率。光罩的存儲(chǔ)需要特別注意，因?yàn)樗鼈儗?duì)環(huán)境非常敏感。光罩盒是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)存放和保護(hù)光罩的容器，它們通常由石英玻璃、金屬鉻和感光膠等材料制成，需要在無(wú)塵、干燥的環(huán)境

有機(jī)硅灌封膠的固化過(guò)程是其應(yīng)用中的核心環(huán)節(jié)，直接決定了最終產(chǎn)品的性能與可靠性。施奈仕團(tuán)隊(duì)將為您系統(tǒng)解讀有機(jī)硅灌封膠的固化原理、過(guò)程演進(jìn)及影響固化效果的關(guān)鍵因素。一、固化原理：交聯(lián)反應(yīng)構(gòu)建三維網(wǎng)絡(luò)

熱固化快而耐高溫，但需要烘箱；室溫固化無(wú)需加熱，適合熱敏器件，卻固化慢。本文從工藝、性能、成本、適用場(chǎng)景深入對(duì)比兩種固化方式，并給出4大選型判斷邏輯，幫你一次選對(duì)灌封膠！ | 鉻銳特實(shí)業(yè)

深入剖析六類(lèi)典型負(fù)載的選型策略，并結(jié)合實(shí)際工況提供可操作性強(qiáng)的解決方案。 一、理解負(fù)載特性與變頻器的關(guān)系 負(fù)載類(lèi)型主要分為恒轉(zhuǎn)矩（如傳送帶、壓縮機(jī)）、變轉(zhuǎn)矩（如風(fēng)機(jī)、水泵）、恒功率（卷取機(jī)）和高慣性負(fù)載（破

最近在研究E203的RTL代碼，有一個(gè)信號(hào)是test_mode，開(kāi)源代碼里面給了個(gè)常量0。 請(qǐng)教一下各位大佬，這個(gè)信號(hào)是干啥用的？在什么情況下接0，什么情況下接1？ 請(qǐng)大佬賜教，謝謝~

在工業(yè)領(lǐng)域，工業(yè)一體機(jī)與UV固化機(jī)的結(jié)合主要體現(xiàn)為集成點(diǎn)膠與固化功能的一體化設(shè)備（如UV點(diǎn)膠固化一體機(jī)），其通過(guò)自動(dòng)化控制與高效固化技術(shù)，顯著提升了生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量，廣泛應(yīng)用于電子制造、光學(xué)器件

一：生成程序的bin文件 方法一：直接用NucleiStudio生成程序的bin文件 方法二：命令行執(zhí)行，例如：riscv-nuclei-elf-objcopy -O binary hello_test.elf hello_test.bin 其中.elf文件在工程目錄下可以找到。 二：用python解析bin文件，轉(zhuǎn)化為verilog的initial語(yǔ)塊,以.txt格式存儲(chǔ) 本人對(duì)python只有入門(mén)級(jí)的了解，這里提供一個(gè)很粗糙的模板：(以itcm的位寬為64位為例) #讀取bin文件 name = “hello_test” filepath = name+”.bin” targetpath = name+”.data” target = open(targetpath, “w”) binfile = open(filepath, ‘rb’) i = 0 ch = binfile.read(1) while ch: data = ord(ch) target.write (“%02X” %(data)) if i % 8 == 7: target.write (“n”) i = i + 1 ch = binfile.read(1) binfile.close() #轉(zhuǎn)為verilog的initial語(yǔ)句 filepath = name+”.data” targetpath = name+”.txt” target = open(targetpath, “w”) datafile = open(filepath, ‘r’) i = 0 ch1 = datafile.read(1) ch2 = datafile.read(1) ch3 = datafile.read(1) ch4 = datafile.read(1) ch5 = datafile.read(1) ch6 = datafile.read(1) ch7 = datafile.read(1) ch8 = datafile.read(1) ch9 = datafile.read(1) ch10 = datafile.read(1) ch11 = datafile.read(1) ch12 = datafile.read(1) ch13 = datafile.read(1) ch14 = datafile.read(1) ch15 = datafile.read(1) ch16 = datafile.read(1) target.write(“initial begin”) target.write(“n”) while ch16: target.write(“ mem_r[%d]=64’h” %i) target.write (ch15) target.write (ch16) target.write (ch13) target.write (ch14) target.write (ch11) target.write (ch12) target.write (ch9) target.write (ch10) target.write (ch7) target.write (ch8) target.write (ch5) target.write (ch6) target.write (ch3) target.write (ch4) target.write (ch1) target.write (ch2) target.write (“;”) target.write(“n”) i=i+1 ch = datafile.read(1) ch1 = datafile.read(1) ch2 = datafile.read(1) ch3 = datafile.read(1) ch4 = datafile.read(1) ch5 = datafile.read(1) ch6 = datafile.read(1) ch7 = datafile.read(1) ch8 = datafile.read(1) ch9 = datafile.read(1) ch10 = datafile.read(1) ch11 = datafile.read(1) ch12 = datafile.read(1) ch13 = datafile.read(1) ch14 = datafile.read(1) ch15 = datafile.read(1) ch16 = datafile.read(1) target.write (“endn”) target.close() datafile.close() 三：將生成的*.txt內(nèi)的內(nèi)容復(fù)制進(jìn)itcm的sram中（本質(zhì)上為初始化sram的內(nèi)容） 可以直接復(fù)制該內(nèi)容到sirv_sim_ram.v文件里，但這是很不好的做法，因?yàn)椴恢挂粋€(gè)上層模塊會(huì)調(diào)用該模塊，最好重寫(xiě)一份sirv_sim_ram.v。（或者直接換個(gè)模塊名就好了，內(nèi)容不變） 四：頂層模塊選擇從room啟動(dòng) e203_soc_top dut ( … .io_pads_bootrom_n_i_ival (1’b0), .io_pads_dbgmode0_n_i_ival (1’b1), .io_pads_dbgmode1_n_i_ival (1’b1), .io_pads_dbgmode2_n_i_ival (1’b1) );

，添加initial語(yǔ)句，使用readmemh語(yǔ)句讀取需要固化的程序.verilog，這需要注意的寬度不一樣。解決方法可以使用腳本修改.verilog文件，或者和tb中一樣暫存一下。 同時(shí)在

在有一個(gè)文件夾有返回的時(shí)候，構(gòu)建關(guān)系正常。 在沒(méi)有任何選擇的情況下，構(gòu)建關(guān)系異常。（這時(shí)候應(yīng)該所有文件劃傷×且不編譯） 這是我sconscript的寫(xiě)法

如何在“SD 卡 NAND 閃存”的情況下使用 Non-OS NVTFAT

使用Nano112驅(qū)動(dòng)LCD時(shí)，如果不用于驅(qū)動(dòng)LCD的引腳也配置為L(zhǎng)CD功能，會(huì)發(fā)生什么情況？

當(dāng)不同的數(shù)據(jù)放在同一個(gè)Flash頁(yè)面上時(shí)，如何在不影響其他數(shù)據(jù)的情況下更改一些單獨(dú)的數(shù)據(jù)？

一前言在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中可能會(huì)出現(xiàn)一些使用了屏蔽罩但是未能達(dá)到屏蔽效果的情況。主打一個(gè)我以為我罩了就無(wú)敵了，其實(shí)啥用沒(méi)有。那么今天我們就分享一下失效的相關(guān)原因。二電磁屏蔽的基本原理電磁屏蔽的原理主要是依據(jù)

我迫切需要知道如何在沒(méi)有 NuLink 編程器的情況下執(zhí)行 SWD 解鎖序列。

DTU的設(shè)備號(hào)都在什么情況下需要填寫(xiě)，填寫(xiě)的規(guī)則是什么？

在工業(yè)生產(chǎn)、物流倉(cāng)儲(chǔ)等場(chǎng)景中，條碼掃描往往伴隨著物體的動(dòng)態(tài)移動(dòng)。此時(shí)，不少人會(huì)產(chǎn)生疑問(wèn)：固定式條碼掃描器能否在條碼移動(dòng)的情況下完成掃描？答案是肯定的，但這一過(guò)程受到多種技術(shù)因素的制約。固定式條碼

固化是三防漆形成防護(hù)性能的“最后一步”——若固化不良，發(fā)生表面發(fā)黏、內(nèi)部未干透、硬度不足的情況，涂層會(huì)失去附著力和耐環(huán)境能力，甚至因未固化成分揮發(fā)產(chǎn)生異味。其核心原因可歸結(jié)為“固化條件不匹配”“材料

我正在使用自供電模式的 CYUSB3014。我先用USB 3.0的線傳輸數(shù)據(jù)，然后再不關(guān)機(jī)的情況下用USB 2.0的線連接電腦。計(jì)算機(jī)無(wú)法識(shí)別 FX3。這種情況正常嗎？和USB傳輸協(xié)議有關(guān)系嗎？

三防漆從黏稠液體變成PCB板上的“防護(hù)鎧甲”，關(guān)鍵在于固化過(guò)程。這種轉(zhuǎn)變并非簡(jiǎn)單的“變干”，而是通過(guò)不同的化學(xué)或物理機(jī)制實(shí)現(xiàn)的，常見(jiàn)固化方式可分為三大類(lèi)，適配不同場(chǎng)景需求。1.常溫自干型是最常

在精密制造、文物保護(hù)等領(lǐng)域，高反光場(chǎng)景下的三維測(cè)量長(zhǎng)期面臨技術(shù)瓶頸。傳統(tǒng)噴粉測(cè)量雖能改善效果，但存在損傷物體、污染環(huán)境等弊端，難以滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)化需求。激光偏振技術(shù)的突破，推動(dòng)無(wú)噴粉三維掃描在高反光場(chǎng)景

請(qǐng)問(wèn)CYW20835在sleep mode的情況下，不進(jìn)入SDS或HIDOF的情況下，底電流最低是多少？

，在工業(yè)實(shí)踐中展現(xiàn)出顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 高反光工件傳統(tǒng)掃描方式的局限 高反光工件表面光滑，激光照射后易產(chǎn)生鏡面反射，導(dǎo)致掃描設(shè)備接收端無(wú)法獲取有效散射光，出現(xiàn)測(cè)量盲區(qū)與數(shù)據(jù)缺失。傳統(tǒng)通過(guò)噴粉增加表面漫反射的方

是否可以在不使用 freeRTOS 的情況下運(yùn)行 Infenion AIROC 藍(lán)牙包來(lái)配置 CY43439（將 CY43439 與 STM32H753 連接）？

本文主要介紹了光的分類(lèi)和紫外線的定義，以及紫外線的特性、應(yīng)用和固化原理。

在精密制造、文物保護(hù)等領(lǐng)域，高反光物體的三維測(cè)量長(zhǎng)期依賴(lài)噴粉預(yù)處理，以增強(qiáng)表面漫反射特性輔助測(cè)量。然而，噴粉不僅會(huì)損傷被測(cè)物體，還會(huì)影響測(cè)量數(shù)據(jù)的原始性。隨著光學(xué)抗反射技術(shù)的發(fā)展，激光三維掃描無(wú)需

高反光表面的三維重建是工業(yè)檢測(cè)、文化遺產(chǎn)保護(hù)等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。傳統(tǒng)激光掃描依賴(lài)噴粉增強(qiáng)漫反射，但會(huì)對(duì)精密器件或文物造成不可逆損傷。本文通過(guò)融合結(jié)構(gòu)光調(diào)制、偏振分析及多視角協(xié)同技術(shù)，構(gòu)建無(wú)噴粉測(cè)量

三相全自動(dòng)穩(wěn)壓器適用于需要穩(wěn)定三相電壓供應(yīng)的場(chǎng)景，以保障設(shè)備正常運(yùn)行、延長(zhǎng)使用壽命并提升生產(chǎn)效率。以下是需要使用三相全自動(dòng)穩(wěn)壓器的典型情況及分析：

為什么LTM4650A在12V轉(zhuǎn)1V時(shí)需要接100uF*8+470uF*4這么大的電容量，而在12V轉(zhuǎn)5V的情況下只需要100uF*16。再者用470uF的poscap并聯(lián)有什么特殊的意義嗎，比如

訓(xùn)練完模型后用cls_video.py在canmvIDE上運(yùn)行，按著步驟操作但是攝像頭沒(méi)有識(shí)別到是什么情況啊，沒(méi)有框出現(xiàn)

應(yīng)用場(chǎng)景：使用AD9278采集超聲信號(hào) 問(wèn)題：在外部實(shí)質(zhì)信號(hào)不突變的情況下，經(jīng)過(guò)AD9278采集到的數(shù)據(jù)突然變?。。?！為什么？？？ 如果將TGC減小，這個(gè)突然變暗的點(diǎn)會(huì)往下移， 但是通過(guò)FPGA抓到

CCG5 的 VBUS_C_CTRL 引腳預(yù)計(jì)是漏極開(kāi)路輸出，但在這種情況下，漏極電流有多大？

在工業(yè)自動(dòng)化和精密測(cè)量領(lǐng)域，M12線性傳感器憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，成為眾多行業(yè)不可或缺的關(guān)鍵組件。

光罩清洗機(jī)是半導(dǎo)體制造中用于清潔光罩表面顆粒、污染物和殘留物的關(guān)鍵設(shè)備，其性能和功能特點(diǎn)直接影響光罩的使用壽命和芯片制造良率。以下是關(guān)于光罩清洗機(jī)的產(chǎn)品介紹：產(chǎn)品性能高效清洗技術(shù)采用多種清洗方式組合

我的客戶(hù)使用 CYUSB3014 作為同步從設(shè)備 FIFO。 當(dāng)同步從 FIFO 中傳輸特定數(shù)量的圖像數(shù)據(jù)時(shí)，F(xiàn)LAG 保持低電平。 對(duì)此，什么情況會(huì)導(dǎo)致FLAG跌至低電平而無(wú)法恢復(fù)正常呢？ 另外，應(yīng)該去哪里檢查呢？

針對(duì)BGA（球柵陣列）底部填充膠（Underfill）固化異常延遲或不固化的問(wèn)題，需從材料、工藝、設(shè)備及環(huán)境等多方面進(jìn)行綜合分析。以下為常見(jiàn)原因及解決方案一、原因分析1.材料問(wèn)題膠水過(guò)期或儲(chǔ)存不當(dāng)

用的是特權(quán)同學(xué)7系列的fpga開(kāi)發(fā)板，在csdn上找了個(gè)fx3 flash固化程序，燒入過(guò)后，電腦識(shí)別不到fx3，也不能重新下載固件，有人知道怎么刪除燒入的程序嗎。

我想在CYPM1322中不使用內(nèi)部電源的情況下通過(guò)VBUS_C_P1輸入電源進(jìn)行SINK操作，但是由于CC RD功能不起作用，所以無(wú)法工作。 當(dāng)將 5V 作為內(nèi)部電源施加到 CYPM1322 器件

粘接聚酰亞胺PI膜可以使用PI膜專(zhuān)用UV膠粘接，但使用UV膠粘接時(shí)，需要粘接材料至少有一方要透UV紫外光方可，如不能透UV光，那么粘接PI這種難于粘接的材料時(shí)，還可以使用熱固化環(huán)氧膠來(lái)解決!熱固化環(huán)

我正在使用 FX2LP/ CY7C68013A-128AXC設(shè)備（定制板），我有一些問(wèn)題需要您的幫助。 1如果我的 EEPROM 已經(jīng)有固件并且正在運(yùn)行，如何在不更改硬件的情況下對(duì)其進(jìn)行重新

LT3580在5V出入的情況下，如何修改匝數(shù)比和反饋電阻，輸出200V電壓

，使用LPTIM1輸出PWM，在在STOP2模式下，LED燈關(guān)閉情況下，電流測(cè)出來(lái)居然有240ua左右，這個(gè)什么情況，誰(shuí)有demo程序，讓測(cè)下電流到底有多少，是我程序有問(wèn)題還是片子有問(wèn)題，電流太大了。 程序也是

LT8708在BOOST情況下出現(xiàn)大小波是怎么回事？求大神指點(diǎn)： 這是VIN12V，Vout14.5V波形： 這是VIN14V，Vout14.5V波形： 這是VIN18V，Vout14.5V波形： 在VIN12VBOOST情況下，出現(xiàn)大小波，頻率發(fā)生變化，這是什么原因引起的？

DS1232LPS-2+T&R，這款芯片在什么情況下，5腳RST會(huì)一直輸出高電平？（正常時(shí)序是上電有個(gè)400多ms的高電平后，一直處于低電平，如果7腳沒(méi)有及時(shí)喂狗，會(huì)觸發(fā)復(fù)位，也就是重復(fù)400多ms的高電平后，一直處于低電平）

一前言在當(dāng)今高度電子化的世界中，電子設(shè)備的電磁兼容性（EMC）至關(guān)重要。而隨著產(chǎn)品更新迭代，產(chǎn)品芯片工作頻率越來(lái)越高，從而使得產(chǎn)品內(nèi)部溫度越高，EMC環(huán)境也愈發(fā)復(fù)雜。結(jié)合這兩點(diǎn)情況，有部分產(chǎn)品則

你好，在使用AD9122四倍插值的情況下，輸出20MHz的寬帶信號(hào)偶爾會(huì)出現(xiàn)頻譜混疊，這種該怎么解決呢

電纜在運(yùn)行中常見(jiàn)的問(wèn)題一般有絕緣老化、受潮、過(guò)熱以及損傷等多種情況，絕緣老化是電纜在長(zhǎng)期運(yùn)行過(guò)程中，受到電場(chǎng)、熱場(chǎng)、機(jī)械應(yīng)力以及環(huán)境因素（如紫外線、化學(xué)腐蝕等）的作用，出現(xiàn)的逐漸老化、性能下降現(xiàn)象

我想在基于 LPC1227FBD48 系列的現(xiàn)有項(xiàng)目中使用 FreeRTOS，但我們沒(méi)有可用于控制器的 SDK。我們?nèi)绾卧跊](méi)有 SDK 的情況下配置 FreeRTOS。

。我收到一個(gè)建議，要在禁用 DMA 的情況下使用本機(jī) CS。 [這是link到整個(gè)討論。 現(xiàn)在，我已經(jīng)禁用了 DMA，并將原生 CS 用于 SPI 外設(shè)，但我仍然觀察到 CS 在大約 5 μs 內(nèi)保持

　　電池短路試驗(yàn)機(jī)是一種專(zhuān)門(mén)用于評(píng)估電池在短路條件下安全性和穩(wěn)定性的設(shè)備。其主要功能是模擬電池在短路情況下的反應(yīng)，以檢測(cè)電池是否會(huì)出現(xiàn)爆炸、起火或漏液等危險(xiǎn)情況，從而判斷電池的安全性能是否符合相關(guān)

STM32F413ZGT6在使用的過(guò)程中經(jīng)常復(fù)位，現(xiàn)在NRST只是接了100nf的電容，是否要接上拉電阻。已知芯片內(nèi)部有弱上拉，典型值40K。接上拉可增加驅(qū)動(dòng)能力。那什么情況要增加驅(qū)動(dòng)能力呢？

無(wú)感直流BLDC，大占空比情況下失步問(wèn)題

基于直流有刷電機(jī)的基本工作原理，可將 該電機(jī)的驅(qū)動(dòng)裝置視作一個(gè)控制電路的開(kāi)關(guān)， 所有具備開(kāi)關(guān)特征的電子元件都可用以此種電 機(jī)的驅(qū)動(dòng) [2] 。在直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，最典型 的驅(qū)動(dòng)電路為 H 橋電路

請(qǐng)問(wèn)一下各位大佬，我使用stm32f105rct6,用USB文件系統(tǒng)，先上電，再插上USB,模擬U盤(pán)內(nèi)的.csv文件數(shù)量是正確的。但是，我先把usb插在電腦上，然后再上電，模擬u盤(pán)內(nèi)的文件就會(huì)缺失，請(qǐng)問(wèn)一下這個(gè)是什么情況呢

無(wú)法在不安裝 OpenCV 的情況下確定是否可以使用OpenVINO?工具套件

阻抗匹配中所說(shuō)的50R,90R之類(lèi)的阻抗是什么意思？ 為啥我用萬(wàn)用表量十幾是0R？這里50歐姆到底是什么情況下50歐姆？

在DLP6500的手冊(cè)上，說(shuō)8bit （gray pattern的模式下）可以到1031Hz，外部輸入可以到360Hz 請(qǐng)問(wèn)這些的幀頻具體是在什么情況下實(shí)現(xiàn)的？ 比如我在用HDMI作為圖像傳輸，在

DLPC350上電后DMD_PWR_EN始終為低電平測(cè)試芯片電壓正常，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)管腳電平在什么情況下高？電路是根據(jù)官方參考自己做的。PWRGOOD和POSENSE都為高電平。

，這個(gè)指示燈會(huì)亮，具體是在什么情況下，這個(gè)指示燈會(huì)亮呢?或者說(shuō)在哪些情況下，這個(gè)指示燈會(huì)亮。 幫忙解答，感謝。

加載時(shí)間為99.4us，以一副圖像的加載時(shí)間作為它的顯示時(shí)間，那這樣計(jì)算下來(lái)圖像的速率都超過(guò)了10000hz，但是DLP6500FYE的數(shù)據(jù)手冊(cè)給出它的圖像速率最高僅為9523hz，請(qǐng)問(wèn)是我哪里理解錯(cuò)了嗎，數(shù)據(jù)手冊(cè)上給出的這個(gè)9523hz是在何種情況下如何計(jì)算出來(lái)的。

工程師您好，我使用DLPC3432+DLPA2000+.23qHD DMD的系統(tǒng)，想問(wèn)一下如何確認(rèn)各種情況下HS的Sub-LVDS的速率？ datasheet中說(shuō)HS最大600MHz，LS固定120MHz。 傳輸速率是一直不變的嗎？什么時(shí)候會(huì)通道減少，懸空通道的設(shè)計(jì)依據(jù)是什么？ 謝謝~

我想知道使用HDMI在電腦分屏全屏顯示圖片的情況下，和直接從燒錄的圖片投影會(huì)不會(huì)有什么不同。 因?yàn)槲以谟闷胀ǖ募矣玫耐队皶r(shí)發(fā)現(xiàn)從HDMI分屏顯示的圖片比從U盤(pán)顯示的圖片效果要差。 圖片在分屏上全屏顯示，1280x720分辨率。

ILLUM_HSIDE_DRIVEILLUM_LSIDE_DRIVE這二個(gè)腳外置MOS是什么情況下可以用

3010光機(jī)，光機(jī)觸發(fā)相機(jī)同步采圖，曝光設(shè)置： pre_illumination_dark_time: 11958 illumination_time: 1700

燒錄之后不投影圖案，是什么情況導(dǎo)致的，該怎么解決，配置截圖如下:

我們?cè)谡{(diào)試DLPC3430這個(gè)IC的時(shí)候遇到了一個(gè)問(wèn)題，在DLPC3430與主控通信的情況下，主控I2C總線的狀態(tài)是正常（空閑狀態(tài)SDA、SCL拉高），但是在DLPC3430不與主控通信的情況下

關(guān)于單獨(dú)使用 TSW3070EVM（不與 TSW3100EVM 結(jié)合使用），我想咨詢(xún)幾個(gè)問(wèn)題： 1- 是否可以在不需要 TSW3100 的情況下單獨(dú)使用 TSW3070 軟件（前提是以其他方式提供

您好，我在使用THS1206，AVDD=5V,BVDD=DVDD=3.3V； 輸入時(shí)鐘為3MHZ,和FPGA進(jìn)行連接； 測(cè)試data_av信號(hào)輸出的高電平和低電平都是mv級(jí)別的，請(qǐng)問(wèn)是什么情況呢？

在現(xiàn)代制造業(yè)中，紫外光固化技術(shù)已成為一種高效、環(huán)保的固化方式，廣泛應(yīng)用于涂料、油墨、膠水等多個(gè)領(lǐng)域。紫外點(diǎn)光源固化燈，尤其是365nm波長(zhǎng)的紫外燈，因其獨(dú)特的光學(xué)性能和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，成為高精度固化過(guò)程中

請(qǐng)問(wèn)多片ADS1255/6如何進(jìn)行同步采集，使用1個(gè)SPI接口的情況下。

TVP5160在default情況下的，sclk腳（dataclk）輸出時(shí)鐘時(shí)多少，27M嗎？為什么我測(cè)得的是13.125M

平行的光線穿透，垂直的光線被完全阻擋，其他角度的光線則部分被阻擋，它主要起到削弱物體表面反射光的作用。自然光在電介質(zhì)界面上反射和折射時(shí)，一般情況下反射光和折射光是部

請(qǐng)問(wèn)：ADC的靜態(tài)指標(biāo)有專(zhuān)用的分析工具嗎？該指標(biāo)很少在評(píng)估ADC指標(biāo)時(shí)使用，是否該指標(biāo)不重要，應(yīng)用中什么情況下需要評(píng)估該指標(biāo)？ 另外ADC的SNR = 6.02*N + 1.76 +10*log10（fs/2BW） 當(dāng)被采樣信號(hào)為單音時(shí) 該BW為多少？

這是什么情況？一下是我的IO口配置 InitXintf(); RESET=LOW; DELAY_US(10); RESET=HIGH; while(1) {LDAC= HIGH

在外部電源正確的情況下，為什么ADS8557的REFIO引腳沒(méi)有輸出電壓呢？？

SPIdiscrete的，PWDN4為高電平，PWDN1~3都為低電平，實(shí)際上就讓第四路工作，DRDY的波形圖如下，輸入經(jīng)過(guò)差分器件OPA1632，當(dāng)輸入為直流信號(hào)時(shí)，DOUT1~4都為低電平，好奇怪，DRDY信號(hào)輸出波形顯示挺正常的呀，請(qǐng)問(wèn)這是什么情況？

在于其低溫快速固化的能力。傳統(tǒng)修補(bǔ)材料往往需要較高的固化溫度，這不僅增加了能耗，還可能對(duì)顯示屏的其他敏感元件造成潛在損害。而AS9120P則能在相對(duì)較低的溫度下迅速固化，這不僅有效降低了能耗，更重

在使用ads1256，但是發(fā)現(xiàn)需要采集10路信號(hào)，有沒(méi)有辦法在不換ad的情況下采集10路信號(hào)

reset_handler了，請(qǐng)問(wèn)啥情況下會(huì)進(jìn)入reset_handler?。砍诵酒姷谝淮?，cpu的復(fù)位腳說(shuō)是也沒(méi)接出來(lái)按理來(lái)說(shuō)也不會(huì)影響它的

在采用外部晶振20MHZ的情況下，對(duì)ads1204輸入0V的模擬電壓，其輸出位流的特征是什么樣子的？在fpga內(nèi)部制作了sinc3濾波器對(duì)其位流進(jìn)行濾波，得到的數(shù)據(jù)是固定值還是在一直變化，有何特征？

的計(jì)數(shù)工具在面對(duì)反光、快速移動(dòng)等復(fù)雜環(huán)境時(shí)，往往力不從心。本期小明就來(lái)跟大家分享明治傳感在整箱礦泉水瓶計(jì)數(shù)上的創(chuàng)新應(yīng)用，以及我們?nèi)绾慰朔?b class="flag-6" style="color: red">反光等檢測(cè)難點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)高速精準(zhǔn)計(jì)

使用差分輸入，將ADS1248設(shè)置為連續(xù)采樣時(shí)，將通道一短接并連續(xù)采樣64次，采樣速率640SPS，發(fā)現(xiàn)采樣值一直連續(xù)增長(zhǎng)，不知道是什么情況，求指點(diǎn)！

ldc上電后，即數(shù)字和模擬端都供電后，只連接spi的四根線到mcu，而其他腳都懸空，這種情況下能否讀寫(xiě)ldc1000的寄存器。 為什么我在這種情況下都寫(xiě)不進(jìn)數(shù)據(jù)，讀數(shù)據(jù)也每次不一樣，哪怕是讀只讀的寄存器（device id寄存器）每次讀出的數(shù)據(jù)都不一樣。

請(qǐng)介紹一下ADS5474模數(shù)轉(zhuǎn)換器的VCM和VREF引腳在什么情況下使用？ 文檔上說(shuō)VCM是在直流耦合應(yīng)用時(shí)用于設(shè)置共模電壓，是不是指前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路使用放大器的時(shí)候？如果前面直接使用變壓器耦合成差分

我現(xiàn)在正在調(diào)試DAC161S997片子，現(xiàn)在有個(gè)疑問(wèn)，正常情況下芯片的操作順序是什么?。恳簿褪窃谳敵鲭娏髦抵耙瞿男┕ぷ靼?？

使用ADS1675REF開(kāi)發(fā)板，具體如下：在adcpro相同的配置的情況下。 我給開(kāi)發(fā)板供電9V,-4V,5V,共3種電源，輸入單頻點(diǎn)模擬信號(hào)100k，功率0dBm，采集后，顯示主信號(hào)

最近做了塊AD采樣的板子，在其中1路接傳感器，其他3路不接傳感器的情況下，接傳感器的讀數(shù)正常，而未接傳感器的通道會(huì)不時(shí)的出現(xiàn)數(shù)值。這是什么情況？怎么解決？望大家給點(diǎn)意見(jiàn)

用ADS1299測(cè)試腦電，在沒(méi)有干擾的情況下可以正確測(cè)試腦電，但是在有干擾的情況下，不但有50HZ工頻干擾，還有其他頻率的干擾，這些噪聲是怎么來(lái)的

DAC7568掉電情況下寄存器里的值能保持多久，越精確越好，比如說(shuō)幾秒或者幾分鐘，謝謝

我是一名初學(xué)者，看了書(shū)知道MSP430F4250的AD轉(zhuǎn)換模式有四種，我想知道這四種轉(zhuǎn)化模式有什么區(qū)別，分別應(yīng)該在什么情況下使用。各位高手能否為我解答哈，在下不勝感激。因?yàn)槭浅鯇W(xué)者，有很多東西都不知道，能盡量詳細(xì)就盡量哈，謝謝了。