氮化鎵是未來節(jié)能電動汽車和 5G 網(wǎng)絡的關鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學的初創(chuàng)公司，正在瑞典研究機構Rise 測試平臺 ProNano開發(fā)一種新的解決方案。該解決方案應有助于實現(xiàn)更大的電氣化和可持續(xù)的未來。Hexagem 首席執(zhí)行官 Mikael Bj?rk 和 Rise 高級項目經(jīng)理 Michael Salter 在接受 Power Electronics News 采訪時指出了這種合作的重要性，這將導致 Hexagem 的技術在未來的能源應用中得到實施。

“他們已經(jīng)在研究實驗室中小規(guī)模地展示了他們的技術，但現(xiàn)在，他們正在我們的實驗室將工藝轉移到更大的晶圓尺寸上，以嘗試擴大技術規(guī)模，”Salter 說。

“ProNano 為我們提供的優(yōu)勢是 Hexagem 可以使用最先進的設施和工具，特別是能夠生產(chǎn) 6 英寸晶圓的 MOCVD [金屬有機化學氣相沉積]，”Bj?rk 說?！巴ǔＧ闆r下，這類工具很難讓初創(chuàng)公司自己融資。此外，Rise 人員在 GaN 材料、加工和表征方面擁有豐富的經(jīng)驗?！?/p>

Hexagem 的 Mikael Bj?rk

崛起的邁克爾·索爾特

行業(yè)

隨著降低 CO 2?排放的社會壓力和法規(guī)的增加，從汽車到電信等行業(yè)部門正被推動投資于更高效的電力轉換和更多電氣化。傳統(tǒng)的硅基功率半導體技術，如絕緣柵雙極晶體管，在工作頻率和速度方面存在基本限制，以及高溫和低電流性能較差。高壓 Si FET 的頻率和高溫性能同樣受到限制。因此，寬帶隙半導體在許多應用中變得越來越流行。

GaN 功率半導體作為下一代高性能 EV 的關鍵部件，正獲得越來越多的關注，有助于減小尺寸和重量，同時提高效率。這些考慮解決了與范圍有關的問題。工程師可以使用 GaN 來創(chuàng)建比 Si 基系統(tǒng)更小、更輕 4 倍、能量損失少 4 倍的電力電子系統(tǒng)。零反向恢復可減少電池充電器和牽引逆變器的開關損耗，以及更高的頻率和更快的開關速率等優(yōu)點。此外，降低開關導通和關斷損耗有助于減少用于 EV 充電器和逆變器等應用的電容器、電感器和變壓器的重量和體積。

氮化鎵晶圓

下一代節(jié)能半導體將有助于為可持續(xù)的未來創(chuàng)造新的解決方案。這一切都意味著減少 CO 2排放，從而從長遠來看改善全球變暖。許多機構的預測表明，到 2050 年，用電量將增加到 200 太瓦時以上，這一數(shù)字需要在設計層面予以關注。

半導體基板或晶圓的目標是控制電流，從而控制整個終端設備的性能。圓形晶圓被切割成郵票大小的碎片，封裝在包含數(shù)百萬個晶體管的微芯片中。

大多數(shù)半導體由硅制成，但正在開發(fā)不同的變體以滿足能源應用對更高效率的需求。例如，在一輛汽車中，需要 1000 多個芯片，而且這個數(shù)字很可能會增長。半導體的未來發(fā)展將允許通過輔助集成來包含更多晶體管。

Hexagem 使用 GaN-on-Si 晶圓開發(fā)半導體。Hexagem 對高質量 GaN-on-Si 的開發(fā)活動旨在降低未來應用的成本和規(guī)模優(yōu)勢。他們正在尋找更高的額定電壓要求。Hexagem 表示，所提供的技術將通過利用現(xiàn)有基礎設施來降低成本。

GaN-on-Si技術在發(fā)展方面的口碑并不好。它有其挑戰(zhàn)，由于 GaN 和 Si 之間的原子尺度界面上的材料特性不匹配，因此生長 GaN-on-Si 并不容易。

“該技術的關鍵優(yōu)勢和挑戰(zhàn)將是提供更低的缺陷密度和增加的 GaN 厚度，以實現(xiàn) 900 至 1,200 V 的功率器件，”Bj?rk 說。

制造組織越來越依賴他們同時設計產(chǎn)品和供應鏈的能力。GaN-on-Si 的主要優(yōu)勢之一是它是在 Si 襯底上制造的，因此它現(xiàn)在為 150 毫米寬，并計劃擴大到 200 毫米，大多數(shù)反應器都可以容納兩者。

晶圓制造（來源：Rise）

缺陷

在半導體外延材料制造過程中，會產(chǎn)生位錯，即材料中的缺陷。半導體中的缺陷越多，晶圓上可以生產(chǎn)的可用器件就越少，從而增加了成本。此外，較差的材料界面會導致器件溝道電阻較高，從而導致在運行過程中浪費更多的能量，使芯片的能效降低。

“我們已經(jīng)安裝并運行了一個 MOCVD 反應器，用于在硅晶片上生長 GaN，”Salter 說。“我們正在投資這種設備和基礎設施，這需要額外的設備和專業(yè)的工藝設施，如氣體和冷卻水。生長具有低缺陷密度的 GaN 是氮化鎵應用以及在沉積過程中控制材料質量的最大挑戰(zhàn)之一。在沉積過程中控制基礎材料和摻雜劑濃度允許在器件級實現(xiàn)低電阻器件接觸。這也會影響器件可以承受的擊穿電壓類型和電流水平。此外，在半導體材料和器件觸點之間具有良好的界面有助于優(yōu)化制造器件的電氣性能?！?/p>

上升測試和演示設施 ProNano 提供各種基礎設施來幫助您加快啟動測試，而無需在昂貴的設備上花費大量資金。納米線是使用 ProNano 的 MOCVD 技術制造的，可在硅晶片上產(chǎn)生薄 GaN 層。晶圓在各個層面都經(jīng)過處理和確認，以產(chǎn)生 GaN 納米線可以“生長”的圖案，然后結合在一起形成高質量的薄外延層。然后在電子顯微鏡下檢查晶片以檢查其質量。

據(jù)Hexagem稱，目前，GaN-on-Si半導體每平方厘米有1億個缺陷。“這將是 10 8 cm –2數(shù)量級的位錯密度；當今最先進的硅晶片是中高 10 8 cm –2，”Bj?rk 說。Hexagem 相信我們可以顯著提高材料質量，并很快接近每平方厘米 1000 萬個缺陷，從而超越競爭對手。

“缺陷通常是導致非狀態(tài)泄漏的位錯，”Bj?rk 說?！敖柚?Hexagem 技術，我們能夠分兩步減少位錯：首先，通過生長 GaN 納米線過濾 GaN 緩沖位錯，其次，通過將線仔細合并成平面 GaN 層來控制新位錯的形成。”

垂直晶圓

目標是擁有更大的晶圓或生產(chǎn)更厚的垂直 GaN 半導體。據(jù) Hexagem 稱，如今 2 到 4 微米厚的層很常見。他們的目標是在 2022 年生產(chǎn) 10 微米厚的解決方案。

“更大的晶圓意味著通過增加每個晶圓的設備數(shù)量來提高規(guī)模經(jīng)濟，”Bj?rk 說?！叭秉c是在較大晶圓上控制晶圓彎曲通常更困難。較厚的 GaN 層將使器件具有更高的額定電壓，這對于解決 900 至 1,200 V 器件市場非常重要。它還將支持垂直設備設計，這將帶來一些好處，例如將電壓縮放與設備占位面積分離。Hexagem 旨在為 1,200-V 器件設計開發(fā)高質量的 GaN-on-silicon，并將該技術授權給工業(yè)合作伙伴?！?/p>

Hexagem 技術允許電流在晶圓平面上垂直流動而不是水平流動，從而減小了組件的尺寸，但最重要的是，它們可以處理更高的電流和電壓。

半導體加工

如上所述，MOCVD 是由具有大帶隙的半導體材料制造晶體管的主要工藝。特定氣體（或蒸汽）在特定溫度和壓力下在 MOCVD 系統(tǒng)中流過基板表面。頂層以這種方式“發(fā)展”成晶體結構，一次一個原子層，跨越多個層。該技術被稱為外延或晶體生長。為了創(chuàng)建 3D 納米結構（例如納米線），可以在襯底的整個表面或襯底的選定部分上生長層。

外延層可以使用 MOCVD 工藝在不同材料的襯底上生長，例如硅、碳化硅、GaN、金剛石或藍寶石。材料具有不同程度的難于獲得很少的晶體缺陷。

接下來，通過半導體制造常見的附加處理步驟（例如光刻、蝕刻或金屬或絕緣體沉積）來創(chuàng)建晶片的晶體管和其他電子元件。最后，完成的晶圓被切割成郵票大小的小塊，封裝在電子包裝中，經(jīng)過測試，然后沿著供應鏈發(fā)送到三星、沃爾沃、蘋果和愛立信等供應鏈，最后進入微處理器在手機或汽車中。

在硅上制造 GaN 晶圓的主要階段是襯底清洗，然后是在清潔環(huán)境中進行圖案生長，以及在圖案生長過程中進一步清潔襯底。下一步是通過 MOCVD 外延制造 GaN 半導體。根據(jù)特定的技術需要，將基板放入 MOCVD 室中，以生成不同組合的 GaN、AlGaN 或 InGaN 的晶體層。之后，使用電子顯微鏡檢查材料，并進行測試以驗證材料的導電性和其他性能。

審核編輯 黃昊宇