電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）前段時(shí)間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計(jì)劃陸續(xù)退出部分DDR4市場，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應(yīng)鏈波動(dòng)，同時(shí)在供給不足的擔(dān)憂
2025-06-19 00:54:00
10155 
進(jìn)程，提升產(chǎn)品質(zhì)量。
一博珠海板廠位于珠海經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，坐擁PCB產(chǎn)業(yè)優(yōu)質(zhì)人才資源及完善的產(chǎn)業(yè)配套。一期全面投產(chǎn)，專注于高端快件，提供高品質(zhì)的高多層、高速、高精密、HDI等PCB生產(chǎn)制造。二期提供中大批量
2026-01-05 15:46:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年末，存儲(chǔ)行業(yè)超級周期熱潮下，一則技術(shù)動(dòng)態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導(dǎo)體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:004504 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡，它不僅是三星首款2nm芯片，更是全球首款采用2納米（2nm）全環(huán)繞柵極（GAA）工藝制造的智能手機(jī)系統(tǒng)
2025-12-25 08:56:008274 
如果你現(xiàn)在正面臨三星、美光存儲(chǔ)芯片缺貨的問題,不妨考慮下紫光國芯的產(chǎn)品。我們可以提供樣品測試、技術(shù)支持、批量供貨的全流程服務(wù)。具體產(chǎn)品選型、價(jià)格報(bào)價(jià)、交期確認(rèn),歡迎聯(lián)系咨詢貞光科技。海外大廠為什么會(huì)
2025-12-16 14:34:16434 
本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫測試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423466 
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341115 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片荒，雖攪動(dòng)國內(nèi)芯片市場，但對 PCB 行業(yè)的影響卻遠(yuǎn)小于預(yù)期。這場 “無關(guān)聯(lián)” 的核心，并非 PCB 行業(yè)抗風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng)，而是 PCB 的需求結(jié)構(gòu)與存儲(chǔ)芯片
2025-11-08 16:17:001005 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的供應(yīng)鏈焦慮，正加速國內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能擴(kuò)張 —— 長鑫存儲(chǔ)合肥新晶圓廠已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，2026 年一季度將實(shí)現(xiàn) 30 萬片 / 月的 DDR5 晶圓產(chǎn)能，全球
2025-11-08 16:15:571682 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)的背后，是存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)向高附加值封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)型 ——SiP（系統(tǒng)級封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉(zhuǎn)型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術(shù)，其核心驅(qū)動(dòng)力，仍是國內(nèi)存儲(chǔ)芯片封裝環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化進(jìn)程加速。
2025-11-08 16:15:011156 下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過我在配置MIG的時(shí)候，通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:01
4 三星、美光暫停 DDR5 合約報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片荒，正通過 AI 服務(wù)器需求鏈，悄然傳導(dǎo)至 PCB 行業(yè)。這場關(guān)聯(lián)的核心，并非簡單的 “芯片漲價(jià)帶動(dòng) PCB 漲價(jià)”，而是 AI 服務(wù)器對存儲(chǔ)芯片
2025-11-05 10:29:56561 Period選擇200MHz, 此時(shí)鐘是給DDR3運(yùn)行時(shí)鐘，
4.UCF文件需要根據(jù)原理圖自行配置。
配置完成MIG后，由于e203與MIG（100MHz）時(shí)鐘頻率并不一致，可以將e203降頻至
2025-10-29 07:16:34
DDR使用
在我們的項(xiàng)目中，我們使用的是芯來科技的DDR200T開發(fā)板，我們通過調(diào)用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置，配置完成后例化該DDR3，然后利用DMA和VDMA作為數(shù)據(jù)的緩沖模塊，將
2025-10-28 07:24:01
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊(duì)針對DDR200T開發(fā)板進(jìn)行針對e203的DDR3存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲(chǔ)器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
2025-10-14 17:11:371033 回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 全球存儲(chǔ)市場正掀起一場前所未有的漲價(jià)風(fēng)暴。全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子近日宣布，旗下DRAM和NAND閃存產(chǎn)品價(jià)格全線上調(diào)，部分型號漲幅高達(dá)30%，猶如一顆巨石投入平靜
2025-09-24 08:45:004365 在rt-thread studio環(huán)境中之前編譯成功的項(xiàng)目(1234)重命名(test)后出現(xiàn)大批量的錯(cuò)誤是什么原因造成？該如何處理？這很困擾，為啥重命名就能出現(xiàn)這樣的情況？
2025-09-17 06:58:00
開始實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。這一進(jìn)展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。 ? 三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報(bào)價(jià)，傳聞向英偉達(dá)提供比SK海力士低20%至30%的報(bào)價(jià)，三星不得不通過激進(jìn)定價(jià)策略來提升市場競爭力。 ? 近日消息，S
2025-08-23 00:28:007162 獨(dú)家生產(chǎn)，但從第三代 Dojo（Dojo 3）開始，特斯拉將轉(zhuǎn)向與三星電子及英特爾合作，形成一套全新的供應(yīng)鏈雙軌制模式。這情況不但代表著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)一次前所未有的合作模式，也可能重塑 AI 芯片制造和封裝的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。 新的分工模式分布兩部分：首先將由三星電子旗
2025-08-10 06:14:0011273 
給大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">三星的最新消息： 三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋果公司的下一代芯片。而蘋果公司在新聞稿中也印證了這個(gè)一消息，在新聞稿中
2025-08-07 16:24:081288 Performance Body-bias）方案的驗(yàn)證。Exynos 2600是全球首款2nm手機(jī)芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進(jìn)展順利，三星將立即啟動(dòng)量產(chǎn)，三星GalaxyS26系列手機(jī)將首發(fā)
2025-07-31 19:47:071591 近期，東風(fēng)新能源車大批量簽約交付投入網(wǎng)約車市場，攜手合作伙伴共建出行服務(wù)新標(biāo)桿，成為城市綠色出行的重要一環(huán)。
2025-07-31 14:19:01848 ，特斯拉CEO埃隆?馬斯克證實(shí)了這一消息，并表示三星在美國得克薩斯新建的工廠將生產(chǎn)特斯拉的下一代AI6芯片，三星目前將生產(chǎn)A14芯片，而臺(tái)積電將首先在中國臺(tái)灣生產(chǎn)AI5芯片，之后轉(zhuǎn)到美國亞利桑那州進(jìn)行生產(chǎn)。 這一合作協(xié)議的簽署，對雙方都具有重要意義。
2025-07-30 16:58:02567 本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線等長設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 面對制造業(yè)大批量、高效率的尺寸檢測需求，光子精密推出了革命性產(chǎn)品——QM系列圖像尺寸測量儀。憑借±1μm的超高測量精度、行業(yè)領(lǐng)先的大批量檢測能力，重新定義尺寸檢測的效率標(biāo)準(zhǔn)。
2025-07-18 08:00:00637 
一站式PCBA加工廠家今天為大家講講小批量SMT加工與大批量生產(chǎn)有什么區(qū)別？小批量SMT加工與大批量生產(chǎn)差異解析。 ? 一、SMT加工的核心模式差異 1. 生產(chǎn)規(guī)模與設(shè)備配置 小批量SMT加工通常
2025-07-16 09:18:40836 地位。業(yè)界普遍認(rèn)為，目前三星的2納米制程良率仍不足30%。雖然有內(nèi)部消息稱其初期良率已優(yōu)于以往的制程技術(shù)，但在量產(chǎn)階段，三星能否與國際競爭對手臺(tái)積電抗衡仍然是一個(gè)
2025-07-11 10:07:431153 
：
Window11 PDS2022.2-SP6.4
芯片型號：
PG2L50H-484
2.實(shí)驗(yàn)原理
開發(fā)板集成 1 顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3
2025-07-10 10:46:48
DRAM內(nèi)存市場“代際交接”關(guān)鍵時(shí)刻2025年P(guān)C及服務(wù)器市場中，DDR4的滲透率約為20%-30%，而DDR5的滲透率約為70%-80%（TrendForce集邦咨詢）。在AI算力爆發(fā)和先進(jìn)
2025-07-09 11:11:241702 
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星電子Q2利潤預(yù)計(jì)重挫39% 由于三星向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片延遲，三星預(yù)計(jì)將公布4-6月營業(yè)利潤為6.3萬億韓元（約46.2億美元；三星電子打算在周二公布初步的業(yè)績數(shù)據(jù)
2025-07-07 14:55:29587 聯(lián)網(wǎng)終端需應(yīng)對碎片化訂單，傳統(tǒng)大批量流水線遭遇致命挑戰(zhàn)：換線成本高、治具開發(fā)周期長、小批量生產(chǎn)虧損。當(dāng)“柔性響應(yīng)能力”成為制造企業(yè)生死線，選擇性波峰焊正成為破局關(guān)鍵。
傳統(tǒng)焊接：柔性生產(chǎn)鏈條上
2025-06-30 14:54:24
DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152009 
, Parallel
XIP：指代碼可以直接在芯片上執(zhí)行，無需先加載到RAM。
5. 行業(yè)現(xiàn)狀與趨勢
市場格局：
DRAM：高度集中，被 三星、SK海力士、美光 三大巨頭壟斷。
NAND Flash
2025-06-24 09:09:39
優(yōu)勢，解決了接觸式測量在效率、精度、適應(yīng)性上的瓶頸，尤其適合大批量生產(chǎn)、復(fù)雜結(jié)構(gòu)檢測、高附加值產(chǎn)品場景。在工業(yè)檢測領(lǐng)域，3D視覺已成為主流趨勢，推動(dòng)“智能制造”向自
2025-06-20 17:46:351348 
的重要模式。尤其是在新產(chǎn)品開發(fā)階段，小批量生產(chǎn)不僅能幫助企業(yè)快速驗(yàn)證設(shè)計(jì)，還能降低成本和風(fēng)險(xiǎn)。今天，我們將詳細(xì)介紹PCBA小批量生產(chǎn)服務(wù)的完整流程與優(yōu)勢，以及如何通過一站式解決方案滿足您的需求。 PCBA小批量生產(chǎn)服務(wù)流程 1. 設(shè)計(jì)優(yōu)化 小批量
2025-06-17 09:24:22590 據(jù)外媒 SAMMobile 報(bào)道，三星已與英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）達(dá)成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片解決方案。 據(jù)悉， 此次合作將基于三星的 5 納米工藝 ，重點(diǎn)是“優(yōu)化內(nèi)存
2025-06-09 18:28:31879 隨著汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型，高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車不可或缺的核心組件。紫光國芯作為國內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片制造商，其車規(guī)級DDR3存儲(chǔ)產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171219 
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class="flag-6" style="color: red">三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋排線。
回收三星S系列指紋排線，回收指紋模組，回收三星
2025-05-19 10:05:30
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111204 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843 錫珠不單影響產(chǎn)品的外觀質(zhì)量，還可能影響電路板的電氣性能，甚至可能導(dǎo)致短路等嚴(yán)重問題。SMT貼片在批量生產(chǎn)加工時(shí)，SMT錫膏在用激光焊接的過程中如何避免產(chǎn)生錫珠和炸錫，是一個(gè)需要持續(xù)關(guān)注和優(yōu)化的問題。其主要源于以下幾個(gè)關(guān)鍵因素。
2025-05-07 10:49:24651 下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時(shí)鐘輸入，時(shí)鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時(shí)鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
受一些智能終端消費(fèi)者和企業(yè)客戶因?yàn)閾?dān)憂美國關(guān)稅而提前采購三星智能手機(jī)和通用芯片的影響，三星電子Q1營業(yè)利潤小幅增長；三星電子在2025年第一季度營業(yè)利潤達(dá)到6.7萬億韓元，同比增長1.5%，高于
2025-04-30 15:34:33637 TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
改進(jìn)EUV光刻制造技術(shù)。與此同時(shí)，三星還獲得了High-NA EUV光刻設(shè)備技術(shù)的優(yōu)先權(quán)。 ? 據(jù)外媒報(bào)道，ASML現(xiàn)在似乎放棄了與三星的合作建設(shè)半導(dǎo)體芯片研究設(shè)施，開始將早期購買的土地出售。據(jù)了解，ASML在去年購入了6塊土地，總面積達(dá)到了約19000平方米，其中2塊已
2025-04-22 11:06:001488
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
在全球科技競爭加劇、國產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，紫光國芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實(shí)現(xiàn)突破，推動(dòng)國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片向高端市場邁進(jìn)。作為其核心代理商，貞光科技在市場推廣
2025-04-16 16:39:301342 對于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國業(yè)務(wù)，三星下場辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國部分公司新項(xiàng)目合作”的說法屬誤傳，三星仍在正常開展與這些公司的合作。 而且有媒體報(bào)道稱瑞芯微公司等合作客戶也表示與三星的相關(guān)工作在正常推進(jìn)。
2025-04-10 18:55:33770 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
一站式PCBA打樣工廠領(lǐng)卓今天為大家講講PCBA廠家如何評估PCBA板可以批量生產(chǎn)?評估PCBA板準(zhǔn)備情況的關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)。在PCBA加工中，確保電路板具備批量生產(chǎn)的準(zhǔn)備性至關(guān)重要。作為一家擁有20余年
2025-04-08 09:15:04692 次公開了?SF1.4（1.4nm?級別）工藝，原預(yù)計(jì)?2027?年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法，SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個(gè)增加到?4?個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-23 11:17:401827 次公開了 SF1.4（1.4nm 級別）工藝，原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法，SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-22 00:02:002462 燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 在現(xiàn)代電子制造業(yè)中，貼片電容作為電子元件的重要組成部分，其封裝形式與體積大小對于電路板的布局、性能及生產(chǎn)效率具有重要影響。三星作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商，其貼片電容產(chǎn)品系列豐富，封裝多樣，滿足了
2025-03-20 15:44:591928 
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
在10700 MT/s運(yùn)行。 ? 為了提高速度，三星必須在其DRAM芯片中添加四相自校準(zhǔn)和交流耦合收發(fā)器均衡?！八南嘧孕?zhǔn)環(huán)路”技術(shù)，它能確保高速內(nèi)存接
2025-02-28 00:07:006337 三星半導(dǎo)體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設(shè)計(jì)用以保護(hù)移動(dòng)設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，用以抵御量子計(jì)算可能帶來的安全威脅。 據(jù)悉，三星
2025-02-26 15:23:282481 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講為什么SMT打樣單價(jià)高于批量生產(chǎn)?SMT打樣加工價(jià)格高的原因。在電子制造行業(yè)，很多人可能會(huì)好奇，為什么SMT貼片加工中，打樣的單價(jià)往往比批量生產(chǎn)要高得多。這個(gè)現(xiàn)象
2025-02-24 09:43:00711 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002803 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38978 據(jù)韓媒The Elec報(bào)道，三星顯示(Samsung Display)已決定推遲其第八代OLED面板生產(chǎn)線的安裝計(jì)劃。這一決定背后，是OLED iPad銷售表現(xiàn)不佳以及蘋果推遲發(fā)布OLED
2025-02-14 13:55:41977 MT62F1G64D8EK-031 AAT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備優(yōu)秀的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:41:56
MT41K64M16TW-107 AUT:J是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:37:41
據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511336 %。進(jìn)入第三季度，價(jià)格下滑趨勢將進(jìn)一步加劇，預(yù)計(jì)再降5%。這意味著，在整個(gè)前三季度，PC、服務(wù)器及移動(dòng)DRAM內(nèi)存價(jià)格將累計(jì)下滑15%。 值得注意的是，此前價(jià)格相對堅(jiān)挺的服務(wù)器級DRAM也將難以幸免于這波降價(jià)潮。據(jù)報(bào)告，64GB服務(wù)器DDR5的價(jià)格已從2024年四季度的270美元降
2025-02-11 10:41:561750 ;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會(huì)議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實(shí)現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Gartner的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，在2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)營收達(dá)到6260億美元，同比增長18.1%。分廠商來看的話，三星登頂全球最大半導(dǎo)體廠商。 排名第一的是三星；得益于內(nèi)存價(jià)格大幅
2025-02-05 16:49:551828 
據(jù)外媒報(bào)道，芯片巨頭Arm計(jì)劃大幅度提高授權(quán)許可費(fèi)用，漲幅最高可達(dá)300%。這一消息對三星Exynos芯片的未來發(fā)展構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
2025-01-23 16:17:48770 為應(yīng)對美國新任總統(tǒng)特朗普的關(guān)稅政策，三星電子與LG電子正醞釀一項(xiàng)重大生產(chǎn)轉(zhuǎn)移計(jì)劃。據(jù)悉，這兩家韓國電子巨頭正考慮將部分家電產(chǎn)品的生產(chǎn)從墨西哥轉(zhuǎn)移至美國本土。 具體而言，三星電子正權(quán)衡將其位于墨西哥克
2025-01-23 15:08:241114 據(jù)報(bào)道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出，三星電子為應(yīng)對其12nm級
2025-01-23 15:05:11921 工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減，但三星在這兩大工廠的項(xiàng)目推進(jìn)上并未止步。 平澤P2工廠方面，三星計(jì)劃將部分3nm生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換到更為先進(jìn)的2nm工藝，以進(jìn)一步提升其半導(dǎo)體制造技術(shù)的競爭力。這一舉措顯示出三星在高端工藝領(lǐng)域的堅(jiān)定布局和持續(xù)
2025-01-23 11:32:151081 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001 據(jù)知情人士透露，三星正計(jì)劃調(diào)整其家電生產(chǎn)布局，考慮將部分烘干機(jī)生產(chǎn)從墨西哥克雷塔羅工廠轉(zhuǎn)移至位于美國南卡羅來納州紐伯里的家電工廠。目前，三星在克雷塔羅主要負(fù)責(zé)冰箱、洗衣機(jī)和烘干機(jī)的生產(chǎn)，而電視機(jī)則在墨西哥蒂華納生產(chǎn)。
2025-01-22 15:46:04862 (High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結(jié)束開發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階段所必需的水平
2025-01-22 14:27:241107 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071408 與臺(tái)積電合作，以提升其Exynos芯片的生產(chǎn)質(zhì)量和產(chǎn)量。 然而，就在昨日，Jukanlosreve更新了這一事件的最新進(jìn)展。據(jù)其透露，臺(tái)積電已經(jīng)正式拒絕了三星的代工請求，不會(huì)為三星生產(chǎn)Exynos處理器。這一決定無疑給三星的芯片生產(chǎn)計(jì)劃帶來了不小的挑戰(zhàn)。 臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的
2025-01-17 14:15:52887 指出，三星對于這款三折疊手機(jī)的初期產(chǎn)量持謹(jǐn)慎態(tài)度，預(yù)計(jì)今年的產(chǎn)量將控制在20萬臺(tái)左右。這一數(shù)字雖然不算龐大，但考慮到三折疊手機(jī)作為新興產(chǎn)品，其市場接受度和消費(fèi)者反饋仍需進(jìn)一步觀察，因此三星的謹(jǐn)慎策略也不難理解。 與此同時(shí)，另一家
2025-01-15 15:42:501274 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24866 億元人民幣)的激勵(lì)資金。 該工廠預(yù)計(jì)將于2026年全面投入大規(guī)模芯片生產(chǎn)，主要生產(chǎn)2納米和3納米工藝的先進(jìn)芯片。三星方面表示，他們計(jì)劃在2026年初引入所有必要的生產(chǎn)設(shè)備，并在年底前正式啟動(dòng)量產(chǎn)，以期在這一關(guān)鍵領(lǐng)域與全球領(lǐng)先的芯片制造
2025-01-14 13:55:41930 在電子元件領(lǐng)域，三星貼片電容以其高品質(zhì)和穩(wěn)定性著稱。然而，在采購和使用這些元件時(shí)，正確識(shí)別其包裝上的條碼信息至關(guān)重要。條碼不僅包含了產(chǎn)品的基本信息，還是追溯產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)日期以及批次的重要依據(jù)。本文
2025-01-08 14:48:511240 
隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達(dá)到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292422 近日，據(jù)SamMobile的最新消息，英偉達(dá)和高通兩大芯片巨頭正在考慮對其2納米工藝芯片的生產(chǎn)策略進(jìn)行調(diào)整。具體來說，這兩家公司正在評估將部分原計(jì)劃在臺(tái)積電生產(chǎn)的2納米工藝訂單轉(zhuǎn)移至三星的可能性
2025-01-06 10:47:24694
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論