負載(Peak Load):這個標準表示電源在其效率達到最高點的負載下的性能。通常,電源在某個中間負載范圍內(nèi)能夠實現(xiàn)最高效率,而在負載低于或高于該范圍時效率會降低。
這四種不同的負載條件反映了電源在
2025-12-30 08:19:29
可能通過優(yōu)化設(shè)計(如改用低成本封裝材料)或調(diào)整價格策略(如階梯定價)保持競爭力。三、降本路徑:未來優(yōu)化方向材料創(chuàng)新GaN襯底國產(chǎn)化:目前GaN襯底主要依賴日本、美國供應(yīng)商,Neway可聯(lián)合國內(nèi)廠商(如
2025-12-25 09:12:32
變換器拓撲相結(jié)合,能夠在實現(xiàn)精準功率因數(shù)校正、顯著抑制電網(wǎng)諧波污染的同時,全面提升系統(tǒng)能效、功率密度與整體成本效益。該方案得益于高度集成的設(shè)計,在緊湊尺寸下實現(xiàn)效率
2025-12-17 08:32:39
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2025年12月6日,芯干線攜自主研發(fā)的 GaN(氮化鎵)核心技術(shù)及產(chǎn)品參展世紀電源網(wǎng)主辦的亞洲電源展,憑借突破性技術(shù)成果與高競爭力產(chǎn)品,成功斬獲 “GaN行業(yè)技術(shù)突破獎”,成為展會核心關(guān)注企業(yè)。
2025-12-13 10:58:20
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(HPA)單片微波集成電路(MMIC),主要面向 4.5-6.8GHz 頻段應(yīng)用,采用 GaN-on-SiC HEMT 工藝并帶濕度保護,封裝為 QFN 塑封。具備高功率輸出、高效率及寬電壓工作范圍等
2025-12-12 09:40:25
的開關(guān)電源應(yīng)用中,功率MOSFET或新興的SiC/GaN器件的潛能能否完全釋放,極度依賴于門極驅(qū)動器的性能。一個平庸的驅(qū)動器會帶來過高的開關(guān)損耗、延遲和振鈴,從而拉低整機效率,限制功率密度提升,并威脅
2025-12-10 08:55:48
和更大的電流,從而實現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。垂直架構(gòu):功率技術(shù)新高度垂直GaN創(chuàng)新:vGaN支持高電壓和高頻率運行,效率優(yōu)于硅芯片先進制造工廠
2025-12-04 17:13:20
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在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中,電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上,其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部,而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流,從而實現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。
2025-12-04 09:28:28
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的興起,為裝配流程帶來了新的解決思路和應(yīng)用場景。將AR與智能裝配相結(jié)合,正逐步成為制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的重要方向。 ?一、AR技術(shù)賦能裝配的價值 ?AR技術(shù)通過虛擬信息與真實環(huán)境的疊加,將復(fù)雜的裝配指令、零部件數(shù)據(jù)和工藝要求
2025-12-03 16:15:03
605 今日,南芯科技(證券代碼:688484)宣布推出 700V 高壓 GaN 半橋功率芯片 SC3610,可實現(xiàn)高精度電壓驅(qū)動、更優(yōu)的通道延時匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特別適用于高頻軟
2025-11-28 17:49:37
1531 電源設(shè)計中的VBAT如同一把鑰匙,掌握它就能打開成功的大門。本文將教您如何玩轉(zhuǎn)VBAT,從而在電源設(shè)計中輕松避開高達99%的常見陷阱,確保您的設(shè)計既高效又可靠。 在物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)中,穩(wěn)定的VBAT供電
2025-11-14 15:58:50
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函數(shù)發(fā)生器和直流電源是電子測試領(lǐng)域中不可或缺的兩大工具。但您是否曾想過,將這兩者結(jié)合使用能帶來怎樣的出色效果?今天,我們將深入探討這一強大組合如何顯著提升測試效率,并為工程師帶來前所未有的測試體驗。
2025-11-13 09:30:07
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Leadway GaN系列模塊通過材料創(chuàng)新、工藝優(yōu)化和嚴格測試,實現(xiàn)了-40℃至+85℃(部分+93℃)的寬溫工作范圍,同時兼顧高功率密度(120W/in3)和高效率(≥92%),為工業(yè)自動化
2025-11-12 09:19:03
云鎵半導(dǎo)體云鎵工業(yè)級GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務(wù)器電源DEMO1.前言云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級GaN產(chǎn)品上不斷耕耘,推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動器產(chǎn)品。在應(yīng)用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金
2025-11-11 13:45:21
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提供更優(yōu)的整體效率,這使得GaN器件在高頻、高效率的應(yīng)用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢。我們的應(yīng)用指導(dǎo)將幫助客戶更好得使用云鎵的GaN器件,更大限度去挖掘云鎵的GaN器件的能力。
2025-11-11 13:45:04
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的開關(guān)損耗,從而提供更優(yōu)的整體效率,這使得GaN器件在高頻、高效率的應(yīng)用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢。我們的應(yīng)用指導(dǎo)將幫助客戶更好地使用云鎵的GaN器件,更大限度去挖掘云鎵的
2025-11-11 13:44:52
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的開關(guān)損耗,從而提供更優(yōu)的整體效率,這使得GaN器件在高頻、高效率的應(yīng)用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢。我們的應(yīng)用指導(dǎo)將幫助客戶更好地使用云鎵的GaN器件,更大限度去挖掘云鎵的GaN器件的
2025-11-11 13:44:41
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芯品發(fā)布高可靠GaN專用驅(qū)動器,便捷GaN電源設(shè)計GaN功率器件因為其高工作頻率和高轉(zhuǎn)化效率的優(yōu)勢,逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強型GaN功率器件的驅(qū)動電壓一般在5~7V,驅(qū)動窗口相較于傳統(tǒng)
2025-11-11 11:46:33
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STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN1L,其可快速創(chuàng)建拓撲,無需完整的PCB設(shè)計。該模塊經(jīng)過微調(diào),可用于LLC應(yīng)用,其低側(cè)
2025-10-22 16:03:39
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通信協(xié)議,以及用于快速充電的專有ST超級充電 (STSC) 協(xié)議。該款高度集成的無線電源接收器設(shè)有低壓差線性穩(wěn)壓器和集成式低損耗同步整流器,可實現(xiàn)高效率和低功耗。對于定制應(yīng)用,用戶可以通過^I2C^接口訪問
2025-10-22 10:54:28
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Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心,通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計,實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)目前電源設(shè)計的復(fù)雜度正不斷提升,尤其是面向AI數(shù)據(jù)中心不同負載的電源轉(zhuǎn)換。ADI宣布推出綜合性產(chǎn)品系列ADI Power Studio,可實現(xiàn)先進的建模、元件推薦、效率
2025-10-22 07:40:00
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自從氮化鎵(GaN)器件問世以來,憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項關(guān)鍵優(yōu)勢,GaN 被廣泛認為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 14:56:44
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近年來,工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關(guān)頻率下實現(xiàn)高功率密度,而MOSFET在相同條件下
2025-10-15 11:27:02
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Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管(FET)集成了驅(qū)動器和保護功能,可使設(shè)計人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08
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。LMG3522R030/LMG3522R030-Q1集成有硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達150V/ns的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比,TI的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān)SOA。這種集成特性與TI的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合
2025-09-08 09:38:55
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近年來,氮化鎵(GaN)技術(shù)憑借其相較于傳統(tǒng)硅MOSFET的優(yōu)勢,包括更低的寄生電容、無體二極管、出色的熱效率和緊湊的尺寸,極大地改變了半導(dǎo)體行業(yè)。GaN器件變得越來越可靠,并且能夠在很寬的電壓范圍內(nèi)工作。現(xiàn)在,GaN器件已被廣泛用于消費電子產(chǎn)品、汽車電源系統(tǒng)等眾多應(yīng)用,有效提升了效率和功率密度。
2025-09-05 16:53:42
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隨著電子設(shè)備不斷向更高的智能和性能發(fā)展,對高效、可靠的電源解決方案的需求正在迅速增加。數(shù)字電源在市場上越來越受到關(guān)注,并廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。
與傳統(tǒng)的模擬電源相比,數(shù)字電源具有更高的效率、精度
2025-09-05 07:29:19
(ERP)與制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES)相結(jié)合,可創(chuàng)建一個功能強大的系統(tǒng),涵蓋業(yè)務(wù)和特定生產(chǎn)層面。這將提高靈活性、改善預(yù)測并優(yōu)化生產(chǎn)效率。 通過將精益原則與 MES 功能相結(jié)合,MES 在精益生產(chǎn)中發(fā)揮了決定性
2025-09-04 15:36:30
I-V特性分析 納米材料與器件(如石墨烯、碳納米管)的測試對精度和穩(wěn)定性要求極高。2450數(shù)字源表兼具高精度電源和測量功能,可同步實現(xiàn)電壓源與電流計的雙向切換。例如,在測試某新型納米線電阻率時,傳統(tǒng)儀器需多次切換設(shè)備、手動記
2025-09-03 17:42:59
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CHK8013-99F CHK8013-99F 擁有 14W 的強大輸出功率,如同夜空中最亮的星,照亮了微波射頻的天地。它的效率高達 70%,如同
2025-08-20 11:18:02
和保護功能 集成在8mm x 5.3mm QFN封裝中。LMG3612 GaN FET具有低輸出電容電荷,可減少電源轉(zhuǎn)換器開關(guān)所需的時間和能量。該晶體管的內(nèi)部柵極驅(qū)動器可調(diào)節(jié)驅(qū)動電壓以獲得最優(yōu)GaN
2025-08-13 15:13:49
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。LMG3526R050集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達150V/ns的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比,TI的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān)SOA。這種集成特性與TI的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓撲中提供超
2025-08-06 11:29:38
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。LMG3522R050集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達150V/ns的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比,TI的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān)SOA。這種集成特性與TI的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓撲中提供超
2025-08-06 11:20:47
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本應(yīng)用簡報介紹 TI GaN 器件如何改進光伏充電控制器。與 MOSFET 相比,使用 TI GaN 器件可提高效率并減小 PCB 尺寸,而且不會增加 BOM 成本。
2025-07-28 15:38:25
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全電壓電源支持AC85-265V寬幅電壓,可覆蓋絕對大部分國家和地區(qū)的電網(wǎng)標準,避免因電壓不匹配導(dǎo)致設(shè)備損壞或無法使用的問題。且適用于各類電子設(shè)備,尤其適合出口產(chǎn)品或跨區(qū)域使用的場景,提升產(chǎn)品
2025-07-22 13:05:32
794 小功率高效率E-GaN開關(guān)電源管理方案:U8723AH+U7116W小功率開關(guān)電源的效率是一個重要的設(shè)計指標,它決定了電源的功耗和發(fā)熱量。為了提高效率,可以選擇低損耗的開關(guān)管和電感,減小輸出端紋波
2025-07-10 16:15:36
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增強型(Gen IV Plus)產(chǎn)品專為多千瓦級應(yīng)用設(shè)計,將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合,顯著降低開關(guān)功率損
2025-07-09 13:07:44
484 ,氮化鎵 (GaN) 可提高功率密度和效率,GaN 和 SiC 均具有寬帶隙,但它們之間存在根本差異,因此分別適合特定的拓撲和應(yīng)用。
2025-07-09 11:13:06
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逆變器。此類第四代增強型(Gen IV Plus)產(chǎn)品專為多千瓦級應(yīng)用設(shè)計,將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合,
2025-07-08 17:30:10
553 數(shù)字電源行業(yè)的雙重挑戰(zhàn):效率與空間 能源效率的艱難爬坡。隨著新材料和新產(chǎn)品的不斷研發(fā),數(shù)字電源被賦予了更高的使命——實現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能耗。這不僅是為了滿足日益增長的能源需求,更是為了提高能源利用效率,減少
2025-07-07 14:13:00
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E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測和恒功率功能Yinlianbao開關(guān)電源NTC傳感器能夠感知微小的溫度變化,一旦溫度超過預(yù)設(shè)的安全閾值,便會觸發(fā)保護機制,如降低電流或切斷電源,以防
2025-06-19 16:31:37
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MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強型 PFC 穩(wěn)壓器,具有峰值功率總線升壓功能
2025-06-18 18:09:33
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CHA3511-99F 是一款由 United Monolithic Semiconductors (UMS) 生產(chǎn)的 6-18 GHz 數(shù)字可變增益放大器(VGA),專為國防和航空電子
2025-06-18 16:16:54
CHA3512-99F 是一款由 United Monolithic Semiconductors (UMS) 生產(chǎn)的 6-18 GHz 數(shù)字可變增益放大器(Digital VGA),專為高頻
2025-06-18 16:15:04
CHA3513-99F 是一款由 United Monolithic Semiconductors (UMS) 生產(chǎn)的 3 位數(shù)字可變增益放大器(VGA),專為高頻應(yīng)用設(shè)計,適用于 6-18 GHz
2025-06-18 16:13:15
CHA3514-99F 是一款由 United Monolithic Semiconductors (UMS) 生產(chǎn)的 6-18 GHz 數(shù)字可變增益放大器(VGA),專為國防和商業(yè)
2025-06-18 16:11:28
一種用于重摻雜n型接觸的選擇性刻蝕工藝實現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖:原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學(xué)的工程師們宣稱,他們已經(jīng)打開了一扇大門,有望制備出
2025-06-12 15:44:37
800 
V、輸出電壓為12 V、負載電流為12 A的情況下,圖2中的電路實現(xiàn)了約97%的轉(zhuǎn)換效率。值得注意的是,這一轉(zhuǎn)換效率是在1 MHz的開關(guān)頻率下達成的。
當構(gòu)建使用GaN開關(guān)的功率級時,必須仔細優(yōu)化
2025-06-11 10:07:24
諧振開關(guān)電源符合開關(guān)電源性能指標要求,具有輸出過電流、短路等保護功能。電源樣機符合LLC拓撲的高效率、小體積特點,可實現(xiàn)ZVS,全負載范圍實現(xiàn)最高可達到96%的效率,并改善了LI£拓撲固有的輕載調(diào)整率
2025-06-05 15:14:05
問題限制了性能提升,導(dǎo)致大功率電源往往體積龐大、能效難以突破鈦金牌門檻。市場亟需更高效、緊湊的解決方案,而氮化鎵(GaN)與先進拓撲結(jié)構(gòu)的結(jié)合,正成為破局關(guān)鍵。港晟
2025-05-30 20:32:52
1304 
GaN FET支持MHz級開關(guān)頻率,顯著高于傳統(tǒng)硅基器件,通過減小無源元件體積實現(xiàn)系統(tǒng)小型化,使開關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源ic U8609合封第三代半導(dǎo)體GaN FET,最高工作頻率130kHz,采用原邊反饋控制,可節(jié)省光耦和TL431,簡化電源BOM,有利于降低電源尺寸!
2025-05-30 15:43:48
798 目錄
1,整機線路架構(gòu)
2,初次極安規(guī)Y電容接法
3,PFC校正電路參數(shù)選取及PCB布具注意事項
4,LLC環(huán)路設(shè)計注意事項
5,GaN驅(qū)動電路設(shè)計走線參考
6,變壓器輸出整流注意事項
一,整體線路圖
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2025-05-28 16:15:01
RK3568驅(qū)動指南|第十二篇 GPIO子系統(tǒng)-第135章 GPIO子系統(tǒng)與pinctrl子系統(tǒng)相結(jié)合實驗
2025-05-23 13:47:02
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功率器件與拓撲優(yōu)化
寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用
傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開關(guān)損耗高,限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)器件可顯著降低損耗:
SiC MOSFET導(dǎo)通電阻低(僅為硅
2025-05-21 14:38:45
當今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此,設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓撲。
2025-05-19 09:29:57
1021 
、ToF 和功率轉(zhuǎn)換器的性能。1.25ns 輸出脈沖寬度可實現(xiàn)更強大、人眼安全的二極管脈沖。這與 300ns 失真相結(jié)合,可實現(xiàn)更遠距離、更精確的 LiDAR/ToF 系統(tǒng)。2.9ns 的傳播延遲顯著改善了
2025-05-17 10:48:00
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45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商,大量投入工程研發(fā)以
2025-05-15 16:20:17
587 
設(shè)備:
1. 一個可程控交流電源供應(yīng)器或一個自耦變壓器
2. 一個電子負載
3. 一個瓦特表和兩個數(shù)字萬用表(其中最好有一個高精度數(shù)字萬用表,用來測量電流)
或者四個數(shù)字萬用表(其中,一個為真有效值、高精度
2025-05-12 16:13:07
AI算力的“能耗之痛”在AI訓(xùn)練集群中,單臺服務(wù)器功耗已突破4kW,電源系統(tǒng)面臨三重極限挑戰(zhàn):效率瓶頸:傳統(tǒng)硅器件在高壓PFC段效率僅95%,年損耗電量超10萬度/千臺;散熱危機:電源模塊溫升>40
2025-05-10 12:06:39
984 
LM25056A將高性能模擬和數(shù)字技術(shù)與符合PMBus標準的SMBus/I2C接口相結(jié)合,可準確測量電氣系統(tǒng)的運行狀況,包括連接到背板電源總線的計算和存儲刀片。LM25056A通過SMBus接口持續(xù)向系統(tǒng)管理主機提供實時電源、電壓、電流和溫度數(shù)據(jù)。
2025-05-07 14:40:23
765 
LM25056將高性能模擬和數(shù)字技術(shù)與符合PMBus標準的SMBus/I2C接口相結(jié)合,可準確測量電氣系統(tǒng)的運行狀況,包括連接到背板電源總線的計算和存儲刀片。LM25056通過SMBus接口持續(xù)向系統(tǒng)管理主機提供實時電源、電壓、電流和溫度數(shù)據(jù)。
2025-05-07 14:32:58
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化產(chǎn)品配置器是其在數(shù)字化進程和業(yè)務(wù)拓展方面的一項重要舉措。該公司還安裝了新的ERP系統(tǒng),以提高流程效率并加快訂單處理速度。產(chǎn)品配置器可與現(xiàn)有工具連接,從而實現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)和資源優(yōu)化。交互式配置器還被集成到了
2025-04-28 14:22:18
)的臨界導(dǎo)通模式(CrM)交錯圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)的新型數(shù)字控制策略,以滿足數(shù)據(jù)中心電源的高效率需求。 論文下載 *附件
2025-04-23 14:14:31
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安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案,支持通過Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率,最大功率可達1KW。這一設(shè)計結(jié)合了多種先進架構(gòu)與技術(shù),旨在實現(xiàn)高效率、高功率密度的小型化電源應(yīng)用。
2025-04-23 08:02:00
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GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz,700V/365m?,采用DASOP-7封裝,主推12V3A,合封第三代半導(dǎo)體GaN FET,有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù),通過調(diào)制峰值電流參考值實現(xiàn)頻率抖動,以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。
2025-04-22 17:03:12
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是能夠實現(xiàn)電流的雙向?qū)ê碗妷旱碾p向阻斷,顯著提升電力電子系統(tǒng)的效率與集成度。 傳統(tǒng)的MOSFET等開關(guān)器件,一般只能允許電流單向?qū)ǎ热绻杌鵐OSFET要實現(xiàn)反向的電流,需要外接反并聯(lián)二極管,或是采用背靠背串聯(lián)的MOSFET組成雙向開關(guān)。 但既然現(xiàn)有的方案可以通過外接反并聯(lián)二極管和
2025-04-20 09:15:00
1348 的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝,將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動器與先進的保護功能相結(jié)合。 中國上海(2025 年4 月 9 日)— 德州儀器 (TI)(納斯達克股票代碼:TXN)于今日推出新款電源管理芯片,以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工
2025-04-09 14:38:46
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數(shù)字工廠以數(shù)字大腦取代物理拷貝,數(shù)據(jù)驅(qū)動優(yōu)化生產(chǎn)效率,提升決策效率。傳統(tǒng)工廠數(shù)據(jù)分散,效率低,決策模式升級。數(shù)字工廠實現(xiàn)生產(chǎn)管理、品質(zhì)分析、設(shè)備運維等系統(tǒng)整合,效率和決策模式得到提升。
2025-04-09 10:14:01
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E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦
2025-04-03 16:20:08
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和外殼。這種設(shè)計使其具有更高的靈活性、更緊湊的結(jié)構(gòu)和更優(yōu)的性能,特別適用于對空間、重量和性能要求的應(yīng)用場景。 無框電機的組成 無框電機:高性能與緊湊設(shè)計相結(jié)合 轉(zhuǎn)子上裝有永磁體,直接安裝在設(shè)備的負載軸上,與負載一起旋轉(zhuǎn)。 定子(
2025-03-20 18:29:12
1607 一些集成GaN FET的芯片能夠根據(jù)輸入電壓和負載的變化自動調(diào)整工作模式,這種自適應(yīng)調(diào)整可以使芯片在不同的工作條件下都能實現(xiàn)恒功率輸出,同時保持較高的效率。深圳銀聯(lián)寶科技推出的集成GaN FET帶恒功率快充電源芯片U8733L,可以在充電器使用過程中,根據(jù)設(shè)備的需求提供合適的功率,提高充電效率!
2025-03-19 15:03:18
1009 中的優(yōu)勢,其效率高達 56%,比傳統(tǒng)工藝降低 40% 熱損耗,實現(xiàn)更小體積、更高功率密度。脈沖衰減解決方案 :熱管理策略 :結(jié)合實驗數(shù)據(jù),揭示自熱效應(yīng)對脈沖衰減的影響,提供散熱片 / 冷板設(shè)計指南
2025-03-18 15:36:53
1179 :Driving-Electric-Motors-with-GaN-Power-ICs.pdf 挑戰(zhàn)與變革 :使用GaN功率IC的電機逆變器可降低系統(tǒng)成本,如去除散熱器、提高集成度、實現(xiàn)自動化裝配,同時提升效率、降低能耗、改善產(chǎn)品評級。但傳統(tǒng)硅開關(guān)解決方案在行業(yè)內(nèi)更為人熟知,且部分應(yīng)用對高功率密度需求不高。 電機逆變器中的關(guān)鍵優(yōu)勢 性能卓越 :開關(guān)損耗極低,
2025-03-12 18:47:17
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器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:33
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Power Solutions的AI(人工智能)服務(wù)器電源采用。羅姆的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開關(guān)性能,助力Murata Power Solutions的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元實現(xiàn)小型化和高效率工作。預(yù)計該電源單元將于2025年開始量產(chǎn)。
2025-02-26 15:41:25
1002 此高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路,在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內(nèi)調(diào)節(jié) 12V 輸出。使用我們的高壓 GaN 器件以及 UCD3138A 和 UCD7138 來優(yōu)化死區(qū)時間和同步整流器 (SR) 導(dǎo)通,此設(shè)計實現(xiàn)了 96.0% 的峰值效率(包括偏置電源)。
2025-02-25 18:13:33
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連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種簡單但高效的功率轉(zhuǎn)換器。為了達到 99% 的效率,需要考慮許多設(shè)計細節(jié)。PMP20873 參考設(shè)計使用 TI 的 600VGaN 功率
2025-02-25 16:01:25
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此參考設(shè)計使用UCC28811功率因數(shù)校正 (PFC) 反激式控制器來創(chuàng)建隔離式 60V 輸出,該輸出能夠承受 1A 負載,同時保持較低的輸入諧波失真。使用 LMG3411R150 GaN 初級開關(guān)的高效率可實現(xiàn)緊湊的尺寸和運行期間的低溫升。
2025-02-25 15:21:51
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LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群?b class="flag-6" style="color: red">效率提升到新的水平。
LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達
2025-02-25 14:07:16
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LMG3425R030 GaN FET 集成了驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群?b class="flag-6" style="color: red">效率提高到新的水平。
LMG3425R030 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達
2025-02-25 13:51:37
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LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群?b class="flag-6" style="color: red">效率提升到新的水平。
LMG352xR030 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達
2025-02-24 14:42:19
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LMG3522R030-Q1 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合
2025-02-24 13:47:55
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LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群?b class="flag-6" style="color: red">效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達
2025-02-24 13:32:11
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LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群?b class="flag-6" style="color: red">效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達
2025-02-24 11:24:00
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LMG342xR050 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合
2025-02-24 09:55:24
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高功率放大器采用堅固的帶狀線電路架構(gòu),并精選GaN器件,確保了卓越的操作可靠性。憑借高功率、高效率、高頻率覆蓋及寬帶性能,CNP GaN系列窄帶高功率放大器已成為現(xiàn)代射頻系統(tǒng)的關(guān)鍵組件,廣泛應(yīng)用
2025-02-21 10:39:06
此參考設(shè)計展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)高效率和小外形尺寸。 *附件:PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 18 磚型電源
2025-02-21 10:20:05
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驅(qū)動應(yīng)用實現(xiàn) 99% 以上的效率,無需散熱器。該器件有助于實現(xiàn)超靜音運行和超短的死區(qū)時間。使用具有自舉電流限制功能的集成自舉整流器,無需使用外部自舉二極管。
2025-02-20 18:24:21
1136 驅(qū)動應(yīng)用實現(xiàn) 99% 以上的效率,無需散熱器。該器件有助于實現(xiàn)超靜音運行和超短的死區(qū)時間。使用具有自舉電流限制功能的集成自舉整流器,無需使用外部自舉二極管。
2025-02-20 17:54:54
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作用。 *附件:中電壓氮化鎵(GaN)在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢.pdf 背景 :隨著技術(shù)發(fā)展,電力需求攀升,設(shè)計人員面臨提升設(shè)計效率、在相同體積下提供更多電力的挑戰(zhàn)。GaN 因具有增加功率密度和提升效率兩大優(yōu)勢,在高電壓電源設(shè)計中得到應(yīng)用,新的中電壓(80V - 200V)GaN 解決方案也逐漸受到歡迎
2025-02-14 14:12:44
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以下是通過直流負載箱優(yōu)化電源測試效率的方法:
精準模擬負載
多樣化負載模擬:直流負載箱可模擬電阻、電感、電容等不同類型的負載,能根據(jù)實際應(yīng)用場景需求,靈活調(diào)整參數(shù),精確模擬各種復(fù)雜的負載情況。例如
2025-02-13 13:45:31
在開關(guān)模式電源中使用 GaN 開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準備情況,提到了所面臨的挑戰(zhàn),并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源
2025-02-11 13:44:55
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近期GaN在OBC上的應(yīng)用方案開始陸續(xù)推出市場, 在一 月初,陽光電動力推出了一款全新的二合一OBC方案,采用GaN器件以及單級拓撲架構(gòu),實現(xiàn)了超高功率密度和高充電效率
2025-02-05 07:55:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《新一代GaN器件,滿足AI服務(wù)器電源需求.pdf》資料免費下載
2025-01-24 13:56:42
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓撲結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)效率高達95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案.pdf》資料免費下載
2025-01-22 14:46:08
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我想問下TLC5510的模擬電源和數(shù)字電源需要隔開嗎?我參考TLC5510數(shù)據(jù)手冊上的典型應(yīng)用,設(shè)計了一個電路,將一個1.8V左右 300KHZ的模擬信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號,但是沒有實現(xiàn),測量
2025-01-14 08:06:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN126-用于穩(wěn)壓器的2線虛擬遙感-千里眼與遙感相結(jié)合.pdf》資料免費下載
2025-01-12 10:04:44
0 器件實現(xiàn)安全可靠的操作。特征:頻率范圍從0.02到18.0 GHz(倍頻程/多倍頻程)高至100w的輸出功率(@Psat單偏壓電源緊湊型薄膜和封裝架構(gòu)經(jīng)濟實用應(yīng)用:通用性高功率實驗室射頻源。檢測設(shè)備中
2025-01-08 09:31:22
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