車工業(yè)級SiC肖特基二極管選型需遵循“參數(shù)匹配、可靠性優(yōu)先、成本可控”原則，根據(jù)OBC功率等級、電壓平臺及工作環(huán)境，優(yōu)先選擇通過車規(guī)認證、熱性能優(yōu)異、適配高頻工況的產(chǎn)品。
2025-12-24 13:25:30
660 
MBRD30150CT TO-252肖特基二極管
2025-12-03 16:50:28
0 MBRD30100CT TO-252肖特基二極管
2025-12-03 16:47:300 MBRD3060CT TO-252肖特基二極管
2025-12-03 16:46:140 MBRD3045CT TO-252肖特基二極管
2025-12-02 16:51:500 在電力電子領(lǐng)域，不斷追求更高的效率、更快的開關(guān)速度和更小的系統(tǒng)尺寸，碳化硅（SiC）肖特基二極管正逐漸成為新一代功率半導體的首選。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NDSH20120CDN 碳化硅肖特基二極管，了解其特點、性能參數(shù)以及應用場景。
2025-12-01 16:01:54189 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155，深入探討它的特性、參數(shù)和應用。
2025-12-01 15:55:06207 
MBRD30200CT TO-252肖特基二極管
2025-11-28 16:15:100 MBRD20200CT TO-252肖特基二極管
2025-11-28 16:13:540 在當今電子設備不斷追求高性能、高可靠性和小型化的時代，功率半導體器件的性能提升至關(guān)重要。碳化硅（SiC）肖特基二極管作為新一代功率半導體，憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用領(lǐng)域的首選。今天，我們就來深入探討 onsemi 的 NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管。
2025-11-28 14:15:39205 MBRD20150CT TO-252肖特基二極管
2025-11-27 18:04:570 MBRD20100CT TO-252肖特基二極管
2025-11-27 17:58:331 MBRD10200CT TO-252肖特基二極管
2025-11-27 17:52:310 MBRD10100CT TO-252肖特基二極管
2025-11-27 17:49:410 在電子工程師的日常設計工作中，選擇合適的二極管至關(guān)重要。今天就來和大家深入探討一下NSR30CM3這款雙共陰極肖特基勢壘二極管，看看它在各類應用中能帶來怎樣的表現(xiàn)。
2025-11-27 11:29:41317 
MBRD2060CT TO-252肖特基二極管
2025-11-26 17:28:010 MBRD2045CT TO-252肖特基二極管
2025-11-26 17:25:260 MBRD1060CT TO-252肖特基二極管
2025-11-26 17:19:160 MBRD1045CT TO-252肖特基二極管
2025-11-26 17:17:310 在電子電路設計中，肖特基二極管作為高頻、低功耗應用的理想選擇，其選型至關(guān)重要。德昌推出的SOD-123封裝肖特基二極管系列，憑借其低正向壓降、快速反向恢復時間和高可靠性，廣泛應用于電源管理、高頻
2025-11-25 16:55:43689 
SB1545L TO-277肖特基二極管，電流：15A 45V
2025-11-03 16:10:470 SB10200 TO-277肖特基二極管，電流：10A 200V
2025-11-03 16:08:371 SB10150 TO-277肖特基二極管，電流：10A 150V
2025-11-03 16:01:580 SB10100L TO-277肖特基二極管，電流：10A 100V
2025-11-01 17:42:350 SB1060L TO-277肖特基二極管，電流：10A 60V
2025-11-01 17:13:170 SS5200F SMAF肖特基二極管，電流：5A 200V
2025-11-01 17:12:010 SS5150F SMAF肖特基二極管，電流：5A 150V
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2025-11-01 16:18:170 SS34F SMAF肖特基二極管，電流：3A 40V
2025-11-01 16:17:420 SS2200F SMAF肖特基二極管，電流：2A 200V
2025-10-31 17:54:380 SS2150F SMAF肖特基二極管，電流：2A 150V
2025-10-31 17:50:180 SS210F SMAF肖特基二極管，電流：2A 100V
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2025-10-31 15:38:420 SS16F SMAF肖特基二極管，電流：1A 60V
2025-10-31 15:36:470 SS14F SMAF肖特基二極管，電流：1A 40V
2025-10-30 18:07:040 SS12F SMAF肖特基二極管，電流：1A 20V
2025-10-30 17:55:030 SS5200 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 200V
2025-10-29 16:50:490 SS5150 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 150V
2025-10-29 16:47:550 SS510 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 100V
2025-10-29 16:45:590 SS56 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 60V
2025-10-28 18:00:190 SS54 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 40V
2025-10-28 17:52:220 SS52 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 20V
2025-10-28 17:49:040 SS3200 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 200V
2025-10-28 17:22:260 SS3150 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 150V
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2025-10-28 16:46:280 SS310 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 100V
2025-10-28 16:44:420 SS34 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 40V
2025-10-28 16:43:510 SS32 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 20V
2025-10-28 16:41:370 SS2200 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 200V
2025-10-28 16:39:230 SS2150 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 150V
2025-10-24 18:21:440 SS210 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 100V
2025-10-24 16:03:250 SS28 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流:2A 80V
2025-10-23 18:09:270 SS26 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流2A 60V
2025-10-23 17:36:070 SS24 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 40V
2025-10-23 17:29:070 SS22 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 20V
2025-10-23 17:28:180 想問下，二級差分電路的電阻該怎么配置呢？
2025-10-16 15:05:37
IEC 61643-11及我國GB/T 18802.1-2011標準，SPD分為： Ⅰ級（B級）：用于建筑物總配電柜，防直擊雷及大能量沖擊； Ⅱ級（C級）：用于樓層或分配電柜，防雷電感應、電磁脈沖及開關(guān)操作過電壓； Ⅲ級（D級）：用于終端設備前的細保護。 二級浪涌保護器正是Ⅱ級SPD，主要吸收殘余
2025-09-28 14:40:41518 
? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域，硅基氮化鎵（GaN-on-Si）肖特基勢壘二極管（SBD）因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢展現(xiàn)出巨大潛力。然而，Si與GaN材料之間嚴重的晶格失配導致外延層中存在高密度缺陷
2025-09-26 16:48:581017 
SB320 - SB3100肖特基二極管規(guī)格書資料
2025-09-23 15:10:440 肖特基二極管與普通硅二極管（PN結(jié)二極管）最核心的結(jié)構(gòu)差異，就在于它沒有P+外延層（或P型半導體層），取而代之的是金屬-半導體結(jié)（肖特基結(jié)）。 圖表1 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)差異 1.更低的正向壓降
2025-09-22 16:40:132422 
MBRF10200CT肖特基二極管規(guī)格書資料
2025-09-18 17:29:270 由此可知，肖特基二極管和整流二極管是互補的二極管。肖特基憑借其超低正向壓降和超快開關(guān)速度在低壓、高頻、高效率領(lǐng)域占據(jù)主導地位。整流二極管則憑借其高反向電壓、低反向漏電流和低成本在高壓和工頻整流應用中
2025-08-22 17:14:101542 
深圳市三佛科技有限公司介紹PFR20200CTF肖特基二極管相關(guān)特性：
PFR20200CTF為PFC推出的LOW VF肖特基二極管，PFR20200CTF可以滿足充電器，電源，小家電等需要大電流
2025-08-20 14:53:50
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2025-07-18 18:34:59
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2025-07-18 18:34:21
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2025-07-17 18:32:15
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2025-07-17 18:31:22
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2025-07-17 18:30:54
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2025-07-17 18:29:59
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2025-07-15 18:33:03
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2025-07-15 18:32:18
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅無光束肖特基二極管 - 成對和四成對相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有硅無光束肖特基二極管 - 成對和四成對的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，硅無光束肖特基二極管
2025-07-14 18:33:30
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管真值表，零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-14 18:33:02
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2025-07-11 18:30:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()突變結(jié)變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管陶瓷封裝相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有突變結(jié)變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管陶瓷封裝的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，突變結(jié)變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管陶瓷封裝真值表，突變結(jié)變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管陶瓷封裝管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-10 18:29:59
AUKOM 一級課程通過系統(tǒng)的分析測量誤差，即工件、環(huán)境、測量機、操作人員、測量策略，五個方面分析誤差因子，保證策量結(jié)果的準確性。 AUKOM 二級課程是在AUKOM 一級的基礎(chǔ)上，更深入的展開
2025-06-03 14:26:562083 
在現(xiàn)代電子電路中，肖特基二極管憑借其獨特的物理特性，成為高頻、低壓場景的核心器件。這類二極管核心結(jié)構(gòu)為金屬 - 半導體結(jié)(肖特基結(jié))，以“快、省、穩(wěn)”三大核心優(yōu)勢，廣泛應用于開關(guān)電源、新能源汽車
2025-05-20 10:48:571085 當代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
在電子電路的二極管家族中，肖特基二極管猶如一位“短跑健將”，憑借獨特的物理結(jié)構(gòu)和電氣特性，在高頻整流、快速開關(guān)等場景中占據(jù)不可替代的地位。與傳統(tǒng)硅基PN結(jié)二極管不同，它通過“金屬-半導體結(jié)”（肖特基
2025-05-15 15:36:421824 二級浪涌防雷電路設計
2025-05-12 15:31:411753 
肖特基二極管是一種由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管，也可稱為肖特基勢壘二極管，屬于金屬半導體結(jié)型二極管。作為一種低功耗、超高速半導體器件，其主要特點是正向?qū)▔航敌 ⒎聪蚧謴蜁r間短和開關(guān)損耗小，因此廣泛應用在變頻器、開關(guān)電源、模塊電源、驅(qū)動電路等場合。
2025-05-06 17:45:471830 
在高溫環(huán)境下，肖特基二極管（SchottkyDiode）以其低正向壓降和快速開關(guān)特性被廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動及新能源系統(tǒng)中。然而，由于其PN結(jié)被金屬-半導體接觸結(jié)構(gòu)取代，其溫度特性與普通PN結(jié)
2025-04-17 12:39:51635 
實驗名稱：雪崩光電二級管電致發(fā)光輻射特性的研究 測試目的：雪崩光電二極管是一種高速、高靈敏的二極管。相比于通常的光電倍增管，APD具有高量子效率、高穩(wěn)定性，對于外部環(huán)境具有很強的適應性。因此APD在
2025-04-17 11:41:45547 
的器件成為工程師的重要決策點。1.工作原理對比?肖特基二極管（SchottkyDiode）采用金屬-半導體結(jié)（MS結(jié)）結(jié)構(gòu)，載流子為多數(shù)載流子（電子）。具有低正向壓
2025-04-01 09:46:011667 
MDD整流二極管是電力電子和信號處理電路中的重要器件，其核心工作原理依賴于PN結(jié)的整流特性。PN結(jié)是由P型半導體和N型半導體構(gòu)成的基本結(jié)構(gòu)，通過其單向?qū)щ娦?，實現(xiàn)交流到直流的轉(zhuǎn)換。MDD本文將深入
2025-03-21 09:36:461410 
在電力電子和開關(guān)電源設計中，快恢復二極管和肖特基二極管是兩類高頻應用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開關(guān)場景，但其工作原理、性能特點及適用場景存在顯著差異。一、結(jié)構(gòu)差異快恢復二極管（FRD）結(jié)構(gòu)
2025-02-24 15:37:561812 中的未來前景。 如今，電源管理設計工程師常常會問道： 現(xiàn)在應該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導體，可以讓功率開關(guān)在高溫下工作并實現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551177 
SiC（碳化硅）肖特基二極管正逐步取代傳統(tǒng)的FRD（快恢復二極管），成為新一代電力電子設備的核心元件。本文將深入探討這一趨勢背后的原因，并探究BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在性能、效率和應用方面的優(yōu)勢。 BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管
2025-02-06 11:51:051085 
肖特基二極管(Schottky diode)， 肖特基二極管的物理結(jié)構(gòu)基于金屬- N 型半導體結(jié)，因而具有很低的正向壓降和極快的開關(guān)速度。
2025-01-24 15:54:441148 
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