本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來(lái)定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對(duì)比定位效果，然后用FIB做定點(diǎn)截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁條被熔斷。

案例分析：

據(jù)客戶反饋，應(yīng)用于新能源汽車(chē)SiC MOSFET器件芯片部分出現(xiàn)電學(xué)失效現(xiàn)象：共16個(gè)器件，其中5個(gè)正常，11個(gè)失效。其中失效情況：芯片漏電，及部分芯片燒毀。

金鑒工程師隨機(jī)抽取其中一個(gè)漏電失效MOS管器件芯片樣品進(jìn)行初步漏電失效分析。

測(cè)試樣品發(fā)射率，更精準(zhǔn)測(cè)溫：

調(diào)整芯片發(fā)射率后利用金鑒顯微紅外熱點(diǎn)定位測(cè)試系統(tǒng)測(cè)得樣品熱點(diǎn)溫度為70 ℃，A點(diǎn)溫度為56 ℃。

測(cè)試原理：精密半導(dǎo)體器件存在缺陷異?；蛐阅懿患训那闆r下，通常會(huì)表現(xiàn)出異常局部功耗分布，最終會(huì)導(dǎo)致局部溫度升高。金鑒顯微紅外熱點(diǎn)定位系統(tǒng)利用新型高分辨率微觀缺陷定位技術(shù)進(jìn)行熱點(diǎn)鎖定（lock in） ，可快速而準(zhǔn)確地探測(cè)細(xì)微缺陷（異常點(diǎn)）位置。

OBIRCH在顯示SiC芯片漏電點(diǎn)上的效果一樣，但是價(jià)格卻大大降低。

對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行FIB切割分析：

我們觀察到此發(fā)熱點(diǎn)金屬化薄膜鋁條被熔斷。

存在缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常會(huì)表現(xiàn)出異常的局部功耗分布，最終會(huì)導(dǎo)致局部溫度增高。金鑒顯微紅外熱點(diǎn)定位測(cè)試系統(tǒng)利用熱點(diǎn)鎖定技術(shù)，可準(zhǔn)確而高效地確定這些關(guān)注區(qū)域的位置。在SiC Mos等功率器件分析中，可用來(lái)確定線路短路、ESD擊穿等。該測(cè)試技術(shù)是在自然周?chē)h(huán)境下執(zhí)行的，無(wú)需液氮制冷和遮光箱。

責(zé)任編輯：tzh