相比）SiC成長(zhǎng)10倍，GaN翻至60倍，Si增長(zhǎng)45.1％。 該機(jī)構(gòu)指出，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要在中國(guó)和歐洲擴(kuò)張，從2017年~2018年，SiC增長(zhǎng)41.8％至3.7億美元。目前，SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）占70％，并且主要在信息和通信設(shè)備領(lǐng)域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低，預(yù)計(jì)將進(jìn)一
2019-06-25 11:22:42
8864 “PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會(huì)。在市場(chǎng)要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下，該展會(huì)的規(guī)模逐年擴(kuò)大，2013年共迎來(lái)了近8000名參觀者。在本屆展會(huì)上，開(kāi)發(fā)
2013-07-09 09:46:494103 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采 用；與此同時(shí)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開(kāi)始
2016-03-24 08:26:111846 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來(lái)獲
2021-04-06 17:50:534300 
電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:411404 
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:025394 功率半導(dǎo)體的新型首選材料的氮化鎵(GaN)正在繼續(xù)搶占市場(chǎng)份額。 GaN在2018年獲得了市場(chǎng)份額，并預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年將成為一支重要力量，ABI Research總監(jiān)Lance Wilson指出：它彌合
2019-05-20 09:13:481436 全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將
2021-05-21 14:57:182770 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 2020年科技的需求趨勢(shì)，市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的良性需求持續(xù)上升，隨著5G的引入和數(shù)據(jù)中心的增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)將從半導(dǎo)體受益開(kāi)始從設(shè)備升級(jí)和產(chǎn)能擴(kuò)張。隨著先進(jìn)晶圓工藝的萎縮，埃斯莫爾對(duì)EUV工藝的需求強(qiáng)勁，對(duì)EUV
2019-12-03 10:10:00
仍在于Wafer Cost，根據(jù)yole development測(cè)算，單片成本SiC比Si基產(chǎn)品高出7-8倍。研究機(jī)構(gòu)IHS預(yù)測(cè)到2025年SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到30億美元。在未來(lái)的10
2019-05-06 10:04:10
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
，從功率電子的發(fā)展來(lái)看，至1975年線性穩(wěn)壓器到1985年開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器發(fā)展的十年間，功率器件的尺寸減小5倍，而在1985年到2015年這三十年間，尺寸和效率都沒(méi)有得到很大的改變，此后GaN功率IC誕生
2017-09-25 10:44:14
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
[color=rgb(51, 51, 51) !important]基于碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括
2019-07-16 23:57:01
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:15:56
最高可達(dá)100W (20V/5A)，大幅縮短充電時(shí)間，因此，大功率充電器需求量增加在未來(lái)是可預(yù)期的。隨著電源功率的提高，電池勢(shì)必變得體積更大、重量更重，因此業(yè)界在半導(dǎo)體構(gòu)造及封裝的研究與改良上，持續(xù)
2018-10-23 16:12:16
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli的最新報(bào)告指出，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商由于預(yù)期客戶有較高的需求，在2012年第一季再度提高庫(kù)存水位；據(jù)統(tǒng)計(jì)，第一季全球半導(dǎo)體供應(yīng)商庫(kù)存量占據(jù)廠商當(dāng)季營(yíng)收的五成，該比例在
2012-06-12 15:23:39
整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購(gòu)壓力。Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場(chǎng)規(guī)模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020年之間，這一市場(chǎng)
2015-09-15 17:11:46
未來(lái)半導(dǎo)體照明市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，將如何發(fā)展呢？哪部分照明將占主要部分呢？依業(yè)內(nèi)人士推測(cè)，通用照明將是未來(lái)半導(dǎo)體照明市場(chǎng)最大部分?！⊥ㄓ谜彰靼ㄊ覂?nèi)照明和室外照明兩大類。這兩類應(yīng)用都要求燈具具有高發(fā)光效率
2013-10-10 18:01:59
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
的實(shí)驗(yàn)也提供了一系列電子特性的信息。文獻(xiàn)中已經(jīng)有大量關(guān)于 III 族氮化物的光學(xué)特性的數(shù)據(jù)，這里我們將重點(diǎn)介紹一些最新的科學(xué)知識(shí)。近幾十年來(lái)，關(guān)注這些材料的技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀，重點(diǎn)是 GaN、InGaN
2021-07-08 13:08:32
/ xzl1019 未來(lái) 5 年 GaN 預(yù)測(cè)的最大市場(chǎng)是移動(dòng)快速充電，預(yù)計(jì)到 2025 年市場(chǎng)將達(dá)到 7 億美元 xi.ii 硅設(shè)計(jì)繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W，大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計(jì)（從 45 W 到 100 W）都是 GaN。如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:38:20
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:08:33
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車解決方案中每臺(tái)汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:13:35
當(dāng)今的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場(chǎng)需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內(nèi)有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場(chǎng)，如今這種局面已被全新的市場(chǎng)格局所取代 - 有多個(gè)新興市場(chǎng)出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進(jìn)行重大兼并和收購(gòu)。究竟有哪些因素推動(dòng)著市場(chǎng)格局不斷變化？
2019-09-02 07:55:41
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
與定義，他在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域堅(jiān)守了18年，也積累豐富實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。工作角色轉(zhuǎn)變后，張大江開(kāi)始更加注重以客戶需求為導(dǎo)向，從市場(chǎng)角度思考問(wèn)題。想要在市場(chǎng)中脫穎而出，做好品牌宣傳是很關(guān)鍵的一步。在張大江的布局下
2025-05-19 10:16:02
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，有數(shù)據(jù)顯示，國(guó)內(nèi)電子元器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)20,000億元。如果以代購(gòu)作為元器件電商的開(kāi)端來(lái)計(jì)算，中國(guó)元器件電商的發(fā)展已經(jīng)有十個(gè)年頭。這十年是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的十年，產(chǎn)業(yè)規(guī)模的持續(xù)增長(zhǎng)、國(guó)際原廠
2021-08-23 14:55:18
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:46:29
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來(lái)進(jìn)口替代空間較大。從中長(zhǎng)期看，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過(guò)3,700億元。近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
中國(guó)的“一車一樁”計(jì)劃，電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬(wàn)個(gè)，與現(xiàn)有的接近50萬(wàn)個(gè)相比，未來(lái)2年多內(nèi)將安裝430萬(wàn)個(gè)，其中將至少有200萬(wàn)個(gè)是大功率直流充電樁。安森美半導(dǎo)體是嶄露頭角的電動(dòng)汽車
2019-08-06 06:39:15
時(shí)代。當(dāng)前全球LED產(chǎn)業(yè)處于飛速發(fā)展階段，我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)進(jìn)入自主創(chuàng)新發(fā)展時(shí)期，今年以來(lái)，半導(dǎo)體照明市場(chǎng)呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。加之國(guó)家對(duì)節(jié)能環(huán)保政策推動(dòng)，技術(shù)進(jìn)步使得價(jià)格降低，市場(chǎng)需求連年上升，驅(qū)動(dòng)
2016-03-03 16:44:05
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，一路上挾風(fēng)帶雨，好不風(fēng)光。不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。未來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)的提升，除了進(jìn)一步
2019-07-05 04:20:06
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
，庫(kù)存對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的負(fù)面影響將至少持續(xù)到年底，不過(guò)需求增長(zhǎng)將在2012年出現(xiàn)。 美國(guó)單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商Microchip于本月初宣布第三財(cái)季業(yè)績(jī)時(shí)表示，2011年第四季度將是該行業(yè)循環(huán)周期的谷底
2012-01-15 10:07:58
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
用的MCU的市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以11%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng)，從2014年的17億美元增加到2019年的28億美元。2019年前，預(yù)計(jì)總體MCU市場(chǎng)將以4%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率微幅增長(zhǎng)。 “有些人仍認(rèn)為只是
2016-06-29 11:45:30
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。自從二十世紀(jì)五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來(lái)，以硅(Si)材料為主的功率半導(dǎo)體器件就一直扮演著重要的角色。功率雙極性晶體管及晶閘管的問(wèn)世，大大減小的電力電子設(shè)備的體積重量
2021-03-25 14:09:37
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見(jiàn)光波段的發(fā)光特性、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢(shì)，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
中國(guó)半導(dǎo)體照明市場(chǎng)增長(zhǎng)速度遠(yuǎn)高于全球市場(chǎng)增長(zhǎng)速度
據(jù)中國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟統(tǒng)計(jì)，2005~2009年間，中國(guó)LED封裝產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年平均增長(zhǎng)率達(dá)12%，應(yīng)用產(chǎn)
2010-01-27 16:02:451036 “功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331845 近期，SEMI機(jī)構(gòu)公布數(shù)據(jù)中看到，2011年全世界半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的銷售額達(dá)到478.6億美元，比2010年增長(zhǎng)6.7%。其中中國(guó)內(nèi)地的半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額在2011年年增長(zhǎng)率最高。
2012-10-19 11:49:302376 
，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。
2018-05-23 15:00:0510612 本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5412106 
根據(jù)Yole Développement公司最新名為“2017年RF功率市場(chǎng)和技術(shù)：GaN、GaAs以及LDMOS”的報(bào)告預(yù)測(cè)，隨著電信運(yùn)營(yíng)商投入的減少，射頻功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在2015年和2016年
2018-07-09 16:43:001280 
MarketResearchEngine研究報(bào)告顯示，未來(lái)四年，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）市場(chǎng)將以超過(guò)8%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素是半導(dǎo)體和電子設(shè)備的技術(shù)發(fā)展、IPv6的標(biāo)準(zhǔn)化、云計(jì)算的增長(zhǎng)以及政府的支持。
2018-08-28 08:29:002129 新興市場(chǎng)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在2020年達(dá)到近10億美元，推動(dòng)力來(lái)自混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器等方面的需求。
2018-11-02 15:12:234043 Yole電力電子技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會(huì)面，討論意法半導(dǎo)體與CEA-Leti在GaN研發(fā)方面的合作情況，以及未來(lái)幾年功率GaN路線圖。
2018-12-24 15:14:276507 當(dāng)前，我們使用的許多前沿?cái)?shù)字化設(shè)備背后的技術(shù)都要依靠半導(dǎo)體才能實(shí)現(xiàn)。 由于無(wú)人駕駛、人工智能、5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展，以及對(duì)技術(shù)研發(fā)的持續(xù)投入和市場(chǎng)主要參與者間的激烈競(jìng)爭(zhēng)，未來(lái)十年全球半導(dǎo)體行業(yè)有望持續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng)。
2019-05-07 10:15:014011 
Tom Mitchell認(rèn)為未來(lái)的十年，AI將會(huì)繼續(xù)影響教育，機(jī)器學(xué)習(xí)將會(huì)對(duì)智適應(yīng)教育產(chǎn)生重要影響
2019-05-27 13:42:063282 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:236393 5G、AI、IoT、自動(dòng)駕駛，無(wú)數(shù)隨時(shí)產(chǎn)生著海量數(shù)據(jù)，對(duì)于存儲(chǔ)和處理都提出了極高的需求。IBM大中華區(qū)CTO謝東近日提出，磁帶在未來(lái)十年仍將是主流存儲(chǔ)媒介，其容量將會(huì)每年增長(zhǎng)30％，而傳統(tǒng)硬盤的增幅只有10％。
2019-08-08 10:40:501862 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013306 
的發(fā)展成果，隨后針對(duì)中國(guó)MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景提出了未來(lái)十年將是中國(guó)MEMS產(chǎn)業(yè)黃金十年等觀點(diǎn)，獲得我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)權(quán)威媒體中國(guó)電子報(bào)的關(guān)注和報(bào)道。 以下是報(bào)告的主要內(nèi)容，在此轉(zhuǎn)發(fā)，以饗讀者。 2020年是國(guó)家十三五規(guī)劃的收官之年。十三五期間，
2020-09-25 09:54:053471 2020年10月15日，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）和半導(dǎo)體研究公司（SRC）聯(lián)合發(fā)布《半導(dǎo)體十年計(jì)劃》臨時(shí)報(bào)告，概述了未來(lái)十年內(nèi)芯片研究和資助的優(yōu)先事項(xiàng)，確定了影響未來(lái)芯片技術(shù)發(fā)展的五個(gè)重大
2020-10-29 09:27:113365 
尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。應(yīng)用程序。在新世紀(jì)即將來(lái)臨
2021-04-01 14:10:192851 
中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)在集體過(guò)冬，美國(guó)也未必沒(méi)有緊迫感。 美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）和半導(dǎo)體研究公司（SRC）就聯(lián)合發(fā)布了一份題為“半導(dǎo)體十年計(jì)劃”的報(bào)告，希望美國(guó)政府能在未來(lái)十年拿出每年 34 億美元
2020-12-17 11:22:584789 預(yù)計(jì)在 2021 年突破 10 億美元。 報(bào)告表示，全球 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體的銷售收入，預(yù)計(jì)從 2018 年的 5.71 億美元增至 2020 年底的 8.54 億美元。預(yù)計(jì)未來(lái)十年，每年
2020-11-16 10:19:322918 第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢(shì)
2021-05-03 16:18:0013729 
研究機(jī)構(gòu)Yole Intelligence日前發(fā)布對(duì)化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，認(rèn)為在功率和光學(xué)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，到2027年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到24億美元，2021-2027年間復(fù)合年增長(zhǎng)率為16%。 該機(jī)
2022-11-21 10:31:392027 
德州儀器 (TI) 正大力投資擴(kuò)大產(chǎn)能，助力未來(lái)幾十年內(nèi)電子領(lǐng)域半導(dǎo)體的持續(xù)發(fā)展。
2022-12-19 15:59:411855 本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:181355 
由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長(zhǎng)2.2倍。預(yù)計(jì)未來(lái)市場(chǎng)將繼續(xù)高速擴(kuò)張，2023年達(dá)到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年增長(zhǎng)34.5%，2035年擴(kuò)大到54485億日元（約合人民幣2807億元），增長(zhǎng)31.1倍。
2023-04-13 16:10:46947 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:241214 
sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:302069 2023年已告結(jié)束，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)雖然出現(xiàn)9%的負(fù)增長(zhǎng)，但在AI服務(wù)器GPU、網(wǎng)絡(luò)芯片、電動(dòng)汽車所需的功率半導(dǎo)體如碳化硅（SiC）、硅基IGBT等少數(shù)領(lǐng)域保持增長(zhǎng)。預(yù)測(cè)今年全球前20大半導(dǎo)體企業(yè)中僅有五家能實(shí)現(xiàn)收入正增長(zhǎng)，包括英偉達(dá)、博通、英飛凌、意法半導(dǎo)體、恩智浦等知名品牌。
2023-12-27 09:39:002030 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:562208 隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車接納度的逐漸提高，碳化硅(SiC)在未來(lái)的十年里將迎來(lái)全新的增長(zhǎng)機(jī)遇。預(yù)計(jì)，將來(lái)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運(yùn)作商會(huì)更積極地參與到這一領(lǐng)域的價(jià)值鏈建設(shè)中來(lái)。01碳化硅功率器件采用
2024-04-30 10:42:082097 
半導(dǎo)體(WBG)正逐漸成為電力電子市場(chǎng)的核心力量。根據(jù)最新的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，到2029年，WBG預(yù)計(jì)將占據(jù)全球電力電子市場(chǎng)的近三分之一，其中SiC和GaN分別占26.8
2024-07-22 11:46:281064 
近年來(lái)，電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變?cè)絹?lái)越明顯。在過(guò)去的十年中，SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動(dòng)電氣化和強(qiáng)大未來(lái)的重要力量。得益于其固有特性，寬禁帶半導(dǎo)體正在逐漸取代許多
2024-10-09 11:12:351252 
SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911 傾佳電子固態(tài)變壓器（SST）技術(shù)路線演進(jìn)與未來(lái)十年應(yīng)用增長(zhǎng)深度分析及基本半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品的戰(zhàn)略應(yīng)用價(jià)值報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連
2025-11-30 09:22:12848 
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