AT-601-P是RLC Electronics推出的一款600Ω精密步進(jìn)衰減器，采用binding posts（接線柱）連接器，專為音頻/載波/基帶信號(hào)設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)0-90dB范圍內(nèi)以10dB為
2026-01-05 09:29:12
CYI25BR100?不僅是一款完美的?DS25BR100?替代品，更是針對(duì)高速信號(hào)鏈路，尤其是光電應(yīng)用中的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)而深度優(yōu)化的專業(yè)解決方案。它將卓越的信號(hào)調(diào)理性能、便捷的兼容設(shè)計(jì)和可靠的國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)融為一體，是工程師提升系統(tǒng)性能、保障長(zhǎng)期可靠運(yùn)行的強(qiáng)大工具。
2025-12-23 17:09:41
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我國(guó)鐵路25Hz相敏軌道電路使用的電源，已由采用高頻逆變技術(shù)的電子電源模塊替代了原“田”字型鐵磁變頻器。其主要優(yōu)點(diǎn)是電源穩(wěn)壓精度高、諧波含量低、頻率穩(wěn)定、相位控制好，并且體積小、重量輕、易于更換。
2025-12-22 15:50:003057 
海外高速公路調(diào)頻廣播 直放站CE認(rèn)證
2025-12-22 10:27:03569 
深入解析CIPOS? IFCM15P60GD：集成電力系統(tǒng)的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域，集成電力系統(tǒng)不斷發(fā)展，為各類應(yīng)用提供了更高效、可靠的解決方案。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討英飛凌的Control
2025-12-20 10:35:12476 深入解析 IRF150DM115 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種極為常見(jiàn)且關(guān)鍵的電子元件。今天，我們就來(lái)
2025-12-20 10:15:02589 、PKX014A0X43-SRZ 等）的對(duì)比及替代可行性分析。MSN12AD20-MQ核心參數(shù)輸入電壓：4.5V~15V（部分資料顯示典型輸入為6V~15V，可通過(guò)電阻分壓調(diào)整至4.5V啟動(dòng)）。輸出電壓：0.6V
2025-12-18 10:14:24
MSN12AD12 - MP電源模塊與Murata、COSEL、Linear（ADI）替代分析MSN12AD12-MP是Cyntec推出的一款 12 A 非隔離 PoL（Point-of-Load
2025-12-17 10:11:31
VTM48EF096T025A00：原用于高端計(jì)算系統(tǒng)、通信基站等緊湊空間場(chǎng)景，提供 25A 電流和 200W-500W 功率。MPN541382-PV 通過(guò)以下特性實(shí)現(xiàn)替代：l 功率密度與效率：支持 1000W 負(fù)載
2025-12-11 10:02:24
機(jī)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)了測(cè)試的完整性與公正性。廣電計(jì)量作為國(guó)家認(rèn)可的CNAS實(shí)驗(yàn)室，堅(jiān)持第三方公正立場(chǎng)，依據(jù)國(guó)際、國(guó)家及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，提供從騷擾類（RE, CE, 諧波等）到抗擾
2025-12-10 09:44:12
全面的電磁兼容性評(píng)價(jià)離不開(kāi)對(duì)輻射發(fā)射（RE）、傳導(dǎo)發(fā)射（CE）、輻射抗擾度（RS）、傳導(dǎo)抗擾度（CS）四大核心項(xiàng)目的系統(tǒng)測(cè)試。電磁頻率測(cè)試-RE/CE/RS
2025-12-10 09:41:26
電壓與電流測(cè)試及治理。廣電計(jì)量依據(jù)相關(guān)EMC標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)設(shè)備電源端進(jìn)行精準(zhǔn)的傳導(dǎo)騷擾（CE）測(cè)試。我們的核心優(yōu)勢(shì)在于：不僅能夠準(zhǔn)確識(shí)別騷擾源頭（如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等）
2025-12-10 09:31:19
提供全面的輻射騷擾（RE）和傳導(dǎo)騷擾（CE）測(cè)試，更強(qiáng)大的能力在于高效的整改支持。我們擁有專業(yè)的預(yù)掃描實(shí)驗(yàn)室，可幫助客戶在正式認(rèn)證前快速摸底，定位問(wèn)題。服務(wù)優(yōu)勢(shì)突
2025-12-10 09:25:40
產(chǎn)品可靠性不僅取決于自身性能，更體現(xiàn)在其抵御外界電磁干擾的能力上。電磁敏感度測(cè)試-輻射與傳導(dǎo)抗擾度-產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證服務(wù)，通過(guò)模擬現(xiàn)實(shí)中的輻射與傳導(dǎo)干擾，全面
2025-12-10 09:20:09
LCE系列是君耀TVS產(chǎn)品線中專為“高頻數(shù)據(jù)線路”開(kāi)發(fā)的一款低電容、高功率瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）。它在保持1.5kW（10/1000μs）高浪涌吸收能力的同時(shí)，將典型電容壓縮到≈100pF
2025-12-02 17:13:58605 
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域，供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu)，同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件，不再是簡(jiǎn)單的備選方案，而是演進(jìn)為
2025-12-01 16:18:33270 
? 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子領(lǐng)域，數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)對(duì)模擬 - 數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）的性能要求日益嚴(yán)苛。TI推出的ADS62P15雙通道11位ADC，憑借其出色的性能和豐富的功能，成為眾多應(yīng)用場(chǎng)景中的理想之選
2025-11-27 10:11:36341 
燈具（尤其是LED燈具）屬于歐盟重點(diǎn)監(jiān)管的電氣類產(chǎn)品，在進(jìn)入歐盟市場(chǎng)前必須滿足CE認(rèn)證要求。不同于單一證書(shū)，燈具的CE合規(guī)是多個(gè)指令與標(biāo)準(zhǔn)共同組成的體系。下面將所有關(guān)鍵要求一次性講清，幫助企業(yè)在出
2025-11-25 09:40:21361 
onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET，尺寸為5mmx6mm，可節(jié)省空間并具有出色的熱傳導(dǎo)性能。這款P溝道MOSFET具有1.8mΩ的超低
2025-11-24 15:54:38333 
P6KE7.5A單向 TVS瞬態(tài)抑制二極管：600W功率DO-15封裝參數(shù)規(guī)格介紹
2025-11-22 16:28:363702 
圖2.25可知，該產(chǎn)品的電源口的傳導(dǎo)騷擾不能滿足圖中所示限值的要求，需要分析產(chǎn)生傳導(dǎo)騷擾過(guò)高的原因?！驹?b class="flag-6" style="color: red">分析】關(guān)于電源口傳導(dǎo)騷擾測(cè)試的原理，可以參考案例3中的描
2025-11-21 14:43:09284 
需要復(fù)雜的多級(jí)調(diào)整機(jī)構(gòu)，或難以均衡調(diào)整范圍和微調(diào)精度。P33S2T25宏微復(fù)合壓電快反鏡是壓電偏轉(zhuǎn)鏡與手調(diào)鏡架一體化組件，簡(jiǎn)化了在進(jìn)行光路補(bǔ)償應(yīng)用時(shí)所需的調(diào)整過(guò)程。 一、P33S2T25宏微復(fù)合壓電快反鏡：粗調(diào)與精調(diào)的融合 P33S2T
2025-11-20 10:18:26247 
羅德與施瓦茨R&S ESR26 EMI測(cè)量接收機(jī) 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 羅德與施瓦茨認(rèn)證級(jí)EMI測(cè)試接收機(jī)ESR3|ESR7|ESR26支持EMI傳導(dǎo)騷擾和輻射騷擾測(cè)試，頻率覆蓋從10Hz到
2025-11-20 10:03:00
15N06 30N06 50N06 70N06 120N06 5N10 12N10 15N10 25N10 45N10 70N10 5N15 10N15 15N15 5N20 10N20 5N25 等
2025-11-18 09:59:23
，其中的 62006P-100-25 型號(hào) （輸出規(guī)格：100V / 25A / 600W）以其緊湊的設(shè)計(jì)、純凈的輸出和友好的操作界面，在板級(jí)測(cè)試、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、通信模塊供電等應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 為確保此類基礎(chǔ)測(cè)試儀器始終保持出廠時(shí)的精度與穩(wěn)定性，定期的校準(zhǔn)與專業(yè)的維護(hù)至關(guān)
2025-11-10 18:32:551064 
歐盟CE-RED指令，全稱是RadioEquipmentDirective（無(wú)線電設(shè)備指令），指令編號(hào)為2014/53/EU，是歐盟針對(duì)所有帶無(wú)線發(fā)射功能設(shè)備制定的一項(xiàng)強(qiáng)制性法規(guī)。它是歐盟CE認(rèn)證
2025-11-05 14:01:06452 
/E5B L1/E1/B1以上頻段的GPS、北斗、伽利略、導(dǎo)航IC和QZSS系統(tǒng)。ANT-GNFPC-SHL15天線提供與接地層無(wú)關(guān)的偶極內(nèi)部/嵌入式天線解決方案。這些天線可安裝在透明射頻外殼中，以實(shí)現(xiàn)環(huán)境密封。ANT-GNFPC-SHL15天線的尺寸為25mmx25mmx0.1mm。
2025-11-04 10:16:26409 
CE認(rèn)證是歐盟規(guī)定的強(qiáng)制性安全合格標(biāo)志，全稱為“Conformité Européenne”。它表明產(chǎn)品符合歐盟在安全、健康、環(huán)境保護(hù)和消費(fèi)者權(quán)益等方面的要求。所有電子產(chǎn)品、無(wú)線產(chǎn)品和可穿戴設(shè)備在
2025-10-31 17:09:51177 一、水龍頭是否需要做CE認(rèn)證水龍頭出口歐盟時(shí)是否需要CE認(rèn)證，主要取決于產(chǎn)品類型：產(chǎn)品類型是否需要CE認(rèn)證適用法規(guī)普通機(jī)械式水龍頭（無(wú)電功能）需要機(jī)械安全（MachineryDirective
2025-10-31 15:41:25394 
辦理充電樁CE認(rèn)證（EVChargerCECertification）是進(jìn)入歐盟市場(chǎng)的前提條件，證明產(chǎn)品符合歐盟安全、電磁兼容及環(huán)保等相關(guān)法規(guī)要求。下面我將從認(rèn)證內(nèi)容、辦理流程、費(fèi)用及周期四個(gè)方面為
2025-10-24 16:00:254466 
辦理充電樁CE認(rèn)證（歐盟強(qiáng)制性安全合規(guī)認(rèn)證）是產(chǎn)品進(jìn)入歐洲市場(chǎng)的必要步驟。CE標(biāo)志代表產(chǎn)品符合歐盟的安全、電磁兼容和環(huán)保等指令要求。以下是詳細(xì)的辦理流程與要點(diǎn)說(shuō)明：一、CE認(rèn)證的適用范圍充電樁
2025-10-24 15:49:413884 一、CE認(rèn)證的基本定義CE認(rèn)證（ConformitéEuropéenne）是歐盟市場(chǎng)的強(qiáng)制性合格標(biāo)志，表示產(chǎn)品符合歐盟相關(guān)安全、健康、環(huán)保和消費(fèi)者保護(hù)等指令要求。凡是在歐盟境內(nèi)銷售的產(chǎn)品，無(wú)論是歐盟
2025-10-17 16:25:20516 是的，歐盟對(duì)無(wú)人機(jī)有嚴(yán)格的CE認(rèn)證要求。根據(jù)歐盟法規(guī)，自2024年1月1日起，所有在歐盟市場(chǎng)售賣和運(yùn)行的無(wú)人機(jī)（特別是“開(kāi)放”類別）都必須符合(EU)2019/945和(EU)2019/947法規(guī)
2025-10-17 15:27:34412 普冉P25Q128L-SUH是一款128M-bit超低功耗SPI NOR Flash，工作電壓1.65-2.0V，支持104MHz高速讀取與XIP技術(shù)。具備10萬(wàn)次擦寫壽命、-40℃~85℃工業(yè)級(jí)溫度范圍及硬件寫保護(hù)。
2025-10-17 09:45:00376 
（25-BQFN）工作溫度：-40°C至+85°C控制模式：自動(dòng)節(jié)電/PWM模式切換MUN24AD03-SM替代TI,ADI,TOREX品牌原廠型號(hào)輸入/輸出電流封裝與 MUN24AD03-SM 差異替換建議
2025-10-15 09:09:23
：BGA-144分析：輸出電流和效率優(yōu)于MSN24VD03-GR，但封裝較大，需重新布局。適用場(chǎng)景：對(duì)電流需求較高、空間充裕的應(yīng)用。2. TI（德州儀器）替代型號(hào)TPS65987D：輸入電壓范圍：3V
2025-10-14 09:19:25
### NCE15P25JK-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NCE15P25JK-VB 是一款高性能單極 P 型 MOSFET，采用 **TO252** 封裝，專為高電壓和中等電流的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏極源極
2025-10-13 16:50:30
華邦W25Q128JVSIM作為常用的128Mbit SPI NOR Flash芯片，其兼容替代方案兆易創(chuàng)新GD25Q128ESIGR已獲得批量客戶的認(rèn)可及使用。
2025-10-13 09:33:00869 
一前言傳導(dǎo)發(fā)射（CE）測(cè)試作為電磁發(fā)射（EMI）測(cè)試中的一項(xiàng)，主要研究的是電子、電氣設(shè)備正常工作時(shí)內(nèi)部產(chǎn)生的干擾通過(guò)電源線或信號(hào)線傳輸出去，對(duì)其他設(shè)備或系統(tǒng)造成的干擾強(qiáng)度。為了保證其他設(shè)備或系統(tǒng)
2025-09-30 11:32:203385 
NXP 1052 國(guó)產(chǎn)替代推薦
2025-09-29 10:47:27
### IXYT15P15T-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IXYT15P15T-VB 是一款高性能的單P溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其額定 VDS 為 -150V，具備
2025-09-26 17:58:14
文章對(duì)比了光隔離探頭與高壓差分探頭，分析其工作原理、性能參數(shù)及適用場(chǎng)景，總結(jié)其技術(shù)差異與替代性。
2025-09-26 17:39:09363 ### 一、IRFR6215TRLPBF-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRFR6215TRLPBF-VB 是一種P溝道MOSFET，采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。它的最大漏源電壓（VDS）為-150V，最大柵源
2025-09-25 16:44:22
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：IRFR6215PBF-VB是一款P溝道功率MOSFET，采用TO252封裝。該器件具備較高的VDS電壓（-150V）和較大電流能力（-15A），采用先進(jìn)的Trench技術(shù)
2025-09-25 16:42:24
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRFR6215CPBF-VB是一款采用TO-252封裝的單P溝道MOSFET，具有出色的性能和高效率，適合高功率和高電壓的應(yīng)用。該器件具有耐壓高達(dá)-150V的VDS和-15
2025-09-25 16:39:20
深圳南柯電子｜EMC干擾問(wèn)題整改：從ESD死機(jī)到通過(guò)CE認(rèn)證的全記錄
2025-09-22 10:25:53460 抑制傳導(dǎo)干擾對(duì)電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置測(cè)量精度的影響，需針對(duì)傳導(dǎo)干擾的 三大核心路徑（電源線、采樣信號(hào)線、接地環(huán)路） 和 兩種干擾類型（差模、共模） ，從 “ 源頭阻斷、路徑削弱、敏感防護(hù) ” 三個(gè)維度
2025-09-19 17:08:16721 
影響電壓、電流、諧波、頻率等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量精度。其影響路徑和具體機(jī)制可按 干擾傳播載體 （電源線、信號(hào)線、接地環(huán)路）分類拆解，結(jié)合裝置的 “信號(hào)采集→調(diào)理→ADC→數(shù)據(jù)處理” 核心流程展開(kāi)分析： 一、先明確：傳導(dǎo)干擾的兩種核心類
2025-09-19 16:17:25555 
歐盟重申CE標(biāo)志使用規(guī)范，明確自愿性證書(shū)不得出現(xiàn)“certification”字樣及CE標(biāo)志，以防止消費(fèi)者誤解證書(shū)性質(zhì)，維護(hù)CE標(biāo)志權(quán)威性。
2025-09-19 11:20:56721 
聯(lián)想筆記本 ThinkBook 15 g3 ITL版號(hào)LA-K051P 主板維修圖紙 已驗(yàn)證圖紙正確
2025-09-09 17:09:31
2 保護(hù)功能：過(guò)溫保護(hù)（OTP）開(kāi)路保護(hù)（OVP）短路保護(hù)（SCP）過(guò)流保護(hù)（OCP）
應(yīng)用指南：6215L 是一款兼容寬壓輸入范圍的開(kāi)關(guān)降壓型 DC-DC 控制器，支持輸入電壓高達(dá) 85V。芯片采用固定
2025-09-05 09:49:37
講解威世（Vishay）T15B12A到T15B51A系列型號(hào)，雷卯可以替代。雷卯的SMB封裝1500WTVS系列產(chǎn)品替代型號(hào)列表如下：一、雷卯SMB封裝1500W的TVS核心優(yōu)勢(shì)小型化與高功率密度的完美結(jié)合傳統(tǒng)的1500WTVS二極管通常
2025-08-25 18:20:48677 
在電磁兼容（EMC）測(cè)試領(lǐng)域，傳導(dǎo)騷擾電流法是評(píng)估電子設(shè)備電磁兼容性的關(guān)鍵手段之一。而電流探頭作為獲取準(zhǔn)確測(cè)試數(shù)據(jù)的核心工具，其正確選擇至關(guān)重要。合理的探頭選擇能夠確保測(cè)試結(jié)果精準(zhǔn)反映設(shè)備的傳導(dǎo)騷擾
2025-08-22 10:43:31725 
想請(qǐng)教一下:STM32H753XIH6是完全Pin To Pin 替代STM32H743XIH6的嗎？STM32H757XIH6是完全Pin To Pin 替代STM32H747XIH6的嗎？替代
2025-08-05 10:13:06
、FCC、CCC、PSE等）。一、適配器EMC測(cè)試的主要項(xiàng)目及技術(shù)要求1.傳導(dǎo)騷擾（ConductedEmission）測(cè)試內(nèi)容：測(cè)量適配器在150kHz~30MHz
2025-07-31 17:28:001222 
一、麥克風(fēng)屬于CE強(qiáng)制認(rèn)證產(chǎn)品麥克風(fēng)作為電子音頻設(shè)備，出口歐盟必須完成CE認(rèn)證，并加貼CE標(biāo)志。CE認(rèn)證是強(qiáng)制性的，用于確保產(chǎn)品符合歐盟關(guān)于安全、電磁兼容和環(huán)保的法規(guī)。二、適用的CE指令有
2025-07-28 17:25:06694 CE認(rèn)證是產(chǎn)品進(jìn)入歐盟市場(chǎng)的強(qiáng)制性合規(guī)要求，所有帶電產(chǎn)品，包括各類電源設(shè)備，在投放市場(chǎng)前必須符合CE相關(guān)指令和標(biāo)準(zhǔn)。本文將為您全面介紹電源產(chǎn)品CE認(rèn)證所需步驟、資料和注意事項(xiàng)。一、電源產(chǎn)品為什么要做
2025-07-18 16:26:211852 CE-LVD認(rèn)證，是指依據(jù)歐盟低電壓指令（LowVoltageDirective，2014/35/EU）進(jìn)行的電氣安全合規(guī)性評(píng)估。它是CE認(rèn)證體系中的一個(gè)子項(xiàng)，適用于額定電壓范圍內(nèi)的電子電氣產(chǎn)品
2025-07-16 16:41:291273 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《W25X16W25X32\W25X64 數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-07-10 16:10:594 設(shè)備電源線上接了電源濾波器，但仍然無(wú)法通過(guò)傳導(dǎo)騷擾電壓發(fā)射測(cè)試，原因有二：騷擾強(qiáng)度大或?yàn)V波器安裝不當(dāng)。要解決這個(gè)問(wèn)題，需降低騷擾強(qiáng)度或增大濾波器階數(shù)。濾波器安裝需遠(yuǎn)離電源入口，避免產(chǎn)生電磁騷擾。
2025-06-18 17:16:31514 
電壓傳感器產(chǎn)品型號(hào)：VN2A 25 P04本傳感器的原邊與副邊之間是絕緣的，用于測(cè)量直流電壓。特性? 基于霍爾原理的閉環(huán)（補(bǔ)償）電流傳感器? 原材料符合UL 94-V0? 單電源供電 +24V
2025-06-17 16:44:040 產(chǎn)品描述：(替代NCP1654)PC1654是一款應(yīng)用于連續(xù)傳導(dǎo)模式（ CCM ）升壓式功率因數(shù)校正（ PFC） 控制器。它以固定的頻率模式控制電源開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間（ PWM ） 并依賴于瞬時(shí)電感
2025-06-16 14:34:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《愛(ài)華 HS-P25、107/HS-P105/HS-P103 型立體聲放音機(jī)電路圖.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-06-11 15:35:1711 CYUSB3014通過(guò)SPI接口固化img到M25P40，重啟失敗.
啟動(dòng)模式PMODE=0F1.
下載完img后，顯示下載成功，但是重啟 ，程序沒(méi)有運(yùn)行，還是顯示bootloader
2025-06-04 06:22:14
（厚度≥0.8mm）
三、認(rèn)證測(cè)試數(shù)據(jù)通過(guò)CNAS認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室測(cè)試結(jié)果顯示：
測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果余量傳導(dǎo)騷擾EN5501558dBμV+6dB輻射騷擾EN5501542dBμV/m+8dB靜電
2025-05-28 16:40:01
一前言傳導(dǎo)發(fā)射（ConductedEmission）測(cè)試，簡(jiǎn)稱CE，也稱為傳導(dǎo)騷擾，是指系統(tǒng)內(nèi)部的電壓或電流通過(guò)信號(hào)電纜、電源線或地線傳輸出去，從而成為其他系統(tǒng)或設(shè)備的干擾源的一種電磁現(xiàn)象。傳導(dǎo)發(fā)射
2025-05-27 11:34:01732 本期，為大家?guī)?lái)的是《使用基于 GaN 的 OBC 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車 EMI 傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)》，將深入回顧 CISPR 32 對(duì) OBC 的 EMI 要求，同時(shí)詳細(xì)探討可靠數(shù)據(jù)測(cè)量的最佳做法、GaN 對(duì) EMI 頻譜的影響，以及解決傳導(dǎo)發(fā)射問(wèn)題的有效方案。
2025-05-24 15:46:004360 
在電子設(shè)備廣泛應(yīng)用且技術(shù)迭代迅速的當(dāng)下，電磁兼容性（EMC）已成為衡量設(shè)備質(zhì)量與可靠性的關(guān)鍵指標(biāo)。EMI（電磁干擾）測(cè)試作為EMC測(cè)試的重要組成部分，其中傳導(dǎo)騷擾測(cè)試和輻射發(fā)射測(cè)試更是評(píng)估設(shè)備
2025-05-23 17:22:39531 
電源傳導(dǎo)與輻射干擾分析一、傳導(dǎo)干擾分析與整改案例1.傳導(dǎo)干擾基礎(chǔ)傳導(dǎo)干擾分為差模和共模兩種：①差模干擾：存在于L與N線之間的干擾，主要在1MHz以下頻段②共模干擾：存在于L/N與地（FG）之間的干擾
2025-05-23 09:10:151069 
MOS管在DC-AC逆變器中承擔(dān)高頻開(kāi)關(guān)與功率轉(zhuǎn)換核心功能，其開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通損耗、耐壓能力及熱穩(wěn)定性直接決定逆變效率。IRF3710雖為經(jīng)典型號(hào)，但國(guó)產(chǎn)化方案FHP70N11V憑借更優(yōu)參數(shù)與工藝，可顯著提升車載逆變性能并保障供應(yīng)鏈安全。
2025-05-21 09:14:361694 
IP6822無(wú)線充電芯片，通過(guò)H橋驅(qū)動(dòng)模塊高效轉(zhuǎn)化電能，保證信號(hào)傳輸穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)雙保險(xiǎn)通信。其內(nèi)置的Sink協(xié)議智能適配PD快充電源，實(shí)現(xiàn)快速充電。在智能手機(jī)充電場(chǎng)景中，IP6822表現(xiàn)出傳導(dǎo)穩(wěn)定性，堪比專業(yè)級(jí)醫(yī)療設(shè)備電源。
2025-05-15 09:03:00417 
已經(jīng)有很多客戶選用雷卯的SLVU2.8-4 替代 Amazing 的ESD二極管 AZ3028-04P，在替代產(chǎn)品的選擇上，參數(shù)匹配度與供貨穩(wěn)定性至關(guān)重要。上海雷卯向客戶推薦這款型號(hào)，其參數(shù)
2025-05-07 21:10:07588 
TeMu平臺(tái)要求提供CE-Battery資質(zhì)是什么，怎么辦？根據(jù)Temu平臺(tái)的要求及歐盟新電池法規(guī)（EU2023/1542），所有在歐盟和英國(guó)站點(diǎn)銷售的電池或含電池產(chǎn)品必須提供CEBattery認(rèn)證
2025-04-15 17:11:05954 
和數(shù)據(jù)通信
伺服電動(dòng)機(jī)
工業(yè)的
汽車
CE65H110DNDl一般特性
易于驅(qū)動(dòng)，與標(biāo)準(zhǔn)門驅(qū)動(dòng)器兼容
低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
CE65H110DNDl好處
通過(guò)快速切換提高效率
功率密度
2025-03-31 14:26:10
）、CE（產(chǎn)品傳導(dǎo)干擾）、Harmonic（諧波）、Ficker（閃爍）。其中關(guān)鍵測(cè)試指標(biāo)RE和CE分別為傳導(dǎo)噪聲（Conducted Emission）和輻射噪聲（Radiated Emission
2025-03-28 13:28:19
UN恒壓模式可調(diào)線損補(bǔ)償小功率電源芯片U6215AYinLianBao深圳銀聯(lián)寶電源芯片的特點(diǎn)包括高集成度、高效能、低待機(jī)功耗、多重保護(hù)功能等，適用于小型電子設(shè)備、便攜式設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景。選擇合適
2025-03-27 16:28:58866 
在工業(yè)、金融、能源等領(lǐng)域，進(jìn)口電腦設(shè)備長(zhǎng)期占據(jù)主導(dǎo)地位，但高昂的成本和技術(shù)依賴風(fēng)險(xiǎn)成為企業(yè)痛點(diǎn)。如今，以華頡工控機(jī)為代表的全國(guó)產(chǎn)電腦替代方案，通過(guò)CPU、操作系統(tǒng)、芯片組的全面國(guó)產(chǎn)化，將性能差距從過(guò)去的50%以上縮小至15%以內(nèi)，同時(shí)成本直降40%。
2025-03-27 13:43:033088 
各位大佬：請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有可以直接使用的骨傳導(dǎo)耳機(jī)的電路方案，鼠鼠的畢設(shè)就差這一部分了，但是一直沒(méi)有思路，求各位大佬指教
2025-03-25 19:59:03
案例49:PCB中多了1cm2的地層銅【現(xiàn)象描述】某通信轉(zhuǎn)換模塊的24V直流電源端口傳導(dǎo)騷擾測(cè)試頻譜圖如圖6.21所示。從圖中可以看出，低頻段平均值超過(guò)CLASSA限值。【原因分析】該產(chǎn)品的電源入口
2025-03-21 17:40:49701 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)NN2-15S15ANT相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有NN2-15S15ANT的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，NN2-15S15ANT真值表，NN2-15S15ANT管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-19 18:39:52
ZPG.1B.P08.HXN 雷莫替代規(guī)格書(shū)
2025-03-11 15:26:130 的原理了解清楚后，就不難找到合適的對(duì)策，將傳導(dǎo)發(fā)射電平和輻射發(fā)射電平降到合適的水平，實(shí)現(xiàn)電磁兼容性設(shè)計(jì)。
2 開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)騷擾
2.1 傳導(dǎo)發(fā)射的產(chǎn)生
開(kāi)關(guān)電源的傳導(dǎo)騷擾是通過(guò)電源的輸入電源線向外
2025-03-07 15:31:09
HMC349ALP4CE 是一款工作頻率范圍為 100 MHz 至 4 GHz 的砷化鎵 (GaAs) 單刀雙擲 (SPDT) 開(kāi)關(guān)。
HMC349ALP4CE 具有隔離度高 (62 dB
2025-03-07 14:19:50931 
壓電俠代理的SG-8101CE是愛(ài)普生推出的一款高性能可編程晶振，支持0.67-170MHz寬頻段可編程調(diào)節(jié)，步進(jìn)精度達(dá)±1ppm，并能在-40℃至+105℃寬溫范圍內(nèi)保持±15ppm的高穩(wěn)定性
2025-03-06 15:38:54760 
本文圍繞設(shè)備雖接電源濾波器但仍無(wú)法通過(guò) “傳導(dǎo)騷擾電壓發(fā)射” 測(cè)試展開(kāi)，分析超標(biāo)原因及常見(jiàn)濾波器錯(cuò)誤安裝方式對(duì)性能的影響
2025-02-24 11:02:03552 
PY32F002AF15P6 是一款由普冉半導(dǎo)體股份有限公司生產(chǎn)的單片機(jī)，基于高性能的32位ARM Cortex-M0+內(nèi)核設(shè)計(jì)，專為需要高性能和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景而打造。PY32F002AF15P
2025-02-24 10:52:474536 
測(cè)試共享：CE與FCC的輻射騷擾測(cè)試數(shù)據(jù)可部分復(fù)用（頻段重疊）。 成本優(yōu)化：選擇CNAS+ILAC雙資質(zhì)實(shí)驗(yàn)室，報(bào)告全球互認(rèn)。
2025-02-13 14:29:134679 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74HC73帶復(fù)位的雙JK觸發(fā)器規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 15:30:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74HC73-Q100雙JK觸發(fā)器規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-07 15:31:200 OI-ATR6000 自動(dòng)騷擾功率測(cè)試導(dǎo)軌專為電磁兼容性（EMC）測(cè)試設(shè)計(jì)，搭配上位機(jī)控制軟件，可用于支持和安裝測(cè)試設(shè)備，確保測(cè)試過(guò)程中的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。該導(dǎo)軌整體采用非金屬材料構(gòu)成，有效避免電磁波的反射。OI-ATR6000 提供長(zhǎng)達(dá) 6 米的工作范圍，能夠滿足各種尺寸和配置的設(shè)備需求。
2025-02-05 17:12:04
在如今日益擁擠的無(wú)線電頻譜和復(fù)雜的電磁環(huán)境下，為評(píng)估電子設(shè)備對(duì)干擾的耐受能力，騷擾功率測(cè)試嶄露頭角。通過(guò)模擬各種干擾場(chǎng)景，包括不同頻率和功率級(jí)別的干擾信號(hào)，騷擾功率測(cè)試能夠客觀評(píng)估設(shè)備在受干擾情況下
2025-02-05 16:55:26
我們采用ADS62P25進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，采用并行接口控制（SCLK接AGND，SEN接AVDD，CTRL1、CTRL2、CTRL3接AGND），CMOS模式輸出，內(nèi)參考。為什么輸出的數(shù)據(jù)很亂？
2025-02-05 07:03:09
不同材質(zhì)的熱傳導(dǎo)率存在著顯著的差異，金屬如銅和鋁因其自由電子數(shù)量眾多，而擁有卓越的熱傳導(dǎo)性能能夠快速傳遞熱量，相比之下，塑料和地毯等材料熱傳導(dǎo)率較低，熱量在其內(nèi)部傳遞緩慢得多。
2025-01-22 17:12:361064 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
? ? ? ? 該平臺(tái)是由16nm工藝的的Kintex UltraScale+系列主器件XCKU15P構(gòu)建的一款加速卡平臺(tái)，支持 PCIE Gen3x16 模式，支持 2組 72-bit DDR4
2025-01-15 10:11:541110 
在當(dāng)今高度電子化的世界中，電子設(shè)備的電磁兼容性(EMC)至關(guān)重要。而 EMC傳導(dǎo)測(cè)試作為電磁兼容之中十分重要的一環(huán)，也困擾著許多工程師。而傳導(dǎo)測(cè)試中如何整改呢?今天，就讓我們一起共同探討了解EMC傳導(dǎo)的思路。
2025-01-14 15:46:122941 
### 一、BUK6215-75C-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介BUK6215-75C-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能單 N 溝道 MOSFET，封裝形式為 TO-252。這款
2025-01-13 16:41:00
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的EMI分為電磁輻射和傳導(dǎo)輻射(CE)。 本文重點(diǎn)討論傳導(dǎo)輻射，其可進(jìn)一步分為兩類：共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。 為什么要區(qū)分CM-DM？對(duì)CM噪聲有效的EMI抑制技術(shù)不一定對(duì)DM
2025-01-09 16:15:17985 ### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介AUIRFR6215-VB是一款高性能單P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），封裝形式為TO252，采用Trench技術(shù)。此MOSFET適用于負(fù)電壓和高電流的應(yīng)用場(chǎng)景，特別適合在高壓
2025-01-06 10:39:30
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