mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)度過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)、mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和導(dǎo)通過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗以及雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。?

mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來(lái)就由小編針對(duì)mos管的損壞原因做以下簡(jiǎn)明介紹。

1、雪崩損壞?

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。 在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率mos的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩損壞。?

2、器件發(fā)熱損壞?

該種損壞是由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。

(1)直流功率是由外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱，損耗有導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗（高溫時(shí)RDS(on)增大，導(dǎo)致一定電流下，功耗增加）、由漏電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極?。?。?

(2)瞬態(tài)功率是由外加單觸發(fā)脈沖而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱，損耗負(fù)載短路、開(kāi)關(guān)損耗（接通、斷開(kāi)，與溫度和工作頻率是相關(guān)的）、內(nèi)置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗，與溫度和工作頻率是相關(guān)的）。 器件正常運(yùn)行時(shí)不發(fā)生的負(fù)載短路等引起的過(guò)電流，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外，由于熱量不相配或開(kāi)關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí)，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞。?

3、內(nèi)置二極管破壞?

在DS端間構(gòu)成的寄生二極管運(yùn)行時(shí)，由于在Flyback時(shí)功率mos的寄生雙極晶體管運(yùn)行，導(dǎo)致此二極管破壞的模式。?

4、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞?

此種破壞方式在并聯(lián)時(shí)極易發(fā)生。在并聯(lián)功率mos時(shí)未插入柵極電阻而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復(fù)接通、斷開(kāi)漏極-源極電壓時(shí)，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩。當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí)，在柵極-源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)電壓Vgs(in)的振動(dòng)電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞，或者接通、斷開(kāi)漏極-源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過(guò)柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞。

5、柵極電涌、靜電破壞?

主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過(guò)電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測(cè)定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞。?

以上有關(guān)mos損壞的原因就講到這里啦，咱們下期再見(jiàn)啦~?

備注：本文僅作學(xué)習(xí)參考，不代表對(duì)該觀點(diǎn)表示支持或贊同，如內(nèi)容上存在爭(zhēng)議，請(qǐng)及時(shí)與我們聯(lián)系，謝謝！

審核編輯：符乾江