目前，閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)以高存儲(chǔ)密度、低功耗、擦寫(xiě)次數(shù)快等優(yōu)勢(shì)占據(jù)了非揮發(fā)性存儲(chǔ)芯片的壟斷地位，但隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)遇到了技術(shù)瓶頸，而新一代存儲(chǔ)技術(shù)——阻變存儲(chǔ)器有望成為閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)的替代者。
2015-10-13 08:24:58
3387 中科院微電子所研究員霍宗亮告訴記者，對(duì)新進(jìn)入的中國(guó)玩家，想切入DRAM和NAND閃存領(lǐng)域存有一線可能。DRAM制程工藝已快遇到物理上的極限，更新?lián)Q代越來(lái)越慢，技術(shù)難度越來(lái)越大，在這樣的情況下，國(guó)外
2016-05-27 09:29:131948 最近，中國(guó)微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬化源
2017-01-06 13:59:213502 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:232091 近年來(lái)，隨著芯片工藝制造的進(jìn)步，工藝制程逐漸接近物理極限，深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展使得計(jì)算量和參數(shù)量呈指數(shù)上升。具有高密度，非易失，易加工等優(yōu)點(diǎn)的阻變存儲(chǔ)器(RRAM)，被認(rèn)為是最具代表性的新型存儲(chǔ)器之一，是低功耗，低成本、高算力兼?zhèn)涞睦硐脒x擇。
2022-10-14 11:41:081615 中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們?cè)O(shè)計(jì)的一款I(lǐng)GBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進(jìn)行超高壓
2011-12-06 10:36:222065 首先討論HDD及其功能，并比較儲(chǔ)存(storage)和(memory)的不同特性。在接下來(lái)的專(zhuān)欄中，我們將專(zhuān)門(mén)討論SSD，并探索在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)將持續(xù)發(fā)展的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存趨勢(shì)?！ ?chǔ)存 vs 存儲(chǔ)器 電子數(shù)據(jù)
2017-07-20 15:18:57
失是指存儲(chǔ)器斷電后，里面存儲(chǔ)的內(nèi)容是否會(huì)丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲(chǔ)器的速度要快于非易失性存儲(chǔ)器。1.1 易失性存儲(chǔ)器 按照RAM的物理存儲(chǔ)機(jī)制，可以...
2021-07-16 07:55:26
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲(chǔ)器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國(guó)化學(xué)協(xié)會(huì)ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（ReRAM）具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32
AVR系列單片機(jī)有哪幾種存儲(chǔ)器？AVR系列單片機(jī)在程序中如何訪問(wèn)FLASH程序存儲(chǔ)器？EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器操作方式有哪幾種？
2021-09-23 08:13:11
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
LCOS是微電子學(xué)、光學(xué)和視頻顯示技術(shù)相結(jié)合的新技術(shù)。我國(guó)LCOS微顯示芯片的研究始于1998年，南開(kāi)大學(xué)信息學(xué)院光電子所在教育部和天津市科委的支持下，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展了LCOS微顯示器芯片技術(shù)的研究，取得了重大進(jìn)展，自主研制成功我國(guó)第一枚LCOS微顯示芯片。
2019-09-12 09:11:53
本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯(cuò)碼（ECC）的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對(duì)保護(hù)內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲(chǔ)器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
STM32_FSMC機(jī)制的NORFlash存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)
2014-03-24 15:17:17
、消防安防、環(huán)境檢測(cè)等應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供更具性價(jià)比的解決方案。該參考設(shè)計(jì)采用了Semtech LoRa CoreTM SX126x系列芯片以及復(fù)旦微電子的FM33LE0系列MCU產(chǎn)品，包含硬件參考設(shè)計(jì)以及
2023-02-13 17:44:32
cadence講義_IC設(shè)計(jì)_清華微電子所
2012-08-12 17:30:13
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個(gè)停車(chē)場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類(lèi)的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來(lái)存地址信號(hào)，通過(guò)刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過(guò)延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫(xiě)信號(hào)，用來(lái)讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車(chē)的狀態(tài)（在不在車(chē)庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
導(dǎo)師，主要研究領(lǐng)域?yàn)楣虘B(tài)電路和器件、電子封裝、壓阻應(yīng)力傳感器、低溫電子設(shè)備、 VLSI 設(shè)計(jì)以及電子設(shè)備和電路中的噪聲等。特拉維斯． N ．布萊洛克（ Travis N . Blalock )是美國(guó)
2023-05-29 22:24:28
、微波電真空技術(shù)和地理空間信息技術(shù)三大支柱領(lǐng)域，微波成像基礎(chǔ)研究、電磁探測(cè)技術(shù)、傳感器與微系統(tǒng)技術(shù)、先進(jìn)激光與探測(cè)技術(shù)和可編程芯片技術(shù)五個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域。電子所下設(shè)11個(gè)研究部門(mén)。經(jīng)過(guò)60年的發(fā)展，截至
2017-12-18 17:27:09
的，通過(guò)研究每個(gè)要素特點(diǎn)，提出消除或抑制每個(gè)要素方法，從而解決電子電氣設(shè)備或系統(tǒng)電磁兼容性問(wèn)題。圖1 電磁兼容三要素 全文PDF上傳：傳感器EMC的重要性與研究進(jìn)展.rar
2018-11-05 15:51:31
技術(shù)節(jié)點(diǎn)的新式存儲(chǔ)器機(jī)制和材料。目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲(chǔ)機(jī)制，相變存儲(chǔ)器（PCM）就是其中一個(gè)最被業(yè)界看好的非易失性存儲(chǔ)器，具有閃存無(wú)法匹敵的讀寫(xiě)性能和升級(jí)能力。在室溫環(huán)境中，基于第六族
2019-06-26 07:11:05
正在美國(guó)舊金山召開(kāi)的第66屆國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2019)上，清華大學(xué)微電子學(xué)研究所錢(qián)鶴、吳華強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)報(bào)道了國(guó)際首個(gè)基于阻變存儲(chǔ)器(RRAM)的可重構(gòu)物理不可克隆函數(shù)(PUF)芯片
2021-07-22 06:16:15
Access Memory”的縮寫(xiě)，被譯為隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的消息被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無(wú)關(guān)。這個(gè)詞的由來(lái)是因?yàn)樵缙谟?jì)算機(jī)曾使用磁鼓作為存儲(chǔ)器，磁鼓是順序讀寫(xiě)設(shè)備，而RAM可隨讀取其內(nèi)部任意地址的數(shù)據(jù)，時(shí)間都是相同的，因
2021-12-10 07:09:20
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
和 Cortex?-M3 IP數(shù)據(jù)和設(shè)計(jì)參考流程，并結(jié)合靈動(dòng)微電子所提供的其它系列IP來(lái)實(shí)現(xiàn)最終的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及應(yīng)用方案。此項(xiàng)合作有利于幫助客戶縮短產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間，優(yōu)化客戶產(chǎn)品性能，并最大程度保護(hù)客戶
2016-10-18 14:20:02
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
大俠幫忙簡(jiǎn)述一下英飛凌XC878的存儲(chǔ)器擴(kuò)展機(jī)制{:10:}
2018-12-18 09:43:54
PIC24設(shè)備，它不能像某些PIC32那樣跳轉(zhuǎn)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM）開(kāi)始從那里執(zhí)行。具有擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器接口，所以我們可以把功能代碼轉(zhuǎn)移到擴(kuò)展存儲(chǔ)器，然后跳轉(zhuǎn)到PC，這個(gè)選項(xiàng)在PIC24設(shè)備中不可用。然而
2020-03-09 08:46:16
由單電子晶體管(single‐electron transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)SET)構(gòu)成的存儲(chǔ)器具有體積小、容量大、功率消耗低等優(yōu)點(diǎn),可望成為繼CMOS存儲(chǔ)器之后納米級(jí)的新型存儲(chǔ)器。本文介紹了幾種基于單電子晶
2010-07-29 15:51:53
18 摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問(wèn)題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182972 
我國(guó)首個(gè)256位分子存儲(chǔ)器電路研制成功
借助中科大國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室二次X射線光刻工藝，中國(guó)科學(xué)院微電子所納米加工與新器件集成技
2008-11-26 08:19:14689 STM32FSMC機(jī)制FlaSh存儲(chǔ)器擴(kuò)展
引 言
STM32是ST(意法半導(dǎo)體)公司推出的基于ARM內(nèi)核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內(nèi)核是為低功耗和價(jià)格敏感的應(yīng)用而專(zhuān)
2009-11-27 10:07:101711 
非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46946 
相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22883 等離子體所在基于氮摻雜二氧化鈦電池暗電流抑制研究取得較大進(jìn)展
近來(lái)，中科院等離子體研究所太陽(yáng)能材料與工程研究室研究生田華軍在基于氮
2010-01-28 09:03:372367 提出一種適用于未來(lái)高密度應(yīng)用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲(chǔ)器概念。在0.13 m工藝下, 以一個(gè)使用8 層金屬堆疊的1T64R 結(jié)構(gòu)為例, 其存儲(chǔ)密度比傳統(tǒng)的單層1T1R 結(jié)構(gòu)高
2011-12-07 11:02:4116 微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室成功研制出基于硅基液晶(LiquidCrystalonSilicon，LCoS)微顯示芯片
2011-12-09 09:05:141278 由中科院微電子研究所系統(tǒng)封裝技術(shù)研究室牽頭承擔(dān)的“高密度三維系統(tǒng)級(jí)封裝的關(guān)鍵技術(shù)研究”重大專(zhuān)項(xiàng)取得新進(jìn)展。
2011-12-16 09:04:361062 近日，微電子所系統(tǒng)封裝研究室（九室），在多芯片封裝研究上取得突破。該芯片在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域意義重大。電力的應(yīng)用正在朝多元化發(fā)展，電表集成模塊的數(shù)字化、智能化和多功能化
2012-03-08 09:17:301188 中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）超高速電路課題組在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性進(jìn)展，成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片
2012-04-26 08:55:204232 
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在22納米 CMOS關(guān)鍵技術(shù)先導(dǎo)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展
2012-12-11 11:31:033377 移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)QoS機(jī)制的研究進(jìn)展述評(píng)....
2016-01-04 17:03:5512 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 飛思卡爾S12X存儲(chǔ)器分頁(yè)機(jī)制分析_李翠霞
2017-03-19 11:29:007 近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。
2017-05-09 01:07:311725 
STM32系列微控制器存儲(chǔ)器與外設(shè)
2017-09-29 14:50:467 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 信息，并能將感知到的信息存儲(chǔ)在大腦的神經(jīng)系統(tǒng)中。近年來(lái)，科研工作者通過(guò)圖像傳感器陣列的研究，已在模擬人體的視覺(jué)感知功能方面取得進(jìn)展。
2018-01-13 22:42:331334 斯坦福研究人員開(kāi)發(fā)的芯片被稱(chēng)為“單晶體管單阻變存儲(chǔ)器”（1T1R）單元。這種1T1R存儲(chǔ)單元相對(duì)于含有阻變存儲(chǔ)器但沒(méi)有晶體管的存儲(chǔ)單元，能夠提供極大好處。
2018-01-23 17:23:597500 
近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:002379 阻變存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器、高靈敏度磁傳感器和隔離耦合器件等是具有良好應(yīng)用前景的新型存儲(chǔ)和磁電子技術(shù)，在移動(dòng)通信、個(gè)人電腦、數(shù)碼相機(jī)、電子標(biāo)簽等領(lǐng)域具有廣闊的市場(chǎng)價(jià)值。“十二五”期間，863
2018-02-07 01:36:011314 研究人員在近紅外光學(xué)活性材料的設(shè)計(jì)構(gòu)建及生物應(yīng)用研究中取得進(jìn)展，設(shè)計(jì)構(gòu)建了具有雙光子激發(fā)、近紅外發(fā)射特性的仿生熒光探針并成功將其應(yīng)用于活體腫瘤的高清晰度熒光成像。
2018-03-22 17:28:284803 
本32X8 FIFO的設(shè)計(jì),采用了雙體存儲(chǔ)器的交替讀寫(xiě)機(jī)制,使得在對(duì)其中一個(gè)存儲(chǔ)器寫(xiě)操作的同時(shí)可以對(duì)另一個(gè)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀操作;對(duì)其中一個(gè)存儲(chǔ)器讀操作的同時(shí)可以對(duì)另一個(gè)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)操作。實(shí)現(xiàn)了高速數(shù)據(jù)緩沖,速度比單體存儲(chǔ)器的FIFO提高了一倍。
2018-12-30 10:29:004312 
關(guān)鍵詞：EUV , 光刻 近日，新思科技與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，正式組建“EUV光刻仿真聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”并舉行揭牌儀式。雙方聯(lián)合宣布將在北京合作共建國(guó)際一流、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，共同合作開(kāi)發(fā)
2018-12-03 07:39:01882 新的技術(shù)出來(lái)。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲(chǔ)器外，還有鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、相變存儲(chǔ)器（PRAM）、磁存儲(chǔ)器（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0013980 
近年來(lái)，非易失性存儲(chǔ)技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)能效提升帶來(lái)了新的契機(jī)，采用新型非易失性存儲(chǔ)技術(shù)來(lái)替代傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)可以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對(duì)高存儲(chǔ)能效的需求。以相變存儲(chǔ)器為
2019-03-19 15:43:0110827 
受到國(guó)際多家研發(fā)機(jī)構(gòu)的高度關(guān)注。
2019-05-15 14:43:324904 近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（簡(jiǎn)稱(chēng)VLSI國(guó)際研討會(huì)）在日本召開(kāi)。微電子所劉明院士科研團(tuán)隊(duì)在會(huì)上展示了高性能選通管的最新研究進(jìn)展。
2019-06-26 15:58:495265 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:573524 
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細(xì)介紹
2020-04-30 15:48:133900 
。以相變存儲(chǔ)器為代表的多種新型存儲(chǔ)器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國(guó)內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲(chǔ)器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)展。 一、相變存儲(chǔ)器的工作原理 相變存儲(chǔ)器（Phase Change
2022-12-20 18:33:252207 RRAM基于雙穩(wěn)態(tài)電阻轉(zhuǎn)換的阻性存儲(chǔ)器（RRAM）作為集動(dòng)態(tài)/靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和浮柵存儲(chǔ)器功能為一體的通用存儲(chǔ)器，是NAND技術(shù)后的下一代非易失性存儲(chǔ)（NVM）技術(shù)。
2020-11-04 10:59:244012 存儲(chǔ)器，顧名思義是存儲(chǔ)設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的了解，本文將對(duì)存儲(chǔ)器卡以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)予以介紹。
2020-12-04 09:48:423012 存儲(chǔ)器，顧名思義是存儲(chǔ)設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的了解，本文將對(duì)存儲(chǔ)器卡以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)予以介紹。如果你對(duì)存儲(chǔ)器的相關(guān)知識(shí)具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 17:54:0017127 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團(tuán)隊(duì)李傳鋒、周宗權(quán)研究組在量子存儲(chǔ)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，首次實(shí)現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲(chǔ)器。
2021-01-06 10:47:20854 在刪除和重新加載塊后，可能會(huì)在用戶存儲(chǔ)器(裝入和工作存儲(chǔ)器)中產(chǎn)生間隔，從而減少可使用的存儲(chǔ)器區(qū)域。使用壓縮功能，可將現(xiàn)有塊在用戶存儲(chǔ)器中無(wú)間隔地重新排列，并創(chuàng)建連續(xù)的空閑存儲(chǔ) 空間。
2021-03-02 15:15:532326 MMC設(shè)備是一種受管理的存儲(chǔ)器，它定義了一種對(duì)存儲(chǔ)器陣列間接訪問(wèn)的機(jī)制。這種間接訪問(wèn)通常是由分立的控制器使能的。簡(jiǎn)介存儲(chǔ)器訪問(wèn)的優(yōu)點(diǎn)是，存儲(chǔ)器設(shè)備可以執(zhí)行幾種后臺(tái)存儲(chǔ)器管理任務(wù)而不牽涉主機(jī)軟件。這使得主機(jī)系統(tǒng)的flash管理層更簡(jiǎn)單。
2021-03-26 14:43:2712 51 系列單片機(jī)的內(nèi)部存儲(chǔ)器與一般微型機(jī)存儲(chǔ)器的配置不同。一般微型機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器被安排在同一地址空間的不同范圍，通常稱(chēng)為普林斯頓結(jié)構(gòu)（統(tǒng)一編址）。而 51 系列單片機(jī)的存儲(chǔ)器空間被設(shè)計(jì)成
2021-11-23 16:51:1814 近日中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在STT-MRAM器件與集成技術(shù)研究領(lǐng)域取得了階段性進(jìn)展。
2022-01-26 19:41:352 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其...
2022-02-07 11:25:292 據(jù)報(bào)道，虎年新春伊始，杭州青山湖科技城傳來(lái)佳音。由昕原半導(dǎo)體(杭州)有限公司(以下稱(chēng)“昕原半導(dǎo)體”)主導(dǎo)建設(shè)的大陸首條28/22nm ReRAM(阻變存儲(chǔ)器)12寸中試生產(chǎn)線順利完成了自主研發(fā)設(shè)備的裝機(jī)驗(yàn)收工作，實(shí)現(xiàn)了中試線工藝流程的通線，并成功流片。
2022-02-18 13:37:551646 一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器，但它是基于鐵磁開(kāi)關(guān)的。
2022-07-22 17:05:142353 基于上述因素，越來(lái)越多的MCU大廠開(kāi)始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器，比如相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 新一代航天器對(duì)宇航芯片的性能和抗輻射能力提出了更高要求。碳納米管器件的柵控效率高、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，是后摩爾時(shí)代最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體技術(shù)之一，并具有較強(qiáng)的空間應(yīng)用前景。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所抗輻照器件
2022-12-02 16:49:283883 針對(duì)此問(wèn)題，微電子所劉明院士團(tuán)隊(duì)制備了基于p型和n型有機(jī)分子構(gòu)成的單晶電荷轉(zhuǎn)移界面的晶體管器件，探究了電荷轉(zhuǎn)移界面以及柵氧界面電場(chǎng)的相互作用對(duì)晶體管工作時(shí)載流子及電導(dǎo)分布特性的影響。
2023-01-13 15:19:381088 傳感新品 【中國(guó)科學(xué)院寧波材料所：在蜘蛛網(wǎng)啟發(fā)的高性能壓阻式氣流傳感器中取得進(jìn)展】 壓阻式氣流傳感器因其制備簡(jiǎn)單、信號(hào)易獲取和高靈敏響應(yīng)性，引起了人們極大的研究興趣并廣泛應(yīng)用于航空航天、氣候預(yù)報(bào)
2023-03-14 19:16:111552 檢測(cè)（POCT）、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用潛力。近日，微電子所健康電子中心路鑫超、黃成軍課題組在SPR光纖傳感器方面取得一系列重要進(jìn)展。? 課題組基于等離子體—光子腔復(fù)合結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了一種具有高靈敏度和穩(wěn)定性的光纖生化傳感
2023-06-02 08:39:431592 
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所硅光子平臺(tái)基于微電子所先導(dǎo)中心成熟的8英寸CMOS工藝線，該CMOS工藝線支撐開(kāi)發(fā)了成套硅光工藝和器件，制定了設(shè)計(jì)規(guī)則和工藝規(guī)范，并形成了PDK。
2023-06-07 14:38:032259 
傳感新品 【中科院微電子所：在納米森林柔性濕度傳感器及其應(yīng)用研究方面取得新進(jìn)展】 目前，各種電氣設(shè)備和系統(tǒng)，從照明開(kāi)關(guān)到公共場(chǎng)所的電梯或銀行提款機(jī)，其控制與操作一般采用觸摸方式完成，然而，這種傳統(tǒng)
2023-06-30 08:47:421509 
傳感新品 【中科院微電子所：研發(fā)電子皮膚傳感器不僅能敏銳感受壓力，還知道摩擦力大小】 近日，中國(guó)科學(xué)院上海高等研究院研究員曾祥瓊領(lǐng)銜的團(tuán)隊(duì)，在基于碳材料的3D打印柔性觸覺(jué)傳感器件的研究中取得重要進(jìn)展
2023-07-01 08:42:342725 
憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱(chēng)為阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
2023-07-12 11:10:531153 
微電子領(lǐng)域中陶瓷劈刀研究與應(yīng)用進(jìn)展
2023-09-07 11:27:411782 
由于存儲(chǔ)器中包括結(jié)構(gòu)重復(fù)的存儲(chǔ)單元，當(dāng)其中發(fā)生失效點(diǎn)時(shí), 如何定位失效點(diǎn)成為存儲(chǔ)器失效分析中的最為重要的一步。存儲(chǔ)器芯片的集成度高，字線(WL)和位線(BL)之間發(fā)生微小漏電，或前段Device
2024-08-19 15:48:452403 
圖1 混沌單光子激光測(cè)量系統(tǒng) 激光探測(cè)感知技術(shù)一直是科技領(lǐng)域的前沿?zé)狳c(diǎn)，在航空航天、智能駕駛等眾多領(lǐng)域有著廣泛而重要的應(yīng)用。微電子所以應(yīng)用做牽引，聚焦光子集成激光探感技術(shù)的發(fā)展方向，重點(diǎn)在單光子
2024-10-16 06:30:58892 
近期，微電子所智能感知芯片與系統(tǒng)研發(fā)中心喬樹(shù)山團(tuán)隊(duì)在超寬帶低噪聲單片集成電路研究方面取得重要進(jìn)展。 微弱信號(hào)處理鏈路對(duì)噪聲極為敏感，低噪聲放大器作為信號(hào)鏈路的關(guān)鍵元器件，決定了微弱信號(hào)的檢測(cè)靈敏度
2025-01-15 09:21:16703 
圖1 多物理場(chǎng)耦合模型示意圖 近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部研究團(tuán)隊(duì)在在激光燒蝕波紋的調(diào)制機(jī)理研究中取得新進(jìn)展。研究揭示了激光燒蝕波紋對(duì)光學(xué)元件損傷閾值的影響。相關(guān)
2025-02-14 06:22:37677 
的感知元件。本文將從壓阻效應(yīng)的微觀機(jī)制出發(fā)，深入探討壓阻式傳感器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及工程應(yīng)用。 二、壓阻效應(yīng)的微觀機(jī)制 壓阻效應(yīng)是指當(dāng)半導(dǎo)體材料受到應(yīng)力作用時(shí)，其電阻率發(fā)生顯著變化的現(xiàn)象。這一現(xiàn)象的物理本質(zhì)
2025-04-14 15:03:491944 
圖1 激光燒蝕曲面元件示意圖 近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部魏朝陽(yáng)研究員團(tuán)隊(duì)，在激光燒蝕曲面元件理論研究中取得新進(jìn)展。研究首次闡明激光燒蝕過(guò)程中曲面元件對(duì)形貌
2025-07-15 09:58:24462 
優(yōu)勢(shì)，獲得廣泛青睞。但芯粒集成中普遍存在供電電流大、散熱困難等問(wèn)題，導(dǎo)致其面臨嚴(yán)峻的電遷移可靠性挑戰(zhàn)。針對(duì)工藝層次高度復(fù)雜的芯粒集成系統(tǒng)，如何實(shí)現(xiàn)電遷移問(wèn)題的精確高效仿真，并完成電遷移效應(yīng)與熱效應(yīng)的耦合分析，已成為先
2025-09-01 17:40:02550 
圖1 肘形圖形為目標(biāo)圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團(tuán)隊(duì)在全息光刻研究方面取得進(jìn)展。相關(guān)成果以
2025-09-19 09:19:56443 
功率激光物理聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室朱健強(qiáng)研究員團(tuán)隊(duì)，在多模激光器的模場(chǎng)三維時(shí)空演變研究中取得了新進(jìn)展。團(tuán)隊(duì)研究了激光橫模與縱模的時(shí)空耦合物理機(jī)制，構(gòu)建了多模激光器的三維時(shí)空多模式構(gòu)造模型，深入研究了時(shí)空多模的時(shí)空相互影響規(guī)律，實(shí)現(xiàn)了對(duì)光場(chǎng)傳輸過(guò)程中
2025-12-19 06:41:5263 
，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所超強(qiáng)激光科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)在脈沖累計(jì)效應(yīng)影響飛秒激光成絲熒光發(fā)射研究中取得新進(jìn)展。團(tuán)隊(duì)系統(tǒng)揭示了激光重復(fù)頻率對(duì)空氣中氮分子熒光信號(hào)的調(diào)控機(jī)制，闡明了飛秒激光成絲中脈沖累計(jì)效應(yīng)引發(fā)的空氣密度變化及其對(duì)等離子體激發(fā)過(guò)程的影響
2025-12-22 06:53:2449 
，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部研究團(tuán)隊(duì)在中紅外光譜合束光柵研究方面取得新進(jìn)展，相關(guān)研究成果以“Robust volcano-shaped gold-coated
2025-12-24 06:38:3830 
為了加速AI的訓(xùn)練與推理應(yīng)用。但另一方面，新型存儲(chǔ)也在AI時(shí)代扮演越來(lái)越重要的角色，最近國(guó)內(nèi)新興存儲(chǔ)企業(yè)也將目光投向于此，并推出新產(chǎn)品等，以期緊跟新型存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展。 ? 阻變存儲(chǔ)器 ? RRAM（Resistive Random Access Memory）意為阻變式存儲(chǔ)器，也稱(chēng)憶阻器，具有尺寸易于
2024-10-16 08:10:572148 
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