接觸汽車電子行業(yè)的都知道，IGBT單元就是控制電動(dòng)汽車加速時(shí)的電流輸出，以及制動(dòng)能量回饋時(shí)的電流輸入的核心部件。那什么是IGBT呢？IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管的簡(jiǎn)稱，是由BJT (雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。本章話題只要講解汽車電子IGBT模組的激光焊錫應(yīng)用。

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所述的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見。

在IGBT模塊進(jìn)行外殼封裝之前，先將IGBT芯片和二極管芯片通過焊片將其焊接在DBC基板上，其次，將焊好芯片的DBC進(jìn)行芯片鍵合，然后再進(jìn)行二次焊接。該工藝過程中，先將焊接好的子單元進(jìn)行清洗，防止子單元被氧化，再將子單元、電極、焊片和焊環(huán)通過設(shè)備將其焊接在鋁碳化硅的散熱底板上。

二次焊接工藝對(duì)IGBT空洞率的影響因素分析

1. 焊料

目前，所采用的焊片和焊環(huán)材質(zhì)含有Sn、Pb和Ag，不存在助焊劑，且在焊接之前確保焊料不被氧化。

2. 焊接溫度

在焊接過程中，將被焊接的IGBT裝載在一個(gè)托盤中，并通過電機(jī)拖動(dòng)系統(tǒng)使其依次在加熱區(qū)、冷卻區(qū)、真空保壓等之間運(yùn)轉(zhuǎn)。焊接過程中，可根據(jù)焊料的熔點(diǎn)溫度來選取合適的焊接溫度即可，焊接溫度完全按照標(biāo)準(zhǔn)的工藝文件設(shè)置。

3. 降溫速率

在冷卻過程中，也需要特別注意降溫的速率快慢。特別是在焊料結(jié)晶點(diǎn)附近的降溫速率，降溫過快時(shí)，便會(huì)導(dǎo)致焊料成型的不均勻;當(dāng)降溫速率過慢時(shí)，卻會(huì)導(dǎo)致空洞率的增加，從而影響焊接質(zhì)量。因此，在實(shí)際操作時(shí)，必須按照標(biāo)準(zhǔn)的工藝文件要求來設(shè)定速率，以防影響焊接的空洞率。
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