2025年12月20日，在由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟與集成電路投資創(chuàng)新聯(lián)盟聯(lián)合主辦、ICT知識(shí)產(chǎn)權(quán)發(fā)展聯(lián)盟協(xié)辦、愛(ài)集微承辦的“2026半導(dǎo)體投資年會(huì)暨IC風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮”上，英諾達(dá)憑借其EnCitius
2025-12-26 11:36:00
310 產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場(chǎng)景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54736 
近日，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科再傳好消息。12月9日，中國(guó)智能電動(dòng)汽車部件及解決方案提供商蘇州匯川聯(lián)合動(dòng)力系統(tǒng)股份有限公司與英諾賽科，共同宣布采用650V氮化鎵的新一代6.6KW OBC系統(tǒng)在長(zhǎng)安汽車順利裝車，為車載電源技術(shù)樹(shù)立了新典范。
2025-12-24 00:56:008027 
雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無(wú)需工藝調(diào)整和 MASK 變動(dòng)，通過(guò)合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產(chǎn)品升級(jí)，更是為高密度、高性能應(yīng)用量身打造的動(dòng)力解決方案，重新定義15W級(jí)電源的尺寸、效率與可靠性標(biāo)準(zhǔn)。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴(kuò)大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美
2025-12-11 17:47:04655 美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國(guó) 該裁決是又一項(xiàng)積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價(jià)值 氮化鎵?(GaN) 在實(shí)現(xiàn)高性能、高能效功率系統(tǒng)方面發(fā)揮
2025-12-04 17:23:061497 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布與英諾賽科簽署了諒解備忘錄，雙方將評(píng)估加速40V-200V氮化鎵功率器件部署的合作機(jī)會(huì)，基于英諾賽科成熟的200mm硅基氮化鎵制造工藝，探索擴(kuò)大
2025-12-04 07:42:0010985 30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW
2025-11-28 17:18:042048 
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來(lái)正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 格芯（GlobalFoundries，納斯達(dá)克代碼：GFS）與納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor，納斯達(dá)克代碼：NVTS）今日正式宣布建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同推進(jìn)美國(guó)
2025-11-27 14:30:202044 與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一? Allegro ，與全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵制造供應(yīng)商 英諾賽科? (Innoscience)? 宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，推出了一款開(kāi)創(chuàng)性的? 4.2kW 全 GaN 參考設(shè)計(jì) ，該設(shè)計(jì)采用了 Allegro 的先進(jìn)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)和英諾賽科高性能氮化鎵。這一創(chuàng)新解決方案有望重新定
2025-11-25 16:28:32913 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-24 16:47:18
1 增至約30億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）高達(dá)42%，未來(lái)六年將實(shí)現(xiàn)六倍增長(zhǎng)。這種增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)主要由三大驅(qū)動(dòng)力：消費(fèi)電子電子對(duì)快充的剛需、AI數(shù)據(jù)中心對(duì)高效電源的迫切需求、新能源汽車的電氣化浪潮。在快充之外，氮化鎵功率芯片在家電領(lǐng)域的應(yīng)用點(diǎn)也出現(xiàn)突破。 近日，英諾賽
2025-11-16 00:40:0013349 
一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573101 現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
前言消費(fèi)者在選購(gòu)第三方充電器時(shí)都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器
2025-11-13 10:27:082783 
云鎵半導(dǎo)體雙向創(chuàng)“芯”—云鎵半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)首發(fā)高壓GaN雙向器件MBDS1.前言長(zhǎng)期以來(lái)，器件工程師都在追求一種可雙向?qū)ㄇ译p向耐壓的開(kāi)關(guān)元件，該類器件在AC/DC、DC/AC及AC/AC變換的應(yīng)用場(chǎng)
2025-11-11 13:43:51856 
云鎵半導(dǎo)體云鎵半導(dǎo)體發(fā)布3kW無(wú)橋圖騰柱GaNPFC評(píng)估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術(shù)文檔將重點(diǎn)介紹基于云鎵半導(dǎo)體650VGaN器件的3kW無(wú)
2025-11-11 13:43:26818 新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系
2025-11-03 18:18:052815 
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹(shù)立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 在半導(dǎo)體材料的研究領(lǐng)域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級(jí)別的排列細(xì)節(jié)——這種第三代半導(dǎo)體材料，正是現(xiàn)代快充設(shè)備、5G通信
2025-10-31 12:00:073858 
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場(chǎng)主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
近日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。
2025-10-13 11:41:042482 云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品。在應(yīng)用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金3000W服務(wù)器電源及600W微型逆變器。本文從器件參數(shù)、系統(tǒng)DEMO及驅(qū)動(dòng)器角度全方位解讀云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品系列。
2025-10-11 09:22:25
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片
2025-09-26 11:36:58
2025年9月15日，“中國(guó)芯”第二屆EDA專項(xiàng)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)儀式在杭州舉行，英諾達(dá)的EnFortiusLPC低功耗設(shè)計(jì)檢查工具(ELPC)憑借其卓越的技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)表現(xiàn)，榮獲“產(chǎn)品革新獎(jiǎng)”。這一殊榮不僅是對(duì)ELPC產(chǎn)品價(jià)值的高度認(rèn)可，更是對(duì)英諾達(dá)在國(guó)產(chǎn)EDA領(lǐng)域堅(jiān)持自主創(chuàng)新、攻堅(jiān)核心技術(shù)的充分肯定。
2025-09-16 10:47:173254 報(bào)披露，英諾賽科營(yíng)收增長(zhǎng)，主要是氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)拓展，從數(shù)據(jù)來(lái)看在氮化鎵（GaN）市場(chǎng)拓展和成本控制上都有了進(jìn)展。
2025-09-14 22:16:518758 
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時(shí)，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號(hào)線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信號(hào)流向合理安排位置，減少交叉和迂回，降低布線
2025-08-28 16:18:507132 氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會(huì)，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來(lái)，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業(yè)
2025-08-21 06:40:348327 
）控告英諾賽科（Innoscience）關(guān)于氮化鎵（GaN）技術(shù)專利侵權(quán)的一審判決中，判定英飛凌勝訴。該案的核心是英諾賽科未經(jīng)授權(quán)使用了英飛凌受專利保護(hù)的氮化鎵（GaN，以下同）技術(shù)。氮化鎵技術(shù)在實(shí)現(xiàn)高性能及高能效的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，應(yīng)用范圍廣泛涵蓋可再生能源系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化以及電動(dòng)
2025-08-04 18:28:251668 近日，氮化鎵領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科與全球領(lǐng)先的汽車電子系統(tǒng)供應(yīng)商聯(lián)合電子宣布，雙方攜手成立氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。這一合作旨在充分發(fā)揮氮化鎵器件在高功率密度、低導(dǎo)通電阻、高轉(zhuǎn)換效率以及產(chǎn)品
2025-07-31 17:14:13887 
深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國(guó)內(nèi)首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時(shí)，驅(qū)動(dòng)到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。
2025-07-21 15:05:102858 
近日，氮化鎵行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科正式對(duì)外宣布，將進(jìn)一步擴(kuò)大其 8 英寸晶圓的產(chǎn)能。這一消息在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著英諾賽科在鞏固自身行業(yè)地位的同時(shí)，也將為全球氮化鎵市場(chǎng)注入新的活力。 英
2025-07-17 17:10:59678 近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過(guò)渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈
2025-07-07 10:33:223474 
7月3日，氮化鎵（GaN）制造商納微半導(dǎo)體（Navitas）宣布，其650V元件產(chǎn)品將在未來(lái)1到2年內(nèi)，從當(dāng)前供應(yīng)商臺(tái)積電（TSMC）逐步過(guò)渡至力積電半導(dǎo)體（PSMC）。臺(tái)積電回應(yīng)稱，經(jīng)全面評(píng)估
2025-07-04 16:12:10660 關(guān)系 ，正式啟動(dòng)并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。 納微半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將使用位于臺(tái)灣苗栗竹南科學(xué)園區(qū)的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548 
如果你想了解氮化鎵如何引領(lǐng)便攜光儲(chǔ)市場(chǎng)？那么一定不能錯(cuò)過(guò)這場(chǎng)由大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)和英諾賽科原廠聯(lián)合舉辦的線上研討會(huì)?！癐nnoscienceSolidGaN領(lǐng)航氮化鎵技術(shù)，煥新便攜光儲(chǔ)市場(chǎng)”。7月8日
2025-06-27 16:31:353806 
PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時(shí)，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無(wú)需更改PCB設(shè)計(jì)，否則就要重新設(shè)計(jì)PCB板
2025-06-26 16:11:111778 4顆英諾賽科合封氮化鎵器件ISG6121TD，峰值效率高達(dá)99.03%。其逆變測(cè)試效率也達(dá)到了98.95%，在節(jié)能表現(xiàn)上遙遙領(lǐng)先。
2025-06-23 10:34:002706 
A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補(bǔ)，場(chǎng)景覆蓋廣，依然是當(dāng)前充電市場(chǎng)不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間，使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問(wèn)題，通過(guò)了認(rèn)證測(cè)試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的宏大版圖中，蘇州芯矽電子科技有限公司宛如一座默默耕耘的燈塔，雖低調(diào)卻有著不可忽視的光芒，尤其在半導(dǎo)體清洗機(jī)領(lǐng)域，以其穩(wěn)健的步伐和扎實(shí)的技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)著關(guān)鍵力量。
芯矽科技扎根于
2025-06-05 15:31:42
半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場(chǎng)景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，憑借高功率密度與能效優(yōu)勢(shì)，正推動(dòng)電子設(shè)備技術(shù)革新。
2025-06-05 10:33:562489 
45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201071 前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
全電壓！PD20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD20W氮化鎵
2025-05-22 15:41:26734 從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
深圳銀聯(lián)寶科技帶來(lái)的是33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8733+U7612B，可顯著提升產(chǎn)品的易用性和效率！
2025-05-13 11:11:14635 英諾賽科針對(duì)48V架構(gòu)開(kāi)發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯(cuò)降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。
英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方案利用氮化鎵高頻高效的優(yōu)勢(shì)和四相交錯(cuò)Buck
2025-05-12 14:00:001145 
深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
全集成保護(hù)型氮化鎵功率芯片搭配雙向無(wú)損耗電流檢測(cè)，效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導(dǎo)體今日正式宣布推出 全新專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過(guò)壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 發(fā)燒友拍攝 “與硅基器件相比，氮化鎵的功率密度可達(dá) 30W/mm，是硅的150倍，開(kāi)關(guān)頻率提升 10 倍以上，可使電源適配器體積縮小 60%?！?西安電子科技大學(xué)廣州研究院教授弓小武對(duì)媒體表示。當(dāng)前，GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年
2025-04-21 09:10:422407 
日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過(guò) AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車規(guī)認(rèn)證，這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車市場(chǎng)的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族， 集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)以及關(guān)鍵的保護(hù)功能
2025-04-17 15:09:264298 
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào)功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 ??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車等領(lǐng)域打造面向未來(lái)的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可借助英諾賽
2025-04-01 10:06:023808 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月28日，功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科發(fā)布2024年業(yè)績(jī)報(bào)告，本年度營(yíng)收達(dá)到8.285億元，同比增長(zhǎng)39.8%。作為全球首家大規(guī)模量產(chǎn)8英寸晶圓的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科集團(tuán)憑借
2025-04-01 01:20:004220 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過(guò)EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能，通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來(lái)了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
UM2062-100M 是一款 100W 應(yīng)用頻率在 2.0～6.2GHz 的，基于全國(guó)產(chǎn)化及工藝的氮化鎵射頻功 率放大管。這款功放管具有高效率、高增益的特性，適用于脈沖/連續(xù)波信號(hào)，主要用于收發(fā)
2025-03-27 10:00:11
2025 年3月19日 - 英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（香港聯(lián)交所代碼：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）芯片制造及電源解決方案企業(yè)。 今日，英諾賽科宣布其
2025-03-19 13:57:341492 GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046953 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
2024年，芯途璀璨，創(chuàng)新不止。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“武漢芯源半導(dǎo)體”）在21ic電子網(wǎng)主辦的2024年度榮耀獎(jiǎng)項(xiàng)評(píng)選中，憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力與行業(yè)貢獻(xiàn)，榮膺“年度創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)獎(jiǎng)”。這一
2025-03-13 14:21:54
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請(qǐng)，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高效率器件的需求不斷加大?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn)，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了國(guó)際領(lǐng)先地位，也為我國(guó)
2025-03-07 11:43:222412 
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開(kāi)關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 U2G5060-140P2 是一款 140W 應(yīng)用頻率在 5.0~6.0GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管 具有高效率、高增益的特性。同時(shí)覆蓋 5-6GHz 應(yīng)用的 Demo 板，輸出功率
2025-02-25 15:56:49
近日，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381784 ，采用氮化鎵材料，體積小巧，僅為57.5*33.5*23.8mm，極大程度的節(jié)省了設(shè)計(jì)空間。該系列電源模塊共有4款，輸出功率40W，輸出電壓分別為9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案，預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867 過(guò)去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂。為此，在本文中，我們先對(duì)氮化鎵未來(lái)的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開(kāi)發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
生長(zhǎng)4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶仍沿用了細(xì)籽晶誘導(dǎo)+錐面放肩技術(shù)，籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面襯底，適合SBD等高功率器件應(yīng)用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材
2025-02-17 09:13:241340 前言 近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產(chǎn)品基于華源智信氮化鎵方案設(shè)計(jì)，因此整體做到相當(dāng)小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。充電器支持最高20W PD3.0快充，可滿足
2025-02-14 14:46:512073 
VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40901 
隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體——氮化鎵（GaN）正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。聞泰科技已布局GaN領(lǐng)域多年，憑借卓越的創(chuàng)新能力不斷推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，創(chuàng)造新的價(jià)值增量。
2025-02-10 17:15:041127 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234 
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-02-06 11:31:151133 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的精準(zhǔn)度卻時(shí)刻面臨著一個(gè)來(lái)自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 
在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個(gè)隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開(kāi)拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場(chǎng)景中嶄露頭角，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對(duì)于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
電能的高效轉(zhuǎn)換。同步整流芯片的加入則有效地解決了能量損耗問(wèn)題。今天介紹的是35W氮化鎵電源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 趨勢(shì)一：碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）宛如兩顆冉冉升起的新星，正以迅猛之勢(shì)改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，SiC
2025-01-08 16:32:155035 東科半導(dǎo)體集成雙氮化鎵功率管的不對(duì)稱半橋AC-DC-100W電源管理芯片-DK8710AD一、產(chǎn)品概述DK87XXAD是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片
2025-01-08 15:33:07
高性能AC-DC 75W氮化鎵電源管理芯片-DK075G一、產(chǎn)品概述：DK075G是一款高度集成了700V/150mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率電源管理芯片。DK075G檢測(cè)
2025-01-08 10:48:52
東科半導(dǎo)體高性能AC-DC 45W氮化鎵電源管理芯片-DK045G 一、產(chǎn)品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片
2025-01-08 10:46:14
隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。在眾多半導(dǎo)體材料中，鎵因其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，在半導(dǎo)體制造中占據(jù)了一席之地。 鎵的基本性質(zhì) 鎵是一種柔軟、銀白色的金屬，具有低熔點(diǎn)
2025-01-06 15:11:592708 近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場(chǎng)增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141123
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