1） IGBT的過流能力

　　半導(dǎo)體元件的過流能力通常用允許的峰值電流IM來衡量，IGBT目前還沒有國際通用的標(biāo)準(zhǔn)，按德國EUPEC、日本三菱等公司的產(chǎn)品參數(shù)，IGBT的峰值電流定為最大集電極電流（標(biāo)稱電流）的2倍，有

　　例如，標(biāo)稱電流為300A元件的峰值電流為600A；而標(biāo)稱800A元件的峰值電流為1600A。

　　對比晶閘管，按國標(biāo)，峰值電流為

　　峰值電流高達(dá)10倍額定有效值電流，而且，過流時間長達(dá)10ms，而IGBT的允許峰值電流時間據(jù)有關(guān)資料介紹僅為10us，可見IGBT的過流能力太脆弱了。

　　承受過流的能力強(qiáng)弱是衡量斬波工作可靠與否的關(guān)鍵，要使電路不發(fā)生過流幾乎是不可能的，負(fù)載的變化，工作狀態(tài)切換的過度過程，都將引發(fā)過流和過壓，而過流保護(hù)畢竟是被動和有限的措施，要使器件安全工作，最終還是要提高器件自身的過流能力。

　　另外，由于受晶體管制造工藝的限制，IGBT很難制成大電流容量的單管芯，較大電流的器件實(shí)際是內(nèi)部小元件的并聯(lián)，例如，標(biāo)稱電流為600A的IGBT，解剖開是8只75A元件并聯(lián)，由于元件并聯(lián)工藝（焊接）的可靠性較差，使器件較比單一管芯的晶閘管在可靠性方面明顯降低。

　　二。 IGBT的擎住效應(yīng)

　　IGBT的簡化等效電路如圖3所示：

　　圖3 IGBT的等效電路及晶閘管效應(yīng)

　　其中的NPN晶體管和體區(qū)短路電阻Rbr都是因工藝而寄生形成的，這樣，主PNP晶體管與寄生NPN晶體管形成了寄生的晶閘管，當(dāng)器件的集電極電流足夠大時，在電阻Rbr上產(chǎn)生正偏電壓將導(dǎo)致寄生晶體管導(dǎo)通，造成寄生晶閘管導(dǎo)通，IGBT的柵極失去控制，器件的電流迅猛上升超過定額值，最終燒毀器件，這種現(xiàn)象稱為擎住效應(yīng)。IGBT存在靜態(tài)和動態(tài)兩種擎住效應(yīng)，分別由導(dǎo)通時的電流和關(guān)斷時的電壓過大而引起，要在實(shí)踐中根本避免擎住效應(yīng)是很困難的，這在某種程度大大影響了IGBT的可靠性。