(fā)展和電力電子裝置綠色、智能要求的不斷提高，對(duì)大功率IGBT 模塊的性能與可靠性提出了越來越高的要求，需要更高的功率密度、更高的工作溫度、更高的運(yùn)行可靠性來滿足新一代牽引動(dòng)力的應(yīng)用需求。
2023-09-07 09:09:493720 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高功率半導(dǎo)體器件，具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。本文將對(duì)IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢進(jìn)行簡要介紹。
2023-09-12 17:31:345543 和門極組成。因其高電壓和高電流開關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過控制門極電壓來實(shí)現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件，以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過程。 IGBT導(dǎo)
2023-10-19 17:08:0226499 驅(qū)動(dòng)電路對(duì)動(dòng)態(tài)均流的影響：驅(qū)動(dòng)電路對(duì)并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動(dòng)電路不同步，則先驅(qū)動(dòng)的IGBT要承擔(dān)大得多的動(dòng)態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:554414 
今天為大家介紹一款特瑞諾(TRINNO)堅(jiān)固耐用、性能卓越的IGBT，這款IGBT器件TGH80N65F2DS的額定電壓為650V，具有快速恢復(fù)反并聯(lián)二極管，漏電流極低，在高結(jié)溫和低結(jié)溫下也表現(xiàn)出
2024-06-20 11:24:521363 
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